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标题: 寻NMOS高边驱动可靠电路 [打印本页]

作者: xiepan2010    时间: 2016-4-23 22:36
标题: 寻NMOS高边驱动可靠电路
准备做个一键开机的电路  但是Pmos电流太小了   Nmos放低边又不安全  板子一直带电

有没有可靠的高边驱动电路    把NMOS放高边  


作者: ccstc    时间: 2016-4-23 22:37
单片机的输出保持信号变成振荡输出自举升压开启不就行了
作者: xiepan2010    时间: 2016-4-23 22:39
ccstc 发表于 2016-4-23 22:37
单片机的输出保持信号变成振荡输出自举升压开启不就行了

能不能上个电路学习下
作者: 饭牛牛    时间: 2016-4-23 22:51
需要多大的电流?
作者: migrant    时间: 2016-4-23 22:56
开机电路,直接上拉就可以了吧
作者: xiepan2010    时间: 2016-4-23 23:04
饭牛牛 发表于 2016-4-23 22:51
需要多大的电流?

20a以上
作者: sbusr    时间: 2016-4-23 23:55
20A电流,至少要40A以上的MOSFET,这样的MOSFET有不少。IR有一些用于MOSFET驱动的芯片吧,IR21xx什么的。
作者: 61797826    时间: 2016-4-24 12:26
单片机输出方波 电荷泵倍压后驱动高侧nmos
优点是死机还能自己关掉。。缺点是静态耗电会变大。。和过大电流时导通关断瞬间线性比较长,mos容易烧
作者: dboyzju    时间: 2016-4-24 12:46
ccstc 发表于 2016-4-23 22:37
单片机的输出保持信号变成振荡输出自举升压开启不就行了

请问,如果高边的NMOS驱动使用了带自举电容的驱动电路,为了保证一直开启,单片机输出的信号应该是一直高电平还是振荡的信号???或者说单片机的控制信号一直输出有效电平,经过自举电路后输出的驱动电压能够一直保持NMOS导通吗?
作者: zxq6    时间: 2016-4-24 13:08
电流不够,并啊
作者: kebaojun305    时间: 2016-4-24 14:03
电源分2组,控制电路一组,用pmos ,功率部分用nmos 自居升压。
作者: bg3mo    时间: 2016-4-24 14:35
dboyzju 发表于 2016-4-24 12:46
请问,如果高边的NMOS驱动使用了带自举电容的驱动电路,为了保证一直开启,单片机输出的信号应该是一直高 ...

肯定是振荡信号,维持高电平就没有自举了
作者: yuguoliang    时间: 2016-4-24 17:12
耐压多少?汽车电子里有高边开关,原来用过,太久了忘记型号了,英飞凌的
作者: john78    时间: 2016-4-24 19:05
光耦十隔离电源
作者: fuquan_dai    时间: 2016-4-24 19:54
IR的IR21xx  
作者: dboyzju    时间: 2016-4-24 20:08
bg3mo 发表于 2016-4-24 14:35
肯定是振荡信号,维持高电平就没有自举了

举个例子,我要用PWM信号来控制高边NMOS的导通与关断,但是高边NMOS驱动信号需要振荡,那我该如何来控制呢。既要保证控制信号有效,又要保证导通时间可调
作者: xiepan2010    时间: 2016-4-24 21:23
dboyzju 发表于 2016-4-24 20:08
举个例子,我要用PWM信号来控制高边NMOS的导通与关断,但是高边NMOS驱动信号需要振荡,那我该如何来控制 ...

自举驱动的没法100%占空比  这样电源利用率就低了

作者: xiepan2010    时间: 2016-4-24 21:31
stm8s10x 发表于 2016-4-24 21:29
要100%  只能升压,没别的办法

单独用个555之类的做电荷泵升压驱动行不行
作者: bg3mo    时间: 2016-4-25 20:02
dboyzju 发表于 2016-4-24 20:08
举个例子,我要用PWM信号来控制高边NMOS的导通与关断,但是高边NMOS驱动信号需要振荡,那我该如何来控制 ...

自举的震荡信号最好和pwm的信号分开,只有设计上和实际pwm信号特殊的情况下才能公用于自举电路。
作者: dboyzju    时间: 2016-4-25 21:18
bg3mo 发表于 2016-4-25 20:02
自举的震荡信号最好和pwm的信号分开,只有设计上和实际pwm信号特殊的情况下才能公用于自举电路。 ...

哦,那控制用的PWM信号可以加在高边NMOS驱动电路上吗?还是说因为自举的关系只能加在低端驱动电路上?
作者: bg3mo    时间: 2016-4-25 22:49
dboyzju 发表于 2016-4-25 21:18
哦,那控制用的PWM信号可以加在高边NMOS驱动电路上吗?还是说因为自举的关系只能加在低端驱动电路上? ...

pwm可以通过图腾柱来直接驱动高端Nmos,图腾柱的上供电端接自举升压后的高电压
作者: dboyzju    时间: 2016-4-26 21:28
bg3mo 发表于 2016-4-25 22:49
pwm可以通过图腾柱来直接驱动高端Nmos,图腾柱的上供电端接自举升压后的高电压 ...

