高性能分立元件H桥驱动（非自举电容升压，没有IR21XX的缺点PWM可维持在100%）

vivalite · 发表于 2008-5-25 12:10:50

电路图--小：

(原文件名:H-Driver_Active_ORG_s.png)

电路图--大：

(原文件名:H-Driver_Active_ORG.png)

仿真工程：（Multisim10）
点击此处下载 ourdev_292474.zip(文件大小:839K) (原文件名:H-Driver_Active_ORG.zip)

本电路继承了前贴我发的那个48V驱动电路低成本、可靠的优点，将驱动烦琐的自举升压电路换成了主动升压电路，这样驱动部分的可靠性可进一步提高、也能在上桥上加PWM且PWM也能等于100%了。

下面是一些注意事项：
1）如果你的电机工作电压低于等于12V可能需要调整上桥臂晶体管的工作状态。
2）升压电容C7要使用低ESR的。
3）D5 D6如成本允许应使用快恢复型二极管如FR157。
4）C8最好使用CBB电容，成本不允许可使用独石电容。
5）主滤波电容C11 C12必须是高频低阻电容，否则纹波容易引起发烫。
6）C9 C10耐压应是电源的至少一倍。
7）注意布线！！！尤其是高频部分（参考IR的一系列布线文档）

vivalite · 发表于 2008-5-27 08:04:38

再补充一点：这个电路运行时不需要先开下桥再开上桥。

vivalite · 发表于 2008-5-27 10:09:53

【3楼】 nomoneyiv
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这个电路不会出现你说的Vgs大于12V的情况。（在板试验过，示波器看Vgs最高压实际是12V）

我们可以这样分析：
上桥D1H接到开通指令，对C3和MOS管GS电容充电，Vgs电压是逐步提高的。

当Vgh电压达到Vth后MOS电阻大幅减小，MOS管S级电压也会快速上浮到48V，而我们高压端的电压只是48+12=60V，在Vgh上的压差是60-48=12V，完全在Vgh承受范围内。

如果你注意观察我的前一版电路的话，我在上桥上用了一个电容升压电路。正常工作时Q2的发射极上加的永远是48+12=60V，唯一不同的是本电路是主动升压，前一个电路是被动升压。

被动升压的缺点是启动时电机转速很低，升压效率不高，上桥很有可能因供电不足加上大电流发热烧毁；在主动升压电路里就不存在这种问题。

vivalite · 发表于 2008-5-27 17:31:19

【8楼】 nomoneyiv
楼主，你那个555去掉，用MCU的一路闲置PWM驱动，也是可以吧！
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当然可以。

MCU驱动一个三极管，三极管来接电容负端
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应该用图腾柱式驱动，2~3个管子

vivalite · 发表于 2008-5-27 19:33:40

重要更正：

刚发现由于Multisim的一个储存BUG，我在顶楼发的项目文件可能无法在Multisim里正常模拟，特此制作了一个修正版。

修正版里主要修正了XWG1、虚拟示波器等内容丢失的问题，尤其是XWG1的内容丢失会使4个MOS管同时打开，使电路仿真工作不正常或出错。

修正版还增强了主动升压电路的性能（由于疏忽，原电路升压部分使用的实为75%方波发生器，效率较低，现已改为效率最高的50%方波发生器）

完整项目文件下载：
点击此处下载 ourdev_294574.zip(文件大小:800K) (原文件名:修正后H桥驱动.zip)

主动升压部分增强前后对比图：

(原文件名:H-Driver_Active_ORG.png)

注：
减小R20可以提高升压频率。使用上桥输出PWM时升压部分的工作频率应大于等于PWM的工作频率才能保证电压充足(有一个折中办法可以既不用提高升压频率也也能保证上桥供给电压，但由于是某公司的专利我就不在这里提及了)。另当升压频率超过10KHZ时建议将C7换成无级性电容或高频电容。

vivalite · 发表于 2008-5-27 19:53:18

补充一个由MCU代替555的升压电路：

(原文件名:H-Driver_Active_ORG2.png)

