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标题: 一个难以理解的运放输入保护电路,有人见过吗? [打印本页]

作者: xuande    时间: 2012-5-4 11:34
标题: 一个难以理解的运放输入保护电路,有人见过吗?
本帖最后由 xuande 于 2012-5-4 13:36 编辑

在一台外国产的旧仪器上,发现保护运放输入端的电路很奇怪。
下面是电路的测绘图,核对多次(这个问题对我很重要),确实没错;器件的具体型号没有太多意义,所以就隐去了。

注意看MOS管的接法!

[attach]14613[/attach]

(P点电压为 +10v ,Q点是 -10v 。)

用两个二极管保护运放是很常见的,但用MOS的就不多了;
而且,MOS管这样的接法,有道理吗?能起到保护作用吗?
按说,MOS管的源极、漏极与栅极之间有某种击穿特性,这样的接法才能起到保护作用,
而且击穿后的电流一定要比较大,
但我查遍了该MOS管的手册,查了多个厂家的手册,都没有看到这样的击穿特性图。

实在不理解,大家有见过的吗?


ps:新版的论坛,必须登录,才能看到图吗?

PS:楼下有人说是JFET,说得对,确实是JFET。不过,问题关键是,这样能起到保护作用吗?

作者: albert_w    时间: 2012-5-4 13:06
感觉画反了呢。 当二极管用的吧,当然性能好不少,结电容, 自身电势什么的。 没有太多研究
作者: gzhuli    时间: 2012-5-4 13:14
那个不是MOS,是JFET。
作者: adcr    时间: 2012-5-4 13:20
你怎么知道那三个脚的就是MOS管或JFET的东东
作者: fishplj2000    时间: 2012-5-4 13:23
看具体型号

应该不行,G和D/S漏电流非常的小,基本是绝缘状态,没法提供瞬态大电流低阻抗释放通道
作者: gzhuli    时间: 2012-5-4 13:58
有话补充就回帖,不要编辑在1楼,看帖通常都会往下看新回复,不会回头细看上面的帖子。

JFET G对D/S的特性就跟二极管一样,正向偏置时(箭头表示正偏方向,因此1楼的图确实是画反了)有大约0.7V的导通压降,反向偏置时截止,DS相接后JFET就变成了二极管。
JFET跟普通二极管的区别是漏电流小得多,普通二极管一般是nA级别,而JFET二极管则是pA级别,所以对漏电流要求严格的场合加箝位二极管就要用JFET。
作者: xuande    时间: 2012-5-4 14:40
本帖最后由 xuande 于 2012-5-4 14:50 编辑

6楼说得靠谱。
这台仪器是测量pA电流的,普通二极管是不能用的。

JFET型号是2N4117A,漏电流0.2pA

那么,正确图应当是下面这样吗?请6楼再指教。


作者: Wxy8030    时间: 2012-5-4 14:43
楼主能否公开一下 MOS的型号?
作者: Wxy8030    时间: 2012-5-4 14:59
6楼的回答让我收益非浅!

因为工作中极少用到 JFET ,所以对这东西还真不了解!
作者: Nuker    时间: 2012-5-4 15:01
再强调一句,不是MOS FET,而是J-FET
来一个BB公司1980年的文章:DIODE-CONNECTED FET PROTECTS OP AMPS

出处:http://www.ti.com/lit/an/sboa058/sboa058.pdf

作者: Wxy8030    时间: 2012-5-4 15:13
楼主图中的运放 是否为 TL06X ?
作者: xuande    时间: 2012-5-4 15:16
多谢10楼!

多日的疑问,终于找到依据了。

高阻的运放品种很多,10楼的文档就提供了好几种。我们用AD8065。
作者: dory_m    时间: 2012-5-5 08:11
学习!!!
作者: ddqq    时间: 2012-5-5 08:36
JFET做二极管用
作者: brahen    时间: 2012-5-5 08:43
gzhuli 发表于 2012-5-4 13:58
有话补充就回帖,不要编辑在1楼,看帖通常都会往下看新回复,不会回头细看上面的帖子。

JFET G对D/S的特性 ...

咕唧霖太犀利了。
作者: gzhuli    时间: 2012-5-5 08:48
xuande 发表于 2012-5-4 14:40
6楼说得靠谱。
这台仪器是测量pA电流的,普通二极管是不能用的。

应该是这样的。顺便把MOS1/MOS2也改了吧。
作者: xuande    时间: 2012-5-5 09:58
图肯定是要改的。
还有问题不明白,请gzhuli说明一下:
即使G对DS和二极管一样,有0.6v压降,但通过的电流能有多大?
看10楼上传TI的文档,压降超过0.6v时,通过电流依然是非常小的,
似乎只有fA级的电流,和绝缘差不多,这能起到保护作用吗?



