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楼主: wanjun

MOS管温度太高,需要各位来拯救!

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出0入0汤圆

发表于 2010-12-7 19:31:52 | 显示全部楼层
这个电路设计有几个问题:1,作为电池供电电路,首先要考虑效率,
2:既然是电池供电,要考虑电池使用一段时间后的老化问题,如果电池一直工作在大的脉冲电流下,估计,可靠性是个问题。
3:既然负载是固定电阻,能否采取更为高效的电路?
个人意见:可否采用带有同步整流功能的DC-DC电路,使用工作效率较高的,这样热量、体积等都可以解决。控制可是使用DC-DC对应芯片的同步或者电压控制。

出0入0汤圆

发表于 2010-12-7 22:40:45 | 显示全部楼层
mos的驱动电压不够,Vgs>10V管子才会饱和导通,现在工作在线性区不发热才怪
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这句话怎么理解的啊

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2010-12-9 08:37:21 | 显示全部楼层
回复【100楼】lyrt
这个电路设计有几个问题:1,作为电池供电电路,首先要考虑效率,
2:既然是电池供电,要考虑电池使用一段时间后的老化问题,如果电池一直工作在大的脉冲电流下,估计,可靠性是个问题。
3:既然负载是固定电阻,能否采取更为高效的电路?
个人意见:可否采用带有同步整流功能的dc-dc电路,使用工作效率较高的,这样热量、体积等都可以解决。控制可是使用dc-dc对应芯片的同步或者电压控制。
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1、这个东西一般使用时间用几十秒,几十秒之后不用工作,所以电池不是长时间供电
2、同步整流功能的dc-dc,不能很了解,望这位兄台仔细说说

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2010-12-9 08:46:07 | 显示全部楼层
回复【98楼】holycat 仙猫
你自己又不生产电感,费劲算它干嘛呀?买来的电感都是有数据的。
(例:tdk产的“slf10145”型smd电感)

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多谢仙猫兄提示,我是想知道该电路需要选用多大的电感量的电感!

出0入0汤圆

发表于 2010-12-9 09:36:28 | 显示全部楼层
一个电感,在1KHz下,3A刚好没饱和,那在125KHz3A下难道也不饱和?

又:不是单纯电感量的问题

出0入0汤圆

发表于 2010-12-9 10:53:12 | 显示全部楼层
由波形图上看,GS下降沿时间过长,建议减小Rgs,10K的确太大,建议在1K以下甚至更小(频率高且电流大时要更小),如果更换Rgs后上升沿不理想的话,建议再增加G极驱动电压和电流。

出0入0汤圆

发表于 2010-12-9 11:27:34 | 显示全部楼层
在0.2欧发热元件的情况下,所有元件的等效电阻都需要好好考虑了。很多mosfet 100毫欧的导通电阻都已经显得非常大了,还不如用三极管,死死的压降呢,对驱动部分的要求也没有这么高。

出0入0汤圆

发表于 2011-11-22 20:16:58 | 显示全部楼层
mark!

出0入0汤圆

发表于 2011-11-22 21:22:32 | 显示全部楼层
关注

出0入0汤圆

发表于 2011-11-23 14:37:36 | 显示全部楼层
学习

出0入0汤圆

发表于 2011-11-27 22:52:34 | 显示全部楼层
同意 【106楼】 dhyana ,三极管还方便些。

出0入0汤圆

发表于 2012-2-6 13:56:03 | 显示全部楼层
回复【11楼】pcs3
mos的驱动电压不够,vgs>10v管子才会饱和导通,现在工作在线性区不发热才怪
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mos的驱动电压不够,vgs>10v管子才会饱和导通:
这个从哪里看出来的?5V也可以吧?

出0入0汤圆

发表于 2012-2-6 19:05:38 | 显示全部楼层
回复【楼主位】wanjun
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电感引起

出0入0汤圆

发表于 2012-2-6 19:58:55 | 显示全部楼层
PWM沿不够陡峭所致,在输入端加并联CMOS反相器。可用六反相器,3只一组并联,共两组,然后这两组再串联。

出0入0汤圆

发表于 2012-2-6 21:23:14 | 显示全部楼层
PWM占空比多少 ?

出0入0汤圆

发表于 2012-2-22 14:49:23 | 显示全部楼层
回复【86楼】wanjun
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那个下啦10K 电阻 会不会让 管子关断速度变慢呢? 为啥不用 推挽呢?

我是新手。。。。校园党 只是个自己不懂的问题 不是建议!! 忘懂的教下

另外 频率和 电感 怎么相配????

出0入0汤圆

发表于 2012-2-22 16:30:41 | 显示全部楼层
简单的电路最能考验基本功,楼主位的图片问题太多
1 电感位置不对
2 电感没有吸收电路
3 被电感绑架,其实电感是可设计的,不可能只能工作在125Khz以上
4 驱动电压不足 ,一般驱动电压4.7V以上,你竟然用5V
5 驱动电流不足,一般来说100Khz以上的mosfet驱动应该使用安培级的电流驱动
6 没有保护电路实现保护,mosfet损坏后问题很严重。


改进意见,重新设计电感,使工作频率工作在10KHz以下,会有效增加效率,但体积和成本会有所增加。当然也可以尝试无电感工作
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说得真好。
1.电感位置肯定要放在电源端
2.频率最好降下来,不然功耗会较多的耗在mos的上升下降沿,跟导通电阻关系不大。
3.另外pwm的驱动能力应该不够,r2改小(几欧就行)。估计pwm驱动电压也不够(没看mos的datasheet,偷懒了)。
4.续流二极管用肖特基。

出0入0汤圆

发表于 2012-2-24 21:14:37 | 显示全部楼层
回复【19楼】lsea
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电感两端加入反向二极管。
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