由于三极管和二极管的压降缘故VM点电压应由原来的12V提高至14V。
MCU输出占空比需为50%才能保证电荷泵最佳升压效率。
如上桥不加PWM则MCU输出升压频率5KHZ足矣；上桥加PWM则MCU输出升压频率需至少为PWM频率。

项目文件：（略）

vivalite · 发表于 2008-11-13 14:34:46

只要你把散热做好了，长年累月100%占空比都行

vivalite · 发表于 2008-11-13 14:38:53

【20楼】 cowboy 

 

谢谢版主！ 

请教图中的电流支路会不会引发大电流使R2烧毁？ 

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这个电阻阻值需要配合频率计算的。如果计算不当确实会烧毁。

通常15K频率，75NF75管子用1/4W已经足够了

本贴被 vivalite 编辑过,最后修改时间：2008-11-13,14:39:54.

vivalite · 发表于 2009-1-6 14:13:32

35楼：

C1~C4的作用是：

1）吸收干扰

2）降低开通速度但关断速度基本维持不变（减小门级高频震荡同时也作为同步续流驱动的安全措施之一）

vivalite · 发表于 2009-1-8 07:42:59

降低开通速度降低dv/dt、减少耦合到对管门级上的电压，可避免极端情况下对管的误开启（极端情况指大功率电机缺相、突然卡死等）。
同步续流也有人叫同步整流，具体原理谢渊斌先生的文章有详细介绍。

vivalite · 发表于 2009-4-8 09:00:31

46楼：限流用的，防止开通速度过快造成Vds振铃进而Vds超压雪崩击穿
47楼：基本不用改
48楼：一般都用1N4744，我画ZPD15是想突出是15V稳压管

vivalite · 发表于 2009-4-13 04:27:05

升压用的频率主要看你的PWM频率和切换频率。如果你是用上管做斩波的这个频率不能太低，如果仅仅是上管输出对应的开通状态就不需要太高的频率，10几K就可以了。

注意这种推动电路置低是开通，置高是关闭，全部置低就是上下桥短路，可以看烟火了。

开机D1H/L D2H/L全部置高电位
电机转向1：D1H低 D2L低（其他高）
电机转向2：D1L低 D2H低（其他高）
再生制动：D1L D2L 同时输出从0%-90%的逐步上升PWM（其他高）-- 其实就是逐步短路电机，利用再生电能刹车。

vivalite · 发表于 2009-4-14 05:41:10

急停电流很大，要限流。用反转的方式产生反向力矩来刹车，PWM从0开始起调，同时检测电流，将电流控制在功率管的安全范围内就行。

vivalite · 发表于 2009-4-15 10:18:23

电机是55W的36V，一个板子驱动一个电机，总共六个电机共同驱动。

用的是单片机控制，电源是从36v转换到12v再转换到5v供单片机用，我想问一下这个电路还需要把单片机单独供电、光耦隔离么？

要是加限流，那采样电阻应该加在什么地方呢？Q7,Q10接地那个地方么？

上次用的是继电器换向一个MOS管做调速，直接与单片机连接的，只要一快速换向单片机就挂掉了，怀疑是电机对它的干扰，最后加了光隔就没有问题了。

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不用光隔。要采样就在Q7 Q10接地的地方。
继电器释放时有反冲电压要用二极管释放，否则会打坏单片机。

vivalite · 发表于 2009-4-15 10:22:33

请教楼主或哪位兄弟:我按楼主的电路图接了一个实验电路.用来控制一个DC18V的电机.只要正转,反转, 和停止.不需要调速.所以没用PWM.4个输入端接的都是稳定的高电平(电源5V)或低电平(0V电源地).没接电机时,万用表测的电压是接近于 VS18V电压.(因为电机是18V,所以不同于图上的VS48V),但一接上电机,电压就下降到12V左右.且上桥臂MOS管发热严重.(感觉是上臂 MOS管未完全导通).测上臂MOS管VGS电压有5V的.不知问题在哪里!
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VGS 5V很不正常确定你的电路没错？！

