请教:用MOS管做开关容易击穿的问题?
场景:有一工业充电器,在设备里面是一直通电的,且没有输出开关控制,为了与电池隔离,设计一个开关电路,检测到电池才打开。设计:用MOS管设计一个开关电路,最大电压60V,最大电流70A。
为了完全与负载隔离,采用MOS管背对背设计,多组MOS管来扩充电流,
控制单元驱动三级管控制MOS管开关。24V给三级管供电,附图
问题:
充电器输出是DC30V,输出端接800W(交流电220V)灯泡做负载,测试时,给充电器上电,灯泡就亮了,没办法用控制单元
切断输出,灯泡一直微红,拆下来发现几个MOS管不同程度击穿。不排除一上电,开关电路就导通输出。
请教:
1、什么原因造成MOS击穿,因为灯泡是220V的,现在只是用30V测试,负载也不大,不至于过流击穿。
2、这个电路设计是否有问题,需要怎样的改进,或者有其他方案(空间和成本限制,不能使用直流接触器)。
谢谢! 量一下灯泡冷态下的电阻、确认一下是否会过流 场效应管的驱动电压是要相对于源极的,也就是com。 EMC菜鸟 发表于 2023-3-28 10:15
量一下灯泡冷态下的电阻、确认一下是否会过流
(引用自2楼)
好的,我忽略灯泡冷态电阻了,谢谢, 进口小开关 发表于 2023-3-28 10:18
场效应管的驱动电压是要相对于源极的,也就是com。
(引用自3楼)
嗯嗯,因为做开关,两端都可以用,当时为了layout方便,就源极对源极了 我不是很懂MOS,但我感觉这种MOS并联阔流,应该是要筛选的。 dadatou 发表于 2023-3-28 10:28
我不是很懂MOS,但我感觉这种MOS并联阔流,应该是要筛选的。
(引用自6楼)
好的,谢谢回复 要不用P沟道的管子,要不就把你这个24V改到40V以上,不然电路中的N沟道MOS管没法导通DC30V 楼主你这是NMOS?MOS导通的要求是要大于VGS,30V输入控制极上要40V. 孤独飞行 发表于 2023-3-28 10:48
楼主你这是NMOS?MOS导通的要求是要大于VGS,30V输入控制极上要40V.
(引用自9楼)
是NMOS,G极大约是10V,实际的参数与图上的有点出入 my_avr 发表于 2023-3-28 10:47
要不用P沟道的管子,要不就把你这个24V改到40V以上,不然电路中的N沟道MOS管没法导通DC30V ...
(引用自8楼)
模拟电不太好,我理解为G极有10V电压就可以打开MOS管的,对了,图上的参数与实际有点出入 不是高压击穿,是没有完全关断工作在纯电阻区域了。mos要用推挽驱动 dz20062008 发表于 2023-3-28 11:11
不是高压击穿,是没有完全关断工作在纯电阻区域了。mos要用推挽驱动
(引用自12楼)
谢谢,我也在考虑更改MOS管驱动 jbpan852 发表于 2023-3-28 11:05
模拟电不太好,我理解为G极有10V电压就可以打开MOS管的,对了,图上的参数与实际有点出入 ...
(引用自11楼)
用N沟通的MOS 控制+极????
你输入30V, 要N MOS 导通, G极控制电压要 40V 的呢? 发烫炸鸡的格式
规规矩矩的按照推挽驱动进行吧 jbpan852 发表于 2023-3-28 11:05
模拟电不太好,我理解为G极有10V电压就可以打开MOS管的,对了,图上的参数与实际有点出入 ...
(引用自11楼)
这不是模拟电路不太好,是对MOS完全不懂了。导通电压、电流、内阻、温度。。。这些都没了解,出来个电路就是个盲目的设计。建议楼主去深入理解下MOS的原理了。
给个参考链接 https://zhuanlan.zhihu.com/p/49050654 polarbear 发表于 2023-3-28 11:18
用N沟通的MOS 控制+极????
(引用自14楼)
谢谢!刚才补了一下MOS知识,控制正极要用P-MOS管了 GZZXB 发表于 2023-3-28 11:24
这不是模拟电路不太好,是对MOS完全不懂了。导通电压、电流、内阻、温度。。。这些都没了解,出来个电 ...
(引用自16楼)
谢谢,在补MOS管知识,从软件转硬件太难了{:cry:} polarbear 发表于 2023-3-28 11:18
用N沟通的MOS 控制+极????
(引用自14楼)
楼主说的是:最大电压60V,最大电流70A。{:smile:} 需要隔离驱动。g→com Vgs不对吧。参考ti的文档。
jbpan852 发表于 2023-3-28 11:27
谢谢,在补MOS管知识,从软件转硬件太难了
(引用自18楼)
那就让懂硬件的人设计硬件啊,不然出问题了都蒙圈{:smile:} sfes 发表于 2023-3-28 11:28
需要隔离驱动。g→com
(引用自20楼)
谢谢,你的意思是这样的吗 grj0719 发表于 2023-3-28 11:31
Vgs不对吧。参考ti的文档。
(引用自21楼)
谢谢,这个资料很好 G极驱动电流要0.5A级别。你这个10k/10k分压出来的驱动电压只能达到毫安,让导通关断很慢。这个期间如果有电流,会迅速冒烟。 楼上大神正解 qwe2231695 发表于 2023-3-28 12:39
G极驱动电流要0.5A级别。你这个10k/10k分压出来的驱动电压只能达到毫安,让导通关断很慢。这个期间如果有电 ...
(引用自25楼)
都没能导通呢,还谈不到驱动能力的问题。
24V如何去高边控制NMOS驱动60V? 看了TI文档,理解了很多,NMOS可以在高端做开关控制,加一个Pump电路就可以了 你把场管源漏对调一下试试{:lol:} dadatou 发表于 2023-3-28 10:28
我不是很懂MOS,但我感觉这种MOS并联阔流,应该是要筛选的。
(引用自6楼)
mos管并联扩流用法是ok的,过流量大,内阻变大,电流减小,自动均流 z123 发表于 2023-3-31 22:01
mos管并联扩流用法是ok的,过流量大,内阻变大,电流减小,自动均流
(引用自30楼)
好的,现在选用P管控制正极输出,打几个样品回来测试一下 MOSFET做通断开关,一定要注意慢开快关,具体原理看DS里的SOA图表 理想二极管的DS里,开通拉电流只有区区几十uA, 而关断灌电流达几A,目的就是解决容性负载问题,容性的“冷电阻”是多大?是零!零都不怕,还怕啥灯泡呢 {:lol:} PowerAnts 发表于 2023-4-2 16:59
理想二极管的DS里,开通拉电流只有区区几十uA, 而关断灌电流达几A,目的就是解决容性负载问题,容性的“冷 ...
(引用自33楼)
好的,学习了,谢谢!
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