nand flash的坏块可以修复么
rt，请教几个nand flash问题1，nand flash的坏块可以修复么
2，nand flash只读的话，会产生坏块么
1：通过清怀块后能能开始可以，后面就会又不行
2：读也会产生坏块，可能写进去是好的，等去读了校验就出错了 ztg328 发表于 2024-1-17 12:46
1：通过清怀块后能能开始可以，后面就会又不行
2：读也会产生坏块，可能写进去是好的，等去读了校验就出错 ...
(引用自2楼)
谢谢。一般block0出厂是确保没有坏块的，factory good，请问block0只读的话，也会有几率出现坏块么 akey3000 发表于 2024-1-17 12:52
谢谢。一般block0出厂是确保没有坏块的，factory good，请问block0只读的话，也会有几率出现坏块么 ...
(引用自3楼)
应该几率很小 ztg328 发表于 2024-1-17 12:58
应该几率很小
(引用自4楼)
谢谢。再请教下，除了出厂坏块外，使用过程中的坏块是随机出现，还是超过了10万次的擦写次数 nand flash坏块是mos浮栅绝缘变薄漏电，物理损坏无法修复的。 只有擦除才损耗浮栅绝缘。
block0存储了操作系统引导，所以厂家会更严格的标准要求这个区域不能有任何坏块，且保证这个区域的长寿命。如果这个区域出现坏点就没法引导操作系统，其它区域有坏块可以把这个坏块的地址映射到备用存储单元。
擦除就是释放浮栅电子，释放后数据逻辑为1。数据为0单元擦除会损耗浮栅。
读取不会损耗浮栅，写入数据0损耗浮栅，写入1不损耗浮栅（擦除后数据就是1，写1就是屏蔽写入）
以上说的是slc nand flash ，现在的tlc更加复杂。简单总结就是读取不损耗，写入与擦除会损耗，擦除是大面积擦所以可以理解为读取不损耗，擦除损耗，写入损耗包含在擦除里面了。坏块物理损坏只能被逻辑屏蔽替换到备用单元无法修复，block0损坏则无法逻辑屏蔽替换，无法引导系统只能作为存储，或者整个flash损坏。
【深入理解闪存！固态硬盘如何存储一位数据？NAND FLASH是怎么擦除和写入的？FLASH的工作原理！-哔哩哔哩】 https://b23.tv/ZaiS8iL
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dz20062008 发表于 2024-1-17 14:41
nand flash坏块是mos浮栅绝缘变薄漏电，物理损坏无法修复的。 只有擦除才损耗浮栅绝缘。
block0存储了操作 ...
(引用自6楼)
谢谢。除了出厂坏块外，使用过程中的坏块是随机出现，还是超过了10万次的擦写次数 百度到的答案，SLC一般为 10万次, MLC为1万次，但低于这个次数也会出现坏块，只是概率大小的区别。 ztg328 发表于 2024-1-17 12:46
1：通过清怀块后能能开始可以，后面就会又不行
2：读也会产生坏块，可能写进去是好的，等去读了校验就出错 ...
(引用自2楼)
清块应该是清的”伪坏块“，真正的坏块是不能恢复的 akey3000 发表于 2024-1-17 14:53
谢谢。除了出厂坏块外，使用过程中的坏块是随机出现，还是超过了10万次的擦写次数 ...
(引用自7楼)
通常除了出厂坏块以外，在操作NAND时出现erase fail或者program fail时才会将该block认为是坏块并加入坏块管理中。读的话不叫坏块，叫读UECC。出现UECC一般可以通过read retry或者raid恢复。 坏块是如何管理的啊？就不怕标记坏块或存储类似mbr的块坏掉吗？ 本帖最后由 Himem 于 2024-1-18 12:38 编辑
tang_qianfeng 发表于 2024-1-17 19:39
坏块是如何管理的啊？就不怕标记坏块或存储类似mbr的块坏掉吗？
(引用自11楼)
NAND自身是每个page除了数据区外 还有存ecc和标志位的oob区(2KB data+64 oob?)，oob区里有flag来表示这个是不是坏块，
只要一个block（最小擦除单元? 128K?）里面有坏page整个block就是坏块整个跳过
嵌入式的话，应该是靠文件系统来磨损平衡和坏块替换?FTL层猜测一般有多重备份吧
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