vivalite · 发表于 2009-4-16 02:39:50

我没有说50%的方波是PWM，555输出的50%方波是用来升压的，和驱动电机的PWM无关（驱动电机的PWM可以从0%-100%）

vivalite · 发表于 2009-5-7 12:56:49

用降压电路降压就有12V了
LM317...开关电源等等均可

vivalite · 发表于 2009-5-11 02:35:30

这是叠波升压，又叫电荷泵。在高压小电流应用里很普遍（如高压电棒、电蚊器等）。

就是先把直流电转为交流电，再用电容和二极管载波的方式让电压叠加，再整流成直流来，自然电压就升高了。

vivalite · 发表于 2009-5-15 01:02:49

输入端用大功率电阻分压就行了
如果觉得效率低的话用开关电源降压

vivalite · 发表于 2009-7-28 11:59:00

【79楼】 jiercathy

检查你的电路和驱动逻辑。上桥三极管不要搞错。负载一定要接，动力电源调试时可以采取小电流稳压电源以防烧管

vivalite · 发表于 2009-8-4 06:24:53

楼上，图后来在11楼改正过，不知道你用的是哪个版本。1楼的555参数计算是有错误的。
电荷泵输出电流不高，可以在输出段接电容储能解决。

vivalite · 发表于 2009-9-18 06:45:00

Vgs最好调到10V，损耗比和8.5V小10%左右。不过如果你的电机功率不大控制器发热量也不大就没太大必要去调。

如果你的电机小于500W很多可以减小C3 C2或加大R2 R5，这样同样可降低上桥驱动功耗。
在不改任何器件参数的情况下，上桥只输出开通关断信号而由下桥输出调制信号，可以大大降低上桥驱动功耗并大幅提高上桥驱动电压、降低上桥发热。

vivalite · 发表于 2009-9-19 18:22:31

C11 C12是高频低阻电容，用于克服直流母线的电感效应，平滑母线电压。算法涉及到电机换向频率、载波占空比、电感量等，由于较复杂不详细写了。

13V是空载电压。电机运转时上桥驱动电路会消耗一部分能量所以电压就降低了。

二极管是有压降的，1N4148是0.2V，在你的电路上正好9.1-8.9=0.2V

vivalite · 发表于 2009-9-22 05:42:14

别的办法就是做140V的电机，我想对电机厂来说不是难事。PWM频率一般15～20kHz，这个电路对上下桥做PWM还是电平控制没有任何限制

vivalite · 发表于 2009-9-24 03:05:17

可以，但这样功率管可能发热会比较大。

vivalite · 发表于 2009-12-9 23:29:31

看你电机功率多大了

vivalite · 发表于 2009-12-11 03:18:05

【119楼】 482271

不知道你想问的是什么。电机空转电流变化是不大的

vivalite · 发表于 2009-12-12 11:33:36

增加电流方法：
1.加负载
2.降低电压

vivalite · 发表于 2009-12-14 11:42:55

你的目的是什么？测试？

vivalite · 发表于 2009-12-18 11:56:53

上高频C7要用独石电容或高频低阻的电解电容。

PWM控制的是加在电机上的积分电压，要控制电流要从供电上想办法，比如用更大电流的电源。
你可以写一个转速电流闭环控制程序，空转转速降低了说明阻力加大，这时提高电压扭矩就加大，一旦空转转速恢复立即减小电压，这样可以动态适应负载时的大扭矩。

vivalite · 发表于 2009-12-19 02:21:41

C11 C12是用来给电机退耦的，可以适当减小（原电路是为400W电机设计的）但去掉的话直流总线上的峰值会增大，有可能击穿功率管。

vivalite · 发表于 2009-12-30 23:40:44

回复【140+141楼】dingwei
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你的电路工作前提是PWM_IN的电平也是12V。你的输入5V就需要做电平转换（具体请参考我顶楼电路的下桥实现方式）。

