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BGA下面的去耦电容摆放有什么技巧吗?摆放电容用了一上午时间

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出0入137汤圆

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发表于 2024-3-20 11:26:06 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
很多密度大的板子用0201,这个板子用了0402,费劲啊
另外现在IC设计还是必须用退耦电容吗?工艺没有突破吗?

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

曾经有一段真挚的爱情摆在我的面前,我没有珍惜,现在想起来,还好我没有珍惜……

出90入372汤圆

2
发表于 2024-3-20 11:47:31 | 只看该作者
旁路 去耦 电容我一般就近的原则,再结合方便走线来放置

出0入0汤圆

3
发表于 2024-3-20 12:39:51 来自手机 | 只看该作者
Xilinx 7系列fpga内置去耦电容了,需要外置的不多

出0入26汤圆

4
发表于 2024-3-20 15:28:07 来自手机 | 只看该作者
用贯穿式电容器节约电容数量,参考murata NFM系列

出0入0汤圆

5
发表于 2024-3-20 16:52:41 | 只看该作者
lizengmao 发表于 2024-3-20 15:28
用贯穿式电容器节约电容数量,参考murata NFM系列
(引用自4楼)

为啥这种电容可以节约电容数量?

出0入8汤圆

6
发表于 2024-3-20 17:46:44 来自手机 | 只看该作者
zkf0100007 发表于 2024-3-20 12:39
Xilinx 7系列fpga内置去耦电容了,需要外置的不多
(引用自3楼)

are you sure?哪款?

出105入79汤圆

7
发表于 2024-3-20 17:49:52 | 只看该作者
罗小蘑菇 发表于 2024-3-20 16:52
为啥这种电容可以节约电容数量?
(引用自5楼)

由于用穿心电容可以确保去耦合路径经过电容,一个效果等于两个。

出20入128汤圆

8
发表于 2024-3-20 22:51:03 | 只看该作者
qwe2231695 发表于 2024-3-20 17:49
由于用穿心电容可以确保去耦合路径经过电容,一个效果等于两个。
(引用自7楼)

东西是好东西,但是遇上缺货潮就要哭死了~~

出0入0汤圆

9
发表于 2024-3-21 08:44:06 | 只看该作者

当然确定
查看UG483
Some 7 series devices require fewer PCB capacitors because high-frequency ceramic
capacitors are already present inside the device package (mounted on the package
substrate)

出0入91汤圆

10
发表于 2024-3-21 08:49:09 | 只看该作者
和上面一样  就近电源脚摆,   实在摆不下  可以合并几个

比方说 挨得很近的 4个 100nf  电容, 可以合并成 一个 470nf  +10nf 电容 ,诸如此类 (实在摆不下的情况)

但是最好还是 按照参考设计那样 每个脚都耦合到

出95入8汤圆

11
发表于 2024-3-22 23:34:47 来自手机 | 只看该作者
本帖最后由 zzsczz 于 2024-3-22 23:39 编辑

只要芯片需要供电,电源部分肯定需要去耦合电容的,具体地点是  和参考平面不同极性的电源输入脚附近。

以GND为 reference plane,电容放vdd/vcc脚附近,
大厂芯片的  硬件设计指南  有介绍的。


以VCC为reference plane,电容放GND脚附近,

比如

https://eevblog.com/forum/fpga/4-layer-board-for-zynq-and-ddr3/


"The bottom layer is a VCCDDR plane in the DDR3 area, and ground plane elsewhere. DDR3 traces are routed on 2 layers, top and in2, and all traces go over solid ground or power planes. You can see the many stitching caps that tie the VCCDDR plane to ground."

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