有0.1v正向压降的二极管吗？推荐下型号呢。
做个电池供电的设备，工作电流在几毫安，要用二极管来做掉电保护数据，所以希望它压降小点。一般的二极管0.7v，像5819这种肖特基二极管 也有0.3-0.4V 呵呵，你先用几毫试试你的5819，看看压降到底是多少？ 实际测量 0.2几伏。 小电流5819可以做到0.2V，但是一上1A电流，上面的各位测测！！
以前读书的时候用过的硅粒子倒是符合楼主的要求。
但是这个东西是我老师的东西，具体什么型号也不知道。
就是外面是绿色的，有点像热敏电阻。 如果一定要电压很低，可以考虑使用MOSFET管。低压输出的开关电源，为了提高效率，就是使用MOSFET管来进行同步整流的！ 要0.1V这么低的电压源干什么用？要是非要不可可以尝试用运放+基准电压源自己搭一个 1：5楼说的是这样吧，但是一般MOSFET都复合了一个二级管，如图中D1位置。
2：由于系统使用的3V纽扣电池，所以对功耗特别考究。
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_8/ourdev_183014.JPG 没看明白这个图的目的是什么. 可以试下LTC4411
点击此处打开ourdev_183074.pdf(文件大小:148K)
7楼的图有点问题?如果电源掉电,Vref = 1.8V同样没有输出,会不会误判断呢?可不可以 CELL ---R----I/0 中断来判断呢 同意楼上 应该反接MOSFET，如下图。
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_8/ourdev_183094.JPG
正向的压降: I*Rdson
如果，RDS(on) = 0.065Ω，I = ...
具体说明参考以下
点击此处打开ourdev_183095.pdf(文件大小:123K) 不好意思，7楼是有点错，应该把参考电压芯片的供电 接到二极管后去。 5817基本接近你的要求(0.1x V),5819太大 12楼的也不行啊，这个可以用来保护电源极性。掉电后电容上的的电压还是会通过MOSFET的S->D跑到外面来。
补充一定，不光要做掉电检测，还要做电压过低检测。所以接了比较器。
找到个电压比较低的二极管，大概在0.1v。
系统使用一颗纽扣电池，用4个月，必须把电流限制在100uA。 B0520LW 0.1V硅二极管 我也是经常用5819 B0520LW
0.2xV @ 10mA B0520LW是不是等於ONSEMI 的 MBR0520？
產品在用這個，也是因為好像VF比較小。 呵呵，LTC有理想二极管的，压降近乎为0 不过价格好像要10个美金 实测0520:0.15V@10mA就用这个了。 额 我也用的着 谢谢啦 我也遇到楼主的同样的问题，
设计在MP3的电源 ，用3颗钮扣电池给MP3供电 电压为4.5V，在USB模式时USB的电压为5V也要经过这个供电点，所以必须要加一个二极管来隔离USB电压，以防止USB的电压回灌到钮扣电池！钮扣电池经过普通的1N5819这样的二极管后电压在0.4V，所以当电池电压为3.4V时MP3则只有3V电压了，会接近关机电压了，因此需要用到压降较小的二极管，可以确保功耗问题！ 请大家帮忙找找有没有压降较低的SMD 封装0805的二极管！谢谢！ LTC4412 bat54系列，便宜又好用。压降0.24到0.8之间 MARK mark! 刚刚用到个3A的肖特基，SB340,万用表测压降是0.135V mark 记号~~ jh 我用
MBR120VLSFT1
MBRM130L mark 可以考虑使用低栅压的N-FET
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_35/ourdev_610237OJCOVJ.jpg
(原文件名:1.jpg) mark mark mark mark 有用 用C8051F的9系列，用0.9V就可以了，一节电池就能工作。
成本可能会高点，可以去探一下价格。
唉，楼上几位一路挖得好辛苦啊，07年，C8051F的9系列可能还没有面市。 好贴，以前也专门用过一个MOSFET 反着接专门用里面的二极管，压降确实低 mark 二极管压降 mark 二极管压降 SB340 B0520LW MBR120VLSFT1
MBRM130L 做掉电保存数据这种方法较好：
在供电电源与单片机之间加个肖特基二极管（0.2v~0.3v），肖特基二极管和单片机间加个大一点的电容。
将肖特基二极管前的电源电压连接到比较器的一个引脚，比较器的另个引脚接掉电的电压值。开比较器中断。
这样的话，当掉电时会引起比较器中断，此时单片机会依靠电容的放电来继续维持工作。在比较器的中断
服务程序中可以将待存的数据存储在Flash中。这样作即可以保证数据的永久保存，又满足了10万次的擦写
限制 SS14在1A的情况下为0.5V GPRS模块上用过 留意下了
以后用得到 学习了
低压降二极管 以前见别人用过一次用MOS管这样用的，没想到这里也看到了 mark MARK 打记号 这类的，估计还是MOS管里自带的那个管子效果好 我用万用表测试5819的压降是0.13V而已呀？我想几个毫安能做到0.2V以下的。 电压低，要考虑mos管 很好,mark mark，低压降二极管 a forward biased mosfet or bjt is the way to go: they produce minimum voltage drop.
on the other hand, if the battery voltage is too low to sufficiently turn on even a logic-level mosfet, you have to use bjt. a bjt however requires current to remain open, making it less useful for low-power battery applications.
so the goal really is to find a mosfet with very low Vgs(th).
mark!
也在找这类东东 here is the relative performance of two switches, on a 1k load.
they achieve a forward voltage drop of 20mv at 3ma.
however, the mosfet version doesn't work until Vgs goes over 1.5v, and the bjt works down to 0.6v - except that the base draws considerable current. That can be at least partially addressed if you use a larger base resistor (10k), at the expense of the voltage drop on the switch.
however, a diode is the simplest solution. it is rare for a rtc chip to consume more than 1ma in battery mode and a typical schottky diode produces little Vfwd at that kind of current.
ALD produces a family of zero-Vgs mosfets and you can use them here as switches. They are substantially more expensive, however. mark 低正向压降二极管 mark...... testcode 发表于 2007-11-28 01:49
应该反接MOSFET，如下图。
正向的压降: I*Rdson
13楼厉害，请问这些专利是从哪里找的呢？
谢谢。 我已经落伍了？
难道有新的PN结掺杂工艺出来了吗？有的话得看看。硅管一般不是在0.5~0.7V,锗管在0.2~0.3 是不是我记错了啊。大神指导一下啊！ mark 低正向压降二极管 果然是国内第一的电子论坛，搜什么东西都指向这里，而且总能找到有用的信息，先赞一个
1n60P这类小电流肖特基在数毫安的电流下，压降在0.1~0.2V之间
http://www.diodes.com/datasheets/ds30051.pdf
不过反向漏电挺可观的，反压10V情况下，漏电达到75uA，对电池寿命有严重影响 考虑使用MOSFET管吧，我们电源上也是采用这个的，一直 在用 mark！最终开始用MOS管靠谱一点，便宜又好料 mark，做记号，当初找低电压二极管找得好辛苦 这个应该会经常用到。 前两天有个电路要用低压降二极管， 外面买了i1N60P，1N60, 回来测了下， 压降0.2v左右。 shouqiang_zhang 发表于 2015-12-11 20:57
前两天有个电路要用低压降二极管， 外面买了i1N60P，1N60, 回来测了下， 压降0.2v左右。 ...
这个确实可以 但是好像电流增大到一定程度之后 压降会有浮动 2SC5706三极管饱和压降900mV，可以当二极管用。可以试试！ MOSFET LVF 二极管，mark一下。 MARK，正有需要。
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