vivalite · 发表于 2009-12-31 10:29:52

回复【145楼】dingwei
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驱动频率应该大于正常人的听觉范围，避免听见尖叫声。所以比较合适的频率是20KHZ左右。

vivalite · 发表于 2010-1-7 11:22:33

回复【148楼】dingwei
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1.直流母线没有滤波电容吗？
2.栅极震荡，检查电源稳定度及布线。

vivalite · 发表于 2010-1-12 14:10:20

回复【150楼】rocket2003
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1.我这样做只是想用最少的原件实现低电位导通，如果你需要高电位导通可以从基极输入控制信号。
2.106楼说的方法无法做同步整流，电机续流电流会通过上桥功率管体二极管释放，因为功率管体二极管压降较大所以会产生比较大的热量。
3.前一帖不管使用上桥还是下桥输出PWM都会存在自举电容电位的问题，所以不管使用上桥还是下桥输出PWM都不能达到100%；我使用下桥PWM只是因为在我的单片机上这样实现同步整流方便些，除此之外没区别。
4.实际上这个电阻去掉也行的，但这样就需要写一个启动逻辑了，启动时要开上桥前先开下桥充电，充完后再开上桥。

vivalite · 发表于 2010-1-13 00:02:01

回复【153楼】rocket2003
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如果你驱动的是感性负载我还是建议同步续流，电流大的时候降低的上管发热量就明显了。
一般工业上的应用还是以上桥主动升压为主，这样避免了PWM不能为100%的弊病，降低了开关损耗(100%PWM)。

做模拟的时候如果没有加你的R4，我也观察到Vgs的震荡，但远没有你模拟出来的厉害，我比较怀疑是你的模拟软件初始参数有些问题。实际试验中观察到的GS震荡在1V以下时间短基本等于上管的体二级管反向导通恢复时间。我觉得这个现象出现是正常的，上管改变电流导通方向需要一段时间，在上管未恢复之前由电感产生的反电动势无处释放便会通过MOS寄生电容和GS电容部分耦合到G级，不过G级有放电用的三极管，可以保证上管不会误开启。加了R4以后反电动势的峰值从R4分流入地，G级上耦合到的电压就更小了。实际功率MOS管的VGH(th)都在2V左右，只要干扰低于这个值就不会有误开启的问题。R4会浪费电还会增加布线难度，所以除非使用传统自举电容否则最好去掉。

vivalite · 发表于 2010-1-26 00:19:38

回复【155楼】nano 纳诺
其实就是个电荷泵。
做电机驱动不知道如何，做开关电源的H桥驱动却不可以。
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这个电路做20KHz左右驱动频率的电机驱动是没问题的。

vivalite · 发表于 2010-2-3 08:09:59

回复【158楼】nano 纳诺
回复【156楼】vivalite
回复【155楼】nano 纳诺
其实就是个电荷泵。
做电机驱动不知道如何，做开关电源的H桥驱动却不可以。
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这个电路做20KHz左右驱动频率的电机驱动是没问题的。
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按VS=450V设计，你就知道了。
还有，开通时，对于米勒电容的充电，以及ZDP15的功率损耗都是限制高速的原因。还有有效占空比丢失（三极管的开关延迟）、C3上的损耗等等
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我只是说做低成本电机驱动是没问题的，做开关电源需要专业芯片。

vivalite · 发表于 2010-2-10 22:56:53

回复【164楼】asease416
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可以

回复【165楼】sdram
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48V 3A开通和关断时间3微秒左右（STP75N75），延迟未测量但应该比集成H桥大，所以不推荐做开关电源应用。

vivalite · 发表于 2010-2-25 00:21:27

回复【168楼】liuzhiy88
回复【楼主位】vivalite
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楼主的确高明啊，我现在有一个5A的直流电机要驱动，想用AVR单片机加放大来驱动，请问楼主有没有更简单的H桥驱动电路，最好有电路图，小弟谢谢了！

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找了一个：

(原文件名:onefet.gif)

