求解w25q128移植FlashDB写入速度及存储问题
现象：W25Q128移植了FlashDB，FAL及SFUD，其中FAL的接口采用了SFUD，发现例程写操作里面直接调用了sfud_write，没有将数据读出来并修改，这样是不是有问题？实际测试也发现写入后读出来的数不一致。于是按照以前的套路，先读出一个扇区数据后擦除扇区，然后修改数据后写入扇区，这样读写数据一致了，但是引出另一个问题，就是FlashDB每次写入会有多步操作，如写标志和写数据等等，如此频繁擦除不但写入耗时，而且影响寿命。想问问各位有什么解决方案。还遇到另一个问题就是时不时的FlashDB分区标志数据丢失导致初始化花费大量时间格式化，不知道什么问题？已经增加了掉电检测，掉电时不操作SPI和FAL写操作。 结帖了，FlashDB写之前不用擦除，第一次初始化格式化已经擦除了所有扇区，且修改数据采用移动地址的方式，因此可以减少耗时及寿命
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