我的DIY M8晶体管测试仪的经验

walter_wang

最近好几个网站都在DIY晶体管测试仪。我前不久也用洞洞板做了一个，精度还可以
10K AE金属箔电阻

10K AE金属箔电阻 (原文件名:nEO_IMG_100_6739.jpg)
误差0.01%
5K AE金属箔电阻

5K AE金属箔电阻测试 (原文件名:100_6743.JPG)
误差0.24%
2.5KAE金属箔电阻

2.5K AE金属箔电阻测试 (原文件名:nEO_IMG_100_6741.jpg)
误差1.4%
250RAE金属箔电阻

250R AE金属箔电阻 (原文件名:nEO_IMG_100_6740.jpg)
误差0.4%
除了电容，其它类型元件的测试和电阻一样，但是我没有精度可靠的元件，加上晚上拍效果不好就不拍了。
另外安装的时候因为螺丝滑丝了，直接用万能胶粘上了就不放裸照了
这个晶体管测试仪也是根据一个德国人的开源项目做的，原始资料地址是 http://www.mikrocontroller.net/articles/AVR-Transistortester
这个网页有原理说明，原理图和源代码。
下面是我的其他元件的测试结果
红色发光LED： Diode: A=2;K=1
              Uf=1967mV
绿色发光LED： Diode: A=2;K=1
              Uf=2926mV
整流桥1-交流；2-交流；3-负电压端：Double Diode CA
                                  A=3;K1=2;K2=1
SR360:Diode: A=2;K=1
      Uf=209mV
8050: NPN 1=E;2=B;3=C
      hFE=22 Uf=754mV
TIP35C: NPN 1=B;2=C;3=E
        hFE=46 Uf=603mV
BC557: PNP 1=C;2=B;3=E
       hFE=43 Uf=793mV
2N7000： N-E-MOS C=0.12n
         GDS=231 Vt=1550m(V超出显示不出来了)

电容没有电容表，所以无法确定测量精度，不过经过多个测试，感觉还可以
104CBB： 100.23nF
105CBB： 1.00uF
104绿色WIMA：101.45nF
0.47uF红色WIMA：507.15nF
1uF红色WIMA：1.08uF
225CBB：2.20uF
47uF无极性电解电容：48.87uF
22uF电解：21.53uF
1000uF电解：1263.67uF （测试时间需10秒左右）
6800uF电解：7099.87uF （测试时间需30秒左右）
10000uF电解：9225.12uF （测试时间更长，其中几次还误报为小电阻，呵呵充电电流太小了）

下面说说我的制作过程中的几个小经验
原电路图：

电路图 (原文件名:Schaltplan_transistortester.png)
其原来的设计是使用9V电池，但是我不用考虑外出携带，不在乎功耗，所以那几个3级管构成的开机电路我就取消了，直接使用内置小变压器供电。整个设计使用元件极少，所以用洞洞板做也很方便。
不过我保留了检测供电电压的那两个电阻R11，R12用来校准M8内部ADC。根据实际测量值计算转换因子。
程序中查找“diodes[NumOfDiodes].Voltage = (adcv[1]*54/11);”将其中的54和11换成根据实际测量值得出的转换因子。例如我的是 diodes[NumOfDiodes].Voltage = (adcv[1]*1115UL/229UL);

测试使用AVCC作为基准电压，大家在制作时可以使用LM317供电，加上可调电阻调整供电电压为4.096V这样AD转换线性度较好。我恰好手上没有，用的7805。

采样电阻R1~R7对结果影响很大，我花4块钱买了1%精度的金属膜电阻各100个，从中挑选出3对阻值最接近的。没有1%的普通5%的也行，只要每种3个电阻的阻值尽量接近就行不用非要恰好是680和470K，可以通过程序中的
#define R_L_VAL 680
#define R_H_VAL 470000UL
这两个地方更改。最重要是的每种3个阻值要尽量一致，不然引脚和测试线的连接不同测试结果也会不同。
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ReadADC我稍微更改了一下，不过其实对结果和精度影响应该不大或者说几乎没有。
unsigned int ReadADC(uint8_t mux) {
        //ADC通道初始化
        ADMUX = mux | (1<<REFS0); //采用内部基准，参考电压REFS0始终为1
                                  //采用AVCC或内部基准由参数mux引入

        //第一次测量值抛弃
        ADCSRA |= (1 << ADSC);
        while((ADCSRA & (1<<ADSC)) != 0);

        //对ADC采样22次去除最大值和最小值后返回20次有效采样的平均值
        unsigned int adcx = 0;
        unsigned int adcx_max = 0;
        unsigned int adcx_min = 0;
        unsigned int adcx_t = 0;
       