作者: gzhuli    时间: 2012-5-5 10:20
xuande 发表于 2012-5-5 09:58
图肯定是要改的。
还有问题不明白,请gzhuli说明一下:
即使G对DS和二极管一样,有0.6v压降,但通过的电流 ...

那个是VDG,反向漏电流。正向最大电流手册有, 我记得2N4117A的IGD是50毫安吧。
作者: holycat    时间: 2012-5-5 15:54
10楼Nuker提供了一篇很好的资料,谢谢!
作者: huayuliang    时间: 2012-5-5 16:50
gzhuli 发表于 2012-5-4 13:58
有话补充就回帖,不要编辑在1楼,看帖通常都会往下看新回复,不会回头细看上面的帖子。

JFET G对D/S的特性 ...

用1N4148和2N5197做了下比较,5V/0V的电源轨,两个电路都用的1k电阻。

1N4148的漏电流在nA级,2N5197的在pA级。。。3个数量级啊。。。
作者: gzhuli    时间: 2012-5-5 18:18
huayuliang 发表于 2012-5-5 16:50
用1N4148和2N5197做了下比较,5V/0V的电源轨,两个电路都用的1k电阻。

1N4148的漏电流在nA级,2N5197的 ...

肖特基的漏电流在uA级……
作者: IamPolaris    时间: 2012-5-6 01:47
看来电子电路这部分里面的学问还真是深不可测呀,这样的用法也可以……
作者: hb1012    时间: 2012-9-6 15:52
今天遇到运发输入保护的电路,进来学习了,多谢6楼和10楼的朋友
作者: gallle    时间: 2012-9-6 15:58
记号,留用
作者: terencechang    时间: 2012-9-6 16:03
markkkkkkkk
作者: jimmy_xt    时间: 2012-9-6 17:24
这么做也可以

作者: zhanyanqiang    时间: 2012-9-6 17:40
好帖子,MARK下~~~
作者: jlhgold    时间: 2012-9-6 18:13
咕老真的是啥都知道啊!学习了!
作者: xidao    时间: 2013-4-15 11:00
Nuker 发表于 2012-5-4 15:01
再强调一句,不是MOS FET,而是J-FET
来一个BB公司1980年的文章:DIODE-CONNECTED FET PROTECTS OP AMPS

太赞了,谢谢!
作者: xidao    时间: 2013-4-15 11:00
jimmy_xt 发表于 2012-9-6 17:24
这么做也可以

这个电路能讲讲吗?谢谢。
作者: jimmy_xt    时间: 2013-4-15 11:41
xidao 发表于 2013-4-15 11:00
这个电路能讲讲吗?谢谢。

运放组成一个电压跟随器。
正常情况下CR100的2-1脚之间和2-4脚之间电位差很小(取决于运放电压跟随的精度),漏电流也很小。
作者: lookatu    时间: 2013-9-20 18:37
涨见识了
作者: ST_ATMEL_NXP    时间: 2013-10-8 11:18
MAKR!!!!!!!!!!!!!
作者: 金牛AKI    时间: 2013-10-8 11:24
帮你顶顶吧  不懂 我是来看高手解答学习的
作者: cxning    时间: 2013-10-8 11:25
学习了!
发现太多模拟不懂了
作者: sync765    时间: 2013-10-8 11:32
确实很少见
学习了
作者: fiddly    时间: 2013-10-8 11:39
涨姿势了!
作者: wochai    时间: 2013-10-8 11:57
厉害,又学到了
作者: liyu7788962    时间: 2013-10-8 12:54
张知识了
作者: tang0571    时间: 2013-10-8 13:09
学习了!mark!
作者: ziruo2002ab    时间: 2013-10-8 13:11
一不小心又学到点东西
膜拜大师!
作者: Pjm2008    时间: 2013-10-8 13:33
jimmy_xt 发表于 2012-9-6 17:24
这么做也可以

仍然是二极管保护,只是两个管串在起了,漏电流还是比J-FET漏电要大
作者: zkcheng606    时间: 2013-10-8 13:51
涨知识了,谢谢妇科圣手。
作者: jimmy_xt    时间: 2013-10-9 14:00
Pjm2008 发表于 2013-10-8 13:33
仍然是二极管保护,只是两个管串在起了,漏电流还是比J-FET漏电要大

正常工作时,漏电流来自运放的输出,对输入影响很小。
作者: JnzGoto    时间: 2013-10-9 14:10
又学到东西!
作者: mainbp    时间: 2013-10-9 18:02
进来学习了,多谢6楼和10楼的朋友
作者: kihell    时间: 2013-10-9 19:23
gzhuli 发表于 2012-5-4 13:58
有话补充就回帖,不要编辑在1楼,看帖通常都会往下看新回复,不会回头细看上面的帖子。

JFET G对D/S的特性 ...

