大家好！请教下24v 10a大电流的防反接设计！

ziruo2002ab · 发表于 2020-10-2 19:41:55

按照这个电路，感觉保护不够（取决于后级电路具体情况，可能够了，可以省掉更多器件）。
因为PMOS的体二极管在反接时会导通。
至少要back-to-back设计吧？

ziruo2002ab · 发表于 2020-10-3 00:48:40

jaywen 发表于 2020-10-2 22:02
我感觉够用了你这个mos一个最大 13a 左右用了两个应该可以过10a

楼主你仔细分析一下，在工作状态下，同样的控制参数总是那个先导通的先倒霉，大部分功率还是加到那个上面。mosfet并联虽然比三极管并联好很多，还是无法避免无法均分功率的问题，所以这样的设计是失败的。
实际上上面有那么多好控制芯片供选择。简单，意味着保护不全面，增加故障率。全面，意味着电路复杂。若不是想当然的觉得很简单，你就要根据自己的应用要求做出相应的等级选择

ziruo2002ab · 发表于 2021-7-11 17:55:34

1. mosfet在开关状态可以直接并联，G加缓冲电阻
2. 考虑加上防反灌、过压保护功能

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