[OurDev开源充电器][任务1] 1.智能充电器原理图 + PCB V2.1 发布 （最后更新：08年05月2

shinehjx

1 需要兼容最高至28V电压，而TPC8103的Vds最大只有30伏，不合理。除非把初期定义的上限电压降到20V以下。
    同意此观点。

2 TPC8103关于Id的温度定义不明确，一会说小于150度，一会儿又最大只能52度。不能帮我们明确其高温时的最大电流。
    对TPC8103 "管温小于 50 度" 亦表示怀疑。

4 P沟道的管子本来选择就不多，设计使用So-8封装，给需要替换的朋友带来非常多的麻烦。（太难买了）
    不建议用SO-8封装，理由是耐压及管温比较难解决。

shinehjx

我的理解，【94楼】 hebj 所说大头就是 off -> on 和 on -> off 的状态的功耗。
这里的功耗大小主要决定于mos的PWM驱动性能，G极PWM波形的边沿越徒功耗就越小，反之越大。也就是我不赞成最初的原理图中P管只单纯用电阻来驱动的原因，如果仅作电源的开或关，就算用SO-8封装、负载电流再大几倍也没有问题，但现在是作SMPS输出至2A，驱动做不好SO-8可能会爆掉!我没有高深的理论去计算实际上功耗有多大，只是说出我用mos的一点体会，说的不对勿怪。

实践见真知，此项目不可能一次就完美成功，如果在mos的选择上有过多的异议，不如先做出第一版PCB，mos位置预留两种封装权当试验，有了硬件平台才能更好地讨论、实验、改进。

shinehjx

呵呵，终于又向前迈进一步

TO220封装可考虑 IRF1404，40V/4mR，比较常见，本人手上有非原装的IRFIZ48N，55V/16mR，测试过参数没问题，如果有需要并不介意，可以捐赠。

PCB也有兴趣，但不会protel，主要还是水平有限！还是有请各位高人认领吧

shinehjx

mje340,mje350的接法没有问题，能正常工作。不过VDD受限于P mos 的VGS 不能过高，常见为20V，VDD输入可能达不到24V或28V