关于STM32F429VET6(Flash512K)的Flash双块设置问题
本帖最后由 魏博 于 2020-10-3 10:05 编辑已知：对于Flash为1M的STM32F429VGT6来说，可以通过配置FLASH_OPTCR的DB1M位为1，切换成双块模式。这样，Flash扇区8-11(每个扇区128K)的空间被转移到扇区12-19(扇区12/13/14/15为16K，扇区16为64K，扇区17~19为128K)中，扇区细分了，总容量不变。那么，对于Flash为512K的STM32F429VET6，是否可以进行类似的“设置双块模式”操作？即：将扇区6~7(每个扇区128K)的空间转移到扇区12-17中，扇区细分了，总容量不变。
有知道的吗？感谢大家！ 这样用作什么用途？ 本帖最后由 魏博 于 2020-10-3 23:00 编辑
281229961 发表于 2020-10-3 12:29
这样用作什么用途？
方便Flash数据分区。有多种数据保存在Flash中。这些数据种类多(例如A/B/C/D/E/F6种)、但是总容量不大(每个区域16K，总计不超过128K)。如果把这些数据规划在同一个128K的扇区，则改写其中一种数据(例如B区)，则要将A/C/D/E/F备份缓存。一来这样子效率低。二来也造成Flash寿命的额外损耗。因为有时候只要改写6种其中的一种，有时则是改写多种(包括6种全部)。所以每写一种都要擦除Flash，写Flash。这样写六种数据时，Flash要擦写6次。429VGT6的Flash配置为双块模式后，小区域块数量足够，改写Flash数据效率高，也不会多损耗Flash寿命。但是VGT6比VET6贵太多了，贵十二块左右！
页:
[1]