請問大神,DS短接豈不是相當於兩個二極管麼
作者: hzpyl    时间: 2013-10-9 19:44
gzhuli 厉害
作者: 气球    时间: 2013-10-9 20:01

作者: uzufk    时间: 2013-10-9 20:18
JFET做二极管用, 第一次听说,学习了!
原来,JFET也可以这么用!
作者: xiaoliequan    时间: 2013-10-9 20:31
学习中,高手还是不少呀!
作者: dongmakuaibu    时间: 2013-10-9 22:23
厉害,又学到了
作者: 673104326    时间: 2013-10-10 09:26
学习。。。。。。
作者: jdw924    时间: 2013-10-10 10:03
长知识了,标记一下
作者: hecb999    时间: 2013-10-10 12:57
学习,J-FET还真没用过
作者: aaa8001    时间: 2013-10-10 13:01
学习!!!
作者: root    时间: 2013-10-10 15:22
古大师和Nuker真厉害,涨姿势了
作者: jz701209李    时间: 2013-10-10 19:37
长知识了,谢谢大师
作者: lan_lingshan    时间: 2013-12-20 20:21
本帖最后由 lan_lingshan 于 2013-12-20 20:27 编辑
gzhuli 发表于 2012-5-5 08:48
应该是这样的。顺便把MOS1/MOS2也改了吧。


[attach]160595[/attach]

这个电路跟跟楼主的很相似,但是好像图中的D24,D25方向跟楼主的方向不对,应该功能是一样的!不太明白楼主电路中的DW1和DW2是干嘛用的?怎么分析呢!
作者: lan_lingshan    时间: 2013-12-20 20:23
在贴一个电路出来,有人是这样处理的,但是感觉麻烦很多!途中的JFET没有当做二极管使用!
[attach]160596[/attach]
作者: starsun    时间: 2013-12-28 16:25
这个可以保护,就相当于二极管,性能优于二极管
作者: zuomujie    时间: 2013-12-28 19:48
学习了,mos管
作者: 281313005    时间: 2014-4-2 15:58
学习了,JFET好像用到过
作者: GNMXD    时间: 2014-4-2 17:22
涨姿势了。。。
大师就是大师。。。
作者: amxx    时间: 2014-4-2 17:31
JFET当二极管使用,学习了
作者: Lauchael    时间: 2014-4-2 18:25
长知识啊,想当年用BAT54C做保护,在高温下对测量结果的影响,终身难忘。
作者: Krise@pasion    时间: 2014-11-28 21:40
向各位大神学习。
作者: fengbuding    时间: 2015-6-7 23:16
绝对长知识,向大神们学习
作者: kydl2345    时间: 2015-7-1 09:24
运放保护ADC电路 mark
作者: ouravr2012    时间: 2015-7-1 11:49
运放测试PA级电流,学习了,谢谢!
作者: mandylion2008    时间: 2015-7-1 14:39
嗯,解释和文档都不错,顶一个。
作者: bigk2000    时间: 2018-8-8 16:32
JFET G对D/S的特性就跟二极管一样,正向偏置时(箭头表示正偏方向,因此1楼的图确实是画反了)有大约0.7V的导通压降,反向偏置时截止,DS相接后JFET就变成了二极管。
JFET跟普通二极管的区别是漏电流小得多,普通二极管一般是nA级别,而JFET二极管则是pA级别,所以对漏电流要求严格的场合加箝位二极管就要用JFET。
作者: moouse    时间: 2018-8-8 16:57
学习了      
作者: fangyanpo    时间: 2022-6-1 01:18
受益匪浅,谢谢楼主。
作者: ibmx311    时间: 2022-6-1 07:02
其实我是觉得他测绘的时候就已经知道是jfet了,像2sk184 之类的老管子长得模样就和小mos不一样,小一点扁一点。你不会说那两个jfet是贴片的吧。
作者: tomzbj    时间: 2022-6-1 16:19
现在用BAV199之类超低漏电流的二极管就行了,还嫌漏电流大的话再加个有源箝位。
作者: king风    时间: 2022-6-10 23:02
二极管常见,这个保护第一次见,MARK!!
作者: xml2028    时间: 2022-6-11 14:14
此贴要学习
作者: weif40423p    时间: 2022-6-11 18:46
mark                 




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