压控恒流源电路分析（MOS+运放），高手请进！

holycat

1、R147真有30k那么大，没画错吗？
2、R147（接运放-输入吧？）对地并个电容可能对抑制振荡有好处（如果真振荡的话）。
3、FET的发热量只取决于电流×源-漏间压降，跟管子允许的最大电流无关。如果V12=12V，流几百mA的话，发热太正常了。

holycat

　这个电路直流分析很简单，但如输入信号是超过10kHz的交流时，确实是容易振荡的，跟运放、FET的频率特性等有关，而且跟带什么负载也有关。。
　建议试试另一招：在运放的-输入端串电阻，几百欧～几k欧的。

holycat

【6楼】 allen_z：“还有就是关于这个mos管正常工作时是在什么状态的，……”

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放大状态，利用负反馈控制电流：
Iout(输出电流)↑ → Vi-(运放6脚)↑ → Vg(FET门极)↓ → Vs(FET源极)↓ → Iout(输出电流)↓


加些乱78糟的零碎或许能抑制振荡，但也有可能导致输入和输出相位差变得严重，要注意看对实际用途有没影响。

holycat

总觉得你的R147的取值还是有问题。如果输出电流有几百mA的话，R147应该只有几十欧才对。
应根据如下要素统筹决定电源电压和采样电阻：
●要求的最大输出电流
●负载的最大电阻

发热跟用什么运放或FET无关，如果仅用于直流信号变换，振荡不会成为大问题。
另外9楼提到的信号范围问题也应注意，如运放用5V单电源的话，输入范围须限定在0～3.5V。

holycat

回复【15楼】 allen_z：

o....我把1R错看成1K了。
算下便知，在这个参数下，当输入3V电压，R147和FET就会流过3A电流，各自要负担9W的功率，能不发烫吗？

holycat

回复【18楼】 allen_z：

　1、用示波器看看Vg、Vs等有没振荡，再确认FET手册的阈值数据。1V左右开始导通不一定不对，FET不同于三极管，控制极低于某常数就肯定截止（0.7V）。

　2、即使0.3A也会发热，试算下：P＝VI＝6V×0.3A＝1.8W　——这个数值肯定不会是冰凉的了。


　再重复一下俺在14楼说的：应统筹设计电源电压和采样电阻。现采样电阻取值仅1Ω似太小，这个电阻适当取得大些能为FET分担热功耗。或者在确保能对最大负载电阻输出最大电流的前提下，再尽可能降低电源电压。