做充电器。MOS管发热严重。求解决方案

bnn1044 · 发表于 2009-8-8 02:36:17

电流在500ma的时候就温升很快了。上了原理图和波形。麻烦分析下。更别说1A了。那充电几秒就烫了。现在是电感不确定。具体看电路图。和波形。

电路图 (原文件名:未命名.jpg)

电路图A点波形 (原文件名:a.jpg)

电路图B点波形 (原文件名:B点.jpg)

电路图C点波形 (原文件名:C.jpg)

gzhuli · 发表于 2009-8-8 03:10:06

你这是P沟管的驱动方式，N沟管不是这样驱动的。
如果按你这个图来驱动，2N3904的集电极4k7电阻上应该接24V，50N024的GS之间还要做限压保护。

bnn1044 · 发表于 2009-8-8 03:19:12

图上的4K7电阻电路中是470欧。这个驱动方式我是参照论坛一个电路设计的。2N3904板子上用的是8050.这样的话我用P沟道的管子试试。谢谢你解答。还有GS间怎么来做限压保护呢？不是很懂。

gzhuli · 发表于 2009-8-8 03:37:38

N管的工作原理是G的电压高于S，相当于你图中的B点电压要高于C点，要完全导通，Vgs一般要大于4.5V。
你的电路刚开始的状态是B点12V，C点0V，Vgs=12V，MOS导通。
由于MOS导通后内阻很小，C点的电压很快被抬高，此时B点和C点的电压差已经不足以支持管子完全导通，所以MOS工作在放大状态，就发热了。
所以，如果这种电路要驱动N管就要保证G极电压比D高，因此我建议你2N3904需要用24V供电。
但是，GS耐压一般只有20V，如果24V供电，C点电压为0时可能会击穿，所以要加个12V稳压管保护。

如果是P沟就啥都不用改了。

miscell · 发表于 2009-8-8 08:19:59

速度不够,要用推挽驱动

xuwuyang · 发表于 2009-8-26 03:14:09

这个地方不适合N-MOSFET！

azi1974 · 发表于 2009-12-14 22:56:10

学习中@！

lenyuye · 发表于 2009-12-14 23:43:07

进来向 gzhuli 咕唧霖学习下

dyestuff · 发表于 2010-2-9 00:22:58

三楼说的对，是导通后Vgs电压低于MOS的完全导通电压，导致MOS工作在放大状态，损耗很大。
建议用20V的导通电压来控制MOS，导通后也能保证有8V左右的可靠导通电压。

ju748 · 发表于 2010-2-9 07:17:12

学习

aa610224 · 发表于 2010-4-4 11:22:44

学习中

xinjie1023 · 发表于 2010-5-17 21:40:07

看电路，问题不大，但是应该用推挽电路驱动p沟道mos管，不然pwm就不理想了，其他的应该没什么。推挽电路参考本版的最后的定型充电器的电路即可。p mos一般GS之间不能超过20V。所以电源还是20V以下好。

还有你说的烫是P mos管，电感建议换磁环的。这电路p mos应该不会热。

AIHHLI · 发表于 2010-5-17 22:24:13

受教了。

coolwater · 发表于 2010-6-30 14:33:13

这个充电器的频率是多少的？

rsbook · 发表于 2013-5-7 16:26:16

学习了，以后参考

zhang_mike2000 · 发表于 2013-5-7 16:50:03

开关速度不够吧，用图腾柱驱动吧

changshs · 发表于 2013-10-24 02:10:16

PWM输出使用低压的MOSFET管，后面再接上MMBT3904/3906推拉驱动级，驱动功率MOSFET，即可。

changshs · 发表于 2013-10-24 02:14:14

不知道怎么传图片，搞了半天，不知道出来没有。

changshs · 发表于 2013-10-24 02:16:09

这个驱动下管可以，驱动上管不行。

zhouyan · 发表于 2013-10-24 14:00:41

gzhuli 发表于 2009-8-8 03:37 N管的工作原理是G的电压高于S，相当于你图中的B点电压要高于C点，要完全导通，Vgs一般要大于4.5V。你的电 ...

说的很好!
可以在MOS上加个电阻测试一下

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