R1 10K 1/4W
R2 10K 1/4W
R3 470 1/2W
R4 10K 1/4W
D1 1N4742A 12V 1W 稳压管
D2 ? 16A ?V 快恢复
Q1 MTH40N10 40A 100V MOSFET
Q2 2N3906
Q3 2N3904

vivalite · 发表于 2010-3-18 12:12:23

回复【175楼】Ben12345
请问楼主，当信号端悬空的时候，G有可能误开启，是否需要加下拉电阻？另外关于死区保护，能否认为R2与C3构成积分电路使G极延时打开？
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信号端不要悬空，否则确实可能误开启。如果想关闭相应的MOS管可以接到VCC+5V上。
R2和C3的用途主要是控制开启速度和增强抗干扰能力，如果一定需要死区保护功能用单片机来实现比较简便。

vivalite · 发表于 2010-4-27 08:29:31

回复【184楼】dusir
好资料，谢谢楼主！
我的输入电压是DC140V，原来用2103驱动，偶尔爆MOSFET，很郁闷。请问楼主用这个电路的话，要做哪些改动呢？
由衷感谢！静候指教！
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指教不敢当

我觉得连2103都爆的话还是先检查一下你的电路/布线为佳，可能和布线有关。。。。

vivalite · 发表于 2010-4-27 08:49:52

回复【185楼】awfi
楼主,改成7.2V-9.V要怎么改啊.只要是想用来驱动遥控车的380电机.

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N-MOS的开启条件是栅极电位大于源级2V左右，但电位差不达到10V MOS管还是达不到最小导通电阻的。下桥的VM点要给升压后12V左右电压才能正常开通，但你的电源是7~9V，把下桥VM接到电源上可能下桥会有点热。改P-MOS可以适应低压设计，不过太麻烦了，不如你把电池改成12V的，这个电路基本就可以直接用了

vivalite · 发表于 2010-4-27 08:51:32

回复【186楼】awfi
楼主,如果电机是12V并在下桥加PWM,上桥可以用下桥的驱动电路吗?
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不行，这是NMOS的驱动原理决定的，不可以代换

vivalite · 发表于 2010-4-27 09:59:40

回复【187楼】yeutay
不是個好的設計:
1: Q15之BE難承受逆向;
改成D1直接反並BE,而 R2串聯AB腳。
2: C7 直通LM555-OUT也是承受不起48V逆向電压
或者電流。(新作也是同樣,12樓)
3:其它控端也是相同于2  ;雖無逆向過压,但都串接于射極(E)
  可能電流大,不知MCU有過電流否!
#以上缺失,由于是脈波PWM工作,零件不會立即壞掉,
  而是受損其壽命不長。
(对不起家里文書沒簡体字庫,去大陸玩那地陪也一直誇繁体字美觀,
但我比較認同非公文用簡体可以省时省手力)
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1.实验和大批量生产证明这个现象基本没发生过。虽说手册上Vbe不能大过-5V，但如果电流掌握得当不导致热击穿别说-5V了就连-50V都是没问题的。
2.电压不是问题，问题是电流。这种电路应用电流不会太大所以C7周边发热不会太厉害。（我承认会比较热，本文只是提供一个思路，由读者举一反三。我有个类似电路完全解决了发热问题但因为是职业作品所以就不能分享了）
3.过电流保护其实也不必担心。Q3发射级有限流电阻，开通电流只有2.3mA左右，4个MOS全开也只有9.2mA左右，低于一般MCU端口20mA的限制。
3.

vivalite · 发表于 2011-8-22 10:12:06

回复【305楼】aishiqi1992 小鸡
vivalite 老师，我还是不怎么明白，为什么三极管要用那种形式驱动啊？这种组合方式有什么优点啊？我用了这种电路，结果刚开始还能工作，之后就烧了。。。

