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标题: 求一份 Pspice 模型语法基础教程 [打印本页]

作者: zhula 时间: 2019-8-3 19:09
标题: 求一份 Pspice 模型语法基础教程
想要学习详细的Pspice模型语法，用来阅读模型参数和仿真高速模型，有没有人知道应该去哪里找学习资料呢？

一个MOS的模型语句举例如下：

.SUBCKT M2SK3405 1 2 3
**************************************
*    Model Generated by NEC       *
*       All Rights Reserved       *
*Commercial Use or Resale Restricted *
**************************************
* Model generated on December 1, 2000
* MODEL FORMAT: SPICE2G.6
* POWER MOSFET Model (Version 3.0)
* External Node Designations
* Node 1 -> Drain
* Node 2 -> Gate
* Node 3 -> Source
***************************************
M1  4 5 3 3 NMOS W=2.953856 L=0.6u
DDS 3  1 DDS
CGS 5  3 2.391E-10
RG 2  5 2
RD 1  4 RTEMP 1.257E-3
FGD 1  5 VFGD 1
EVGD  7  0 1 5 1
DDG1  8  7 DD1
DDG2  8  0 DD1
EGD1  9  0 7 8 1
EGD2 10  0 8 0 1
COX  10 11 1.21452E-9
DCRR 11  9 DDG
VFGD 11  0 0
**************************************************************************
.MODEL  NMOS    NMOS  (LEVEL  = 3          TOX = 500E-10
+ XJ    = 2.5E-6       LD    = 0          WD    = 0
+ TPG = 1             RS    = 1.2E-3    RD    = 1.3E-3
+ RG    = 0             NSUB = 3.25E17    IS    = 0
+ UO    = 600          KAPPA  = 2
+ NFS = 0.75E12       THETA  = 0.3
+ ETA = 0
+ KP    = 31.5E-6       PHI = 0.84
+ CGSO = 0             CGDO = 0          CGBO = 0
+ XQC = 1.0          AF    = 1          CBD = 0
+ CBS    = 0             CJ    = 0          CJSW = 0
+ FC    = 0.5          JS    = 0          KF    = 0
+ MJ    = 0.5          MJSW = 0.33       PB    = 0.8
+ RSH = 0)
*************************************************************************
.MODEL DDS D (CJO=1.14085E-9 VJ=0.721133315 M=0.418896744
+RS=0.004085901 IS=1.000E-10 TT=11.8E-9 N=1.156105277 BV=30)
*************************************************************************
.MODEL DDG D (CJO=1.12397E-9 VJ=0.798110397 M=0.415806955 IS=1E-32 N=50 FC=1E-8)
*************************************************************************
.MODEL DD1 D (CJO=0 N=1)
*************************************************************************
.MODEL RTEMP RES (TC1=0.009242534 TC2=3.45495E-6)
*************************************************************************
.ENDS M2SK3405

作者: zjykwym 时间: 2019-8-3 19:17
高速电路用的是hspice或s参数，IBIS模型，IBIS是行为模型。如果你不是器件厂商不建议去了解这些参数。

作者: zhula 时间: 2019-8-3 20:04

zjykwym 发表于 2019-8-3 19:17
高速电路用的是hspice或s参数，IBIS模型，IBIS是行为模型。如果你不是器件厂商不建议去了解这些参数。 ...

嗯好像不容易掌握这个语言，我还是直接下载模型比较好

作者: chensi007 时间: 2019-8-3 21:09
是英文的网站. 里边很多SPICE语法.可以看看.另外DIODES的官网里边很多SPICE语法的详细说明. LTSPICE的帮助文档里边也有.

http://www.ecircuitcenter.com/Circuits/
http://www.ecircuitcenter.com/SPICEsummary.htm

作者: chensi007 时间: 2019-8-3 21:11

zhula 发表于 2019-8-3 20:04
嗯好像不容易掌握这个语言，我还是直接下载模型比较好

稍微了解一下也挺好. 直接下载的话就算是MOS你至少得知道GDS各个引脚或者运放的引脚排列规则嘛.

作者: newlife2lyf 时间: 2019-8-3 21:35
链接：https://pan.baidu.com/s/1qJx1mk1c73xP0xcmbSw1qA 提取码：xbb2

作者: zhula 时间: 2019-8-4 12:13

chensi007 发表于 2019-8-3 21:11
稍微了解一下也挺好. 直接下载的话就算是MOS你至少得知道GDS各个引脚或者运放的引脚排列规则嘛. ...

感谢大神详细解答！！

作者: zhula 时间: 2019-8-4 12:13

newlife2lyf 发表于 2019-8-3 21:35
链接：https://pan.baidu.com/s/1qJx1mk1c73xP0xcmbSw1qA 提取码：xbb2

非常感谢

作者: chenxin2015 时间: 2019-8-8 12:04
非常感谢。做个记号！

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