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电容充放电问题,为了产生一个400V左右的高压脉冲

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出0入0汤圆

发表于 2013-10-20 23:14:49 | 显示全部楼层
99%是驱动电路的问题。LZ把实际的驱动电路贴出来看一下吧?
由于米勒效应的影响,如果门极驱动电流不足,D极电压下降时间会比较长。根据1L的图,C1和R1,3,4的时间常数为733ns,那么MOS管D极电压下降时间必须远小于733ns,比如小于1/10。如果把下降时间设计为70ns,则dV/dt = 400V/70ns。根据IRF840的Crss = 18pF,Ig = Crss * (dVds / dt) = 0.1A。驱动电路在输出4V(IRF840的Vth最大值)时至少要保证0.1A的驱动电流。如果是5V驱动,驱动电路应保证内阻在10Ω以内。

出0入0汤圆

发表于 2013-10-21 11:47:57 | 显示全部楼层
lgy026 发表于 2013-10-21 11:23
我直接就用6N137驱动的,用示波器看了没有接高压时输入输出的PWM波形还是很不错,就没有考虑mosfet PWM的 ...

6N137的输出,用一颗PMOS反相放大一次,即可驱动IRF840。
PMOS可选择:AO3201、SI2301、 SI2303,S极接VCC,D极接IRF840门极并对地接200~1K电阻。

出0入0汤圆

发表于 2013-10-21 13:39:05 | 显示全部楼层
lgy026 发表于 2013-10-21 13:00
你是指的这样吗??这个是不是主要是增加驱动电流的???,我看了他的技术手册 Vgs = -4.5V时,Id = -2A ...

电路正确。最好在2303和840之间加一个10R左右的电阻,方便控制dV/dt。10Ω是这样的出来的:Rg = (Vcc - Vth) / Ig = (5 - 4)/0.1 = 10Ω。
IRF840的Crss我查到是18pF,不可能是150pF那么大的,你确认一下。

出0入0汤圆

发表于 2013-10-22 21:14:26 来自手机 | 显示全部楼层
lgy026 发表于 2013-10-22 18:37
我在网上搜到了几个IRF840的pdf,找到了18pf,也找到了其他的,囧了。我按照你说的电路试了下,效果还是不 ...

驱动电压提高到10~15v也会有明显改善。
另外,可以用Crss更小的管子,比如infineon的spd1n60,2n60。
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