我觉得我的这个电路已经够简单的了，很容易理解。。不知道问题已出现在哪。
还有你那个电容能形成死区吗？还是mcu产生死区的？
我就是想用两个io驱动h桥，让电路自己产生死区。
感谢老师的讲解！！
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你的这个电路是上P下N的结构，比较简单，只适用于低功率电机驱动。我还是建议使用上N下N的结构。
我的电路是完全靠MCU产生死区的，这么少的原件很难把死区功能也稳定可靠地做出来。

你的那2个晶体管本来就会产生都在线性区的状态，MOS P管N管栅极本身有不同的Vth，重叠的话也会短暂进入线性区。还有限流电阻10K太大了，开启关闭速度很慢，所以上下MOS管同在线性区的可能性很大，时间长就发热烧了。

vivalite · 发表于 2011-8-22 14:16:06

推挽管即使是对管也需要用晶体管图示仪配对才能达到最好效果，像8550 8050这些国产对管质量差异很大，又没有人工配对，非常可能上下管进入线性区的时间不一样。比如在某个中间电压值上上管已经开了而下管还没关闭，这样就短路了。你的MOS管也是同样的问题，再加上MOS管的内阻相当低，即使很短时间的短路都会把管子烧了的。

你发现的那个驱动波形图少了一个死区是我的一个小失误而已。我的实际电路里单片机对上下管都是有10us死区的。而且这个死区完全由单片机实现，所以电路上不需作任何改变。

你的上桥稳压管是错误的，应该换成电阻，比如1K电阻。P管需要和电源电压相同的偏置电压才能可靠关闭，你加个稳压管就变成12V了，关闭电压不够只能靠推挽给24V供电，但你的24V供电过来后又让下面的12V稳压管吃掉一半，这样上管一直处在半导通状态下，下管又全开，肯定烧了。

vivalite · 发表于 2011-8-23 10:50:21

回复【309楼】aishiqi1992 小鸡
回复【308楼】vivalite
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对了，为什么r7需要560这么小，我个人认为可以设计的很大都没问题，比如10k……
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R7是为Q8提供偏压的，你弄成10K，Q8关闭速度会很慢。。。

vivalite · 发表于 2011-8-28 15:35:47

回复【312楼】aishiqi1992 小鸡
回复【311楼】vivalite
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真的吗？这是不是三极管间的电容导致的？？我总觉得即使把那个电阻拆掉都没问题。
对了，我已经知道为什么推挽管不行的原因了，我又想了一个电路，老师帮看看这个行不行？

(原文件名:image00001.jpg)

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R2可以去掉，加快Q1导通速度

我的电路里51欧姆电阻和10NF电容是降低功率管开启速度，压制门震荡用的，震荡产生的高压可能造成误导通。这种设计通常出现在100W以上的电机驱动上。

vivalite · 发表于 2011-9-6 09:03:12

回复【316楼】www1519
注：
减小r20可以提高升压频率。使用上桥输出pwm时升压部分的工作频率应大于等于pwm的工作频率才能保证电压充足(有一个折中办法可以既不用提高升压频率也也能保证上桥供给电压，但由于是某公司的专利我就不在这里提及了)。另当升压频率超过10khz时建议将c7换成无级性电容或高频电容。
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vivalite 兄弟
能告诉我是什么专利吗？
我不想侵权，学习一下总还是可以的吧，
这个我懂的... ...
在此先谢谢您了！

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Panasonic的一种创新PWM Scheme，我手头资料找不到了，你可以去专利网站搜索。

vivalite · 发表于 2011-9-7 12:46:55

试过日本专利局没有？我记得是在日文专利网站上找到的。一半字加上图就能看明白了。

vivalite · 发表于 2012-5-1 11:50:12

wujie12341 发表于 2012-4-30 20:01
vivalite前辈您好，看了您的帖子，学生愚昧有两个问题还一直没理解
第一叠波升压，本设计升压是采用主动 ...