        for(unsigned char ti = 0; ti< 22; ti++)
                {
                        ADCSRA |= (1 << ADSC);
                        while((ADCSRA & (1<<ADSC)) != 0);
                        adcx_t = ADCW;
                        if( ti == 0)
                                {
                                        adcx_max = adcx_t;
                                        adcx_min = adcx_t;
                                }
                        if(adcx_t > adcx_max)
                                {
                                        adcx_max = adcx_t;
                                }
                        if(adcx_t < adcx_min)
                                {
                                        adcx_min = adcx_t;
                                }
                        adcx = adcx + adcx_t;
                }
        adcx = (adcx - adcx_max - adcx_min) / 20;
        return adcx;
}
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源程序的显示是德文的，我改成了英文，注意我加了几个我用到的字符串
unsigned char TestRunning[] EEMEM = "Testing...";
unsigned char Bat[] EEMEM = "Battery ";
unsigned char BatWeak[] EEMEM = "Weak";
unsigned char BatEmpty[] EEMEM = "Empty!";
unsigned char TestFailed1[] EEMEM = "No Component or ";
unsigned char TestFailed2[] EEMEM = "Damaged         ";
unsigned char Bauteil[] EEMEM = "Component";
unsigned char Unknown[] EEMEM = " Unknown";
unsigned char Diode[] EEMEM = "Diode: ";
unsigned char DualDiode[] EEMEM = "Double Diode ";
unsigned char TwoDiodes[] EEMEM = "2 Diodes";
unsigned char Antiparallel[] EEMEM = "Antiparallel";
unsigned char InSeries[] EEMEM = "in Serie A=";
unsigned char mosfet[] EEMEM = "-MOS";
unsigned char emode[] EEMEM = "-E";
unsigned char dmode[] EEMEM = "-D";
unsigned char jfet[] EEMEM = "-JFET";
unsigned char Thyristor[] EEMEM = "Thyristor";
unsigned char Triac[] EEMEM = "Triac";
unsigned char A1[] EEMEM = ";A1=";
unsigned char A2[] EEMEM = ";A2=";
unsigned char K1[] EEMEM = ";K1=";
unsigned char K2[] EEMEM = ";K2=";
unsigned char hfestr[] EEMEM ="hFE=";
unsigned char NPN[] EEMEM = "NPN";
unsigned char PNP[] EEMEM = "PNP";
unsigned char t1str[] EEMEM = " 1=";
unsigned char t2str[] EEMEM = ";2=";
unsigned char t3str[] EEMEM = ";3=";
unsigned char gds[] EEMEM = "GDS=";
unsigned char Uf[] EEMEM = "Uf=";
unsigned char vt[] EEMEM = "Vt=";
unsigned char mV[] EEMEM = "mV";
unsigned char Anode[] EEMEM = "A=";
unsigned char Gate[] EEMEM = "G=";
unsigned char TestTimedOut[] EEMEM = "Timeout!";
unsigned char DiodeIcon[] EEMEM = {4,31,31,14,14,4,31,4,0};        //Dioden-Icon
unsigned char OrBroken[] EEMEM = "or Damaged ";
unsigned char Resistor[] EEMEM = "Resistance: ";
unsigned char NullDot[] EEMEM = "0,";
unsigned char GateCap[] EEMEM = " C=";
unsigned char Capacitor[] EEMEM = "Capacitor: ";
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源程序对3级管的显示是 B=?;C=?;E=?，我感觉不习惯改成了按测试引脚顺序显示
1=？；2=？；3=？
个人习惯而已，改不改无所谓
源程序是：
        lcd_eep_string(bstr);        //B=
        lcd_data(b + 49);
        lcd_eep_string(cstr);        //;C=
        lcd_data(c + 49);
        lcd_eep_string(estr);        //;E=
        lcd_data(e + 49);
我替换成：
        lcd_eep_string(t1str);
        if(b==0)
        {
            lcd_data('B');
        }
        if(c==0)
        {
            lcd_data('C');
        }
        if(e==0)
        {
            lcd_data('E');
        }
        
        lcd_eep_string(t2str);
        if(b==1)
        {
            lcd_data('B');
        }
        if(c==1)
        {
            lcd_data('C');
        }
        if(e==1)
        {
            lcd_data('E');
        }
        
        lcd_eep_string(t3str);
        if(b==2)
        {
            lcd_data('B');
        }
        if(c==2)
        {
            lcd_data('C');
        }
        if(e==2)
        {
            lcd_data('E');
        }
MOS管的显示原设计也是按固定顺序而不是引脚顺序，但是我很少用MOS所以懒得改了
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sadf123

能不能测晶体管的特性曲线？

walter_wang

回复【1楼】sadf123
能不能测晶体管的特性曲线？
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不能这个只是利用M8内部AD精度有限，没有使用电流源，测试电压也只是5V。只是简单判断三极管的类型和引脚

wandy2010

好像不能测达林顿管

baof

make

yangtao0618

diodes[NumOfDiodes].Voltage = (adcv[1]*54/11);”将其中的54和11换成根据实际测量值得出的转换因子......这个怎么理解？？？？

hbcjs

佩服，学习。

sunnywind

你好，请教一下，我也仿做了一个但写程序进M8的时候提示EEprom verify error at:0h
请问这是什么问题呢？
接上后液晶屏显示乱码····
求教！！~~~~

guhenggao

mark

hackerboygn

记号

zxfzxmcxczxq

mark

ddcchh

做出了几个,有以下问题,如何解决?
1. 测量小电阻时不行,有的在1000欧时,才可靠!
2. M8 有时复位不好;

godlike438

mark

xaftp

我做的不显示字符，正在排查问题。

armandusb

我测试了下这个开关机的电路,直接上电电路就是通的,需要更改R10的电阻

jyzhiyu

mark

ayumi8

我画了PCB 做出来  能测试.........但是  感觉 电容太不靠谱了   1000 测试出来 1600UF

pxm

也打算做一个 学习先！

hellowangjun

   太厉害了，我也要加油学习了。

冠亚

楼主发个程序看看

lh5566

学习一下

kuanglf

谢谢分享记号备用

lf8013

做一个玩玩，谢谢提供的资料，感谢分享

0123456789

mark               

涵潇舒雅

楼主，能否请教一下，该仪器的工作原理~

wiisir

walter_wang 发表于 2010-5-7 23:02
回复【1楼】sadf123
能不能测晶体管的特性曲线？
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请教ATmega8A单片机用并口烧录器烧录程序时,有关熔丝位的设置LB1、LB2、BLB01、BLB02、BLB11、BLB12应该设置怎样的值才可以，我试了10种组合的都不行。对AVR单片机是小白