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楼主 |
发表于 2010-4-27 09:59:40
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回复【187楼】yeutay
不是個好的設計:
1: Q15之BE難承受逆向;
改成D1直接反並BE,而 R2串聯AB腳。
2: C7 直通LM555-OUT也是承受不起48V逆向電压
或者電流。(新作也是同樣,12樓)
3:其它控端也是相同于2 ;雖無逆向過压,但都串接于射極(E)
可能電流大,不知MCU有過電流否!
#以上缺失,由于是脈波PWM工作,零件不會立即壞掉,
而是受損其壽命不長。
(对不起家里文書沒簡体字庫,去大陸玩那地陪也一直誇繁体字美觀,
但我比較認同非公文用簡体可以省时省手力)
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1.实验和大批量生产证明这个现象基本没发生过。虽说手册上Vbe不能大过-5V,但如果电流掌握得当不导致热击穿别说-5V了就连-50V都是没问题的。
2.电压不是问题,问题是电流。这种电路应用电流不会太大所以C7周边发热不会太厉害。(我承认会比较热,本文只是提供一个思路,由读者举一反三。我有个类似电路完全解决了发热问题但因为是职业作品所以就不能分享了)
3.过电流保护其实也不必担心。Q3发射级有限流电阻,开通电流只有2.3mA左右,4个MOS全开也只有9.2mA左右,低于一般MCU端口20mA的限制。
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