1. 原理都是开关电容升压，电路实现上一个采用一套主动元件给电容提供震荡电源，另一个被动使用MOS下桥得到震荡的电源。
2. 浮栅是指上桥栅极电位浮动在漏极电位+10V~+20V的工作状态。这个浮动在漏极+10~20V的电位可以是开关电容或其他DC-DC产生，甚至用电池产生也可以。只要有了这个电位上桥N管就能正常开启了。

vivalite · 发表于 2012-5-1 13:56:12

wujie12341 发表于 2012-5-1 00:37
谢谢vivalite前辈，现在您前天说的自举不能工作在PWM0%和PWM100%,而且存在开关效率问题。主动升压，人为 ...

笔误，是源级。
白光的设计比较好。第二个电路开启速度慢

vivalite · 发表于 2012-5-2 10:30:51

richards 发表于 2012-5-1 01:01
好东西不知道功率可以到多大

目前的参数1000W左右

vivalite · 发表于 2012-5-2 10:41:52

wujie12341 发表于 2012-5-1 01:11
谢谢vivalite ，学生愚昧关于这个电路还是没明白。
第一为啥慢呢，它的R、C都是一样的，可能在控制频率上 ...

1. 白光电路开启时电容直接通过D2放电开启功率管，第二个电路开启时需要经过一个3K电阻开通功率管，当然会慢一点，但是频率低的应用不会有明显差别。
2. 感性强的负载上的反电动势反向流过功率管如果没做同步整流的话会在功率管内部的二极管上产生一定热量，反电动势流入直流母线对电源反充电会造成电源发热，电源方面阻抗高的话还会造成直流母线电压升高，严重情况下过压损坏稳压器件，所以要在母线上加几个大吸收电容控制反电动势造成的直流母线过冲/欠冲。

vivalite · 发表于 2013-10-15 23:04:37

虫虫好发表于 2013-10-15 09:21
兄台你好，不知道兄台关于IR2101 IO+/- 130Ma/270ma IR2181 IO+/- 1.9/2.3A 他的这个IO 拉罐能力 ...

这样可以快速开关MOSFET或IGBT，最大限度降低上下桥臂直通的热损耗和功率器件开启关闭时的损耗。

vivalite · 发表于 2013-10-16 01:06:22

虫虫好发表于 2013-10-15 10:14
IR2101 传输延时 TON/TOFF 160NS/150NS 而IR2181 传输延时TON/TOFF180NS/220NS 这样是不是说明 IR ...

MOS管上的栅极寄生电容Cdg充放电需要时间，所以驱动电流越大充放电速度越快，波形更陡峭，功耗更低。如果没有死区的话上桥还没完全关闭下桥就进入开启状态，这样会造成瞬间直通短路热损。

vivalite · 发表于 2013-10-17 00:41:38

虫虫好发表于 2013-10-16 09:30
谢谢兄台这么详细的解释，不知道兄台对MOSFET的选型尤其是过流能力有没有研究，怎么根据VGS 得知MOSF ...

MOS选型就复杂了，不好解释。一般TO220封装引脚连续过流能力也只有22A左右，必要时需要并联几个MOS。另外电路板铜皮厚度和线宽也要根据电流对应计算。

vivalite · 发表于 2013-10-18 01:01:16

虫虫好发表于 2013-10-17 09:20
非常赞同兄台提的这个引脚过流能力这个词就那么点接触面积瞬时能过几十安培我很怀疑也许是我见到 ...

过孔、70um铜皮、镀锡、加焊铜线排是主要的增加线路板载流能力的方法。那些号称几百A的电调只是瞬间能达到几百A，持续电流的话20A也许都到不了。

vivalite · 发表于 2014-3-1 01:00:45

虫虫好发表于 2014-2-28 07:49
兄台你好，想请教个关于带霍尔的无刷电机问题，在做PID 调节的时候单P 调节的时候如果给定速速-反馈 ...

PID对干扰还是比较敏感的
电流采样上的干扰会对系统有很大影响，尽量改进电路/程序降低和过滤干扰吧

vivalite · 发表于 2014-3-3 04:03:15

要控制刹车电流的，要不一下就停了

高性能分立元件H桥驱动（非自举电容升压，没有IR21XX的缺点PWM可维持在100%）

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