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STM32H743读写NAND FLASH数据错位的问题

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eagle_avr

出0入0汤圆
发表于 2020-9-18 22:36:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
STM32H743+W29N01

测试时，将128个数写入到nand中，然后在读出来，发现读出的数据与写入的数据相差一个字节。有没有大神碰到过这种问题。
写入的数据，放在RAM里：


读出的数据，也放在RAM里：

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eagle_avr

出0入0汤圆
 楼主| 发表于 2020-9-18 22:40:55 | 显示全部楼层
写入128个字节，读出的是同一地址的129个字节。看起来像Tr时间没有给够，但是我在代码中有对RY/#BY是做了判断的





  3.         res=NAND_WaitRB(0);                //等待RB=0
  4.        
  5.         if(res)
  6.                 return NSTA_TIMEOUT;        //超时退出
  7.        
  8.         res=NAND_WaitRB(1);                //等待RB=1
  9.        
  10.         if(res)
  11.                 return NSTA_TIMEOUT;        //超时退出
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lizujian

出0入0汤圆
发表于 2022-1-6 12:22:12 | 显示全部楼层
需要配置MPU区域给FSMC 0x80000000开始的地址。
我这H7的FSMC时钟设置越低出现错位越密集，高了反而好一点。参考ST文档AN4838
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