运放+MOS管搭建的横流源，如何实现快速关断
如题，运放+MOS的横流源，如何实现快速的电流关断。使用过程中需要实现快速把电流关断，以实现快速关闭激光器，关断时间最好在100ns量级。
图中上面的运放+MOS管设置保护电流，这里限制最大电流。
中间运放+MOS是设置电流，设置目标电流。 下面的运放构成电流反馈和测量电流。
目前测试过通过小mos管拉低上管的G级、运放到G级加模拟开关切换到地，会有震荡和严重的过充；电流设置通过DAC设置电压到0v自然是可以的但是就是速度慢，不满足使用的要求。
看看各位还有啥招没有，可以加模拟开关，可以换运放，啥方案都可以，只要实现电路上100ns左右的关段时间就可以。
就目前的来看运放的摆率可能比较低影响了关断时间，但是换其他高摆率的运放电流会出现验证的震荡，不知道这里的运放到底有啥讲究没有。模拟开关也试过了，能支持正负电压通过的型号不多，不确定是否带宽不够，也出现了震荡的情况。
本帖最后由 Himem 于 2024-1-25 15:22 编辑
同时把激光输出短路掉？ 运放输出电流太小了，关断就慢了，再用三极管扩流一下 收藏学习！ 这个帖子里有振铃的优化方案，换高摆率的运放可以看看能不能改善 https://www.amobbs.com/thread-5782566-1-1.html 换BJT试试 g级电阻 并联一个反接一个二极管 高摆率大电流的运放试试
100ns，开关型的mos驱动ic能满足，关断信号去触发驱动ic LTC6752高速比较器做个Mos开关可以吗 当然是用MOS驱动IC 去关断，
你这个100ns时间怎么算，从MCU发出命令到MOSFET截至，还是单MOSFET截至时间？
驱动IC收到命令到输出响应，Propagation Delay目前看到最快的要45ns样子（应该可以找到更快的）。 输出的下降暂时按10ns算（跟你的MOSFET Qg参数有关），你选的MOSFET Turn-Off Delay Time典型值写的是23ns，fall time 5.5ns, 加起来78.5ns，可以实现。选氮化镓之类MOSFET，速度更容易保证
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