pmos背靠背电路电阻取值问题

ytyt678 · 发表于 2022-4-14 17:20:30

逛论坛发现一个帖子，原贴地址为https://www.amobbs.com/forum.php ... =%E5%80%92%E7%81%8C
其中有这样一个电路

我用MULTISIM仿真发现，唯一的改变是我把开关换成了方波信号，频率1K，50%占空比，发现不能正常关断，只要把位号为7的10K电阻变小，就可以正常关断，我的理解为相当于mos的G极上拉电阻，开关接通，G极被三极管拉低，这没有问题，当开关断开时，G极被10K电阻拉高，可是10K电流太小充不到关断电压，我在网上找的类似的都是10K，100k，这个电阻的取值跟什么有关呢，如果要想这个电路能正常工作，是不是只能改这个电阻，望赐教。

liufabing · 发表于 2022-4-14 18:07:18

这样没错啊.这个电阻影响关断速度.

hugohehuan · 发表于 2022-4-14 18:09:40

仿真把VGS的波形图看一下？

题外话，那个1MΩ的泄放电阻取值不太合适吧……

新7天 · 发表于 2022-4-14 23:05:15

这个电阻大小是与关断时间有关，10K，这样2个管子GS释放电荷，按输入电容1500P估算关断时间差不多要大于0.15ms了吧，1k方波那是有点不正常了

diyzxh · 发表于 2022-4-15 08:55:32

没明白这个漏电流是从哪里漏到哪里的？

初音之恋 · 发表于 2022-4-15 15:31:22

R7过大导致GS充电速度太慢导致关闭过慢，看你对1K速度有没有要求罢了

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