PWM工作过程中,不断开关会消耗自举电容的电量,从而使VGS电压逐渐降低,也就是说只能提供有限时间有限开关次数的消耗,这样是不是就需要工作一段时间之后就需要给自举电容充一次电呢?
作者: zhanan    时间: 2016-4-26 23:01
多高的电压?
电压不高,电荷泵驱动最简单,如MIC5014
电压高,用高频变压器隔离驱动,用30~60khz的高频驱动,次级整流滤波稳压管限幅直接驱动MOS管
作者: ackyee    时间: 2016-4-26 23:04
IR2104
作者: 孙为    时间: 2016-4-28 15:29
PMOS就没有满足你要求的,使用NMOS做高边驱动,太化不来了,自举又达不到你的效率,升压的话,似乎又……
作者: gsq19920418    时间: 2016-4-28 15:50
百度查下自举电路,利用电容两端电压不突变,二极管防倒流的原理,提高电容一端的电压。
作者: bg3mo    时间: 2016-4-29 19:48
dboyzju 发表于 2016-4-26 21:28
PWM工作过程中,不断开关会消耗自举电容的电量,从而使VGS电压逐渐降低,也就是说只能提供有限时间有限开 ...

自举电路有单独的震荡,持续不断地产生高压,只要元件参数合适,完全能保障一定的电压值,设计合理,不会受你pwm开关影响的
作者: hanbreen    时间: 2016-4-29 20:07
john78 发表于 2016-4-24 19:05
光耦十隔离电源

想到一块了!
作者: vows    时间: 2016-4-29 20:38
磁隔离,光耦隔离,隔离变压器和隔离电源
作者: 冷月无声    时间: 2016-4-29 21:10
类变频器的,都用光耦
作者: LI高边驱动    时间: 2023-5-10 11:24
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作者: tomzbj    时间: 2023-5-10 16:21
要么就用TLP190/TLP3906之类的光伏输出光耦, 光耦可以直接驱动高端NMOS管, 电路超级简单.

缺点: 1. 贵 2. 响应慢
作者: jaywen    时间: 2023-6-6 18:03
tomzbj 发表于 2023-5-10 16:21
要么就用TLP190/TLP3906之类的光伏输出光耦, 光耦可以直接驱动高端NMOS管, 电路超级简单.

缺点: 1. 贵 2.  ...
(引用自34楼)

你好 请教下。我用光耦 高边驱动的 nmos   功率大了   光耦吸收了大部分的电压  导致  mos没有完全导通 而发烫 。这是为什么了?  光耦用的 TLP291   pwm 控制 频率 1k

作者: tomzbj    时间: 2023-6-6 21:49
jaywen 发表于 2023-6-6 18:03
你好 请教下。我用光耦 高边驱动的 nmos   功率大了   光耦吸收了大部分的电压  导致  mos没有完全导通  ...
(引用自35楼)

用普通光耦驱动高边MOS? 光耦的供电从哪来?
作者: jaywen    时间: 2023-6-6 22:11
tomzbj 发表于 2023-6-6 21:49
用普通光耦驱动高边MOS? 光耦的供电从哪来?
(引用自36楼)

24v 稳压到  15v   然后给光耦那边 vcc 供电  
作者: jaywen    时间: 2023-6-6 22:16
tomzbj 发表于 2023-5-10 16:21
要么就用TLP190/TLP3906之类的光伏输出光耦, 光耦可以直接驱动高端NMOS管, 电路超级简单.

缺点: 1. 贵 2.  ...
(引用自34楼)

这两个型号的光耦为啥可以直接驱动了? 我看手册好像和普通的没有什么区别耶

作者: zzjjhh250    时间: 2023-6-6 23:09
直接用高边开关,不差钱
作者: tomzbj    时间: 2023-6-7 16:05
jaywen 发表于 2023-6-6 22:11
24v 稳压到  15v   然后给光耦那边 vcc 供电
(引用自37楼)

高端开关的话需要隔离供电啊, NMOS导通时栅极电压是高于VCC的, 你再仔细看看
作者: tomzbj    时间: 2023-6-7 16:06
jaywen 发表于 2023-6-6 22:16
这两个型号的光耦为啥可以直接驱动了? 我看手册好像和普通的没有什么区别耶
...
(引用自38楼)

这俩是光伏输出啊, 你仔细看看, 如果不是光伏输出的话你NMOS必须得有辅助电源才行
作者: qwe2231695    时间: 2023-6-8 00:44
直接用:栅极驱动IC
作者: 国产高边    时间: 2023-12-4 16:12
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作者: Momo    时间: 2023-12-4 16:16
隔离电源模块,次级以S为地,抬升Vgs
作者: 国产高边    时间: 2023-12-6 17:16
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作者: 18566202629    时间: 2024-1-2 15:23
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作者: qwe2231695    时间: 2024-1-4 00:16
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