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MOS管发出“吱吱”噪声,郁闷好几天了

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出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 11:36:35 | 显示全部楼层 |阅读模式

(原文件名:未标题-1.jpg)

电路如图,用MOS管来开关灯组,这个MOS管可以过12A连续电流和90多A的脉冲电流。
实测灯点亮时每组过700mA电流,这样总共通过MOS管的电流也就3.5A,驱动信号是100us/10ms,点亮100us,循环周期为10ms

问题是,这个电路在工作的时候MOS管会“吱吱”响,而且电路越大,响声越大(换限流电阻后发现的)

有高手知道是为什么吗,请赐教
有什么方法能解决MOS管响的问题?谢谢!

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 12:05:50 | 显示全部楼层
开关边沿时间过长

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 12:10:44 | 显示全部楼层
“MOS管响”,我倒是没遇到,只是见到过“导线响”。
当两根相距较近的导线流过大电流脉冲信号时,电流产生的磁场会使得导线间存在力的作用。
根据一楼的启发,有可能是方波太陡造成的,在场效应管的GS上并个电容试试。

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 12:31:36 | 显示全部楼层
IR_LED_CTRL0给的是0和12V吗?另外,MOS管不同于三极管,栅极不需要加这么大的电阻吧。是不是电阻过大增加了结电容的充电时间,从而影响了开关速度?一己之见,还请高人指正

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2010-6-1 12:41:51 | 显示全部楼层
我用示波器看过驱动信号,开关信号边沿上升和下降都非常快,也就是很陡。

1楼的意思是说驱动信号上升和下降缓慢导致的吗?

2楼说“导线”响我第一次听说,其实MOS管响我也只是第一碰听说而且碰到,以前听说的是电感响来着。不知道700mA能不能导致PCB走线“发声”?

3楼,IR_LED_CTRL0给的是3.3V信号,由CPLD生成的100us/10ms脉冲。这个图像标的GS间电阻是20K,但实际板子上焊的是10K电阻,应该不大吧?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2010-6-1 12:49:28 | 显示全部楼层
还有,灯组工作后,输入的12V电源就出现问题了
输入电压是12.4V,经过一个肖特基二极管后给灯组供电。

灯组工作后,肖特基管N端电压就变成14.8V了(万用表量),示波器看的时候发现电源上有波动,平常是14.8V,灯组开启时(100us)会降到8点几伏,灯组关闭后(100us结束)再升回14.8V。

而肖特基P端电压用万用表量则仍为12.4V,但是示波器查看时发现也有干扰了,灯组开启时电压有下降,8点几伏,灯组关闭上电压瞬时上升至14点几伏,但是只持续5us不到就落回12.4V了

现象挺怪异,我怀疑是MOS管高速开关,且灯组负载为感性,导致有点DC-DC升压的意思,不知道对不对

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 12:51:00 | 显示全部楼层
啊?3.3V本来就很低了,为什么还要用电阻分压呢?你板上焊10K电阻,把电压分成3V。。。
Vgs应该要高一些,这样才能提高开关速度,减小导通电阻。Vgs范围是正负20V呢

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 12:51:22 | 显示全部楼层
电流变化的太快,控制电流斜率请加电感~

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 12:55:55 | 显示全部楼层
回复【5楼】billowtust
还有,灯组工作后,输入的12v电源就出现问题了
输入电压是12.4v,经过一个肖特基二极管后给灯组供电。
灯组工作后,肖特基管n端电压就变成14.8v了(万用表量),示波器看的时候发现电源上有波动,平常是14.8v,灯组开启时(100us)会降到8点几伏,灯组关闭后(100us结束)再升回14.8v。
而肖特基p端电压用万用表量则仍为12.4v,但是示波器查看时发现也有干扰了,灯组开启时电压有下降,8点几伏,灯组关闭上电压瞬时上升至14点几伏,但是只持续5us不到就落回12.4v了
现象挺怪异,我怀疑是mos管高速开关,且灯组负载为感性,导致有点dc-dc升压的意思,不知道对不对
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二极管电压升高应该是正常的吧,你随便找个电源,输出接二极管正极,负极悬空。拿万用表测二极管负极与电源地的电压,好像都会高出电源电压,我以前做过实验,但不清楚原因,顺便在这里求教一下。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2010-6-1 13:38:28 | 显示全部楼层
回复【6楼】volzhcan
啊?3.3v本来就很低了,为什么还要用电阻分压呢?你板上焊10k电阻,把电压分成3v。。。
vgs应该要高一些,这样才能提高开关速度,减小导通电阻。vgs范围是正负20v呢
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我用示波器看过了,开关速度能满足我的要求,边沿已经很陡了。那个电阻不只是分压用的,在IR_LED_CTRL0没信号时要让MOS管G极为低,不能悬空

GS间电压大于1V就能导通

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 13:45:16 | 显示全部楼层

试试这样看看啥效果 (原文件名:试试这样看看啥效果.jpg)

呵呵可以串个电阻1K左右不知道合不合适~太懒没画~
这个可以试验一下是不是可以升压~

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 13:49:18 | 显示全部楼层
回复【楼主位】billowtust
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应该是你的电源发出的声音

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 14:15:03 | 显示全部楼层
不知道楼主所说的开关速度满足要求是什么情况,查了下IRF7413数据手册,VGS=1V还没有进入开关状态,TON典型值是8.6ns,TR典型值是50ns,TOFF典型值是52ns,TF典型值是46ns,CISS典型电容是1800PF,这些参数没有考虑到的话,可能因布线电感的存在而发生振铃现象,够幸运的话都可看到正弦波,情况严重的话MOS可能会整个顶盖爆起来。

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 14:38:52 | 显示全部楼层
把R129放R128的前面,然后在R128的上并个反向二极管

R129用1K,R128用1.5K 试试看

这个最好加12V的驱动,5V够用但是不保险。

说1V能动?我说3V能动1天就谢天谢地了!


(原文件名:IRF7413.png)

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2010-6-1 15:54:29 | 显示全部楼层
回复【13楼】avrdo 自称全才
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我试过12V驱动了,和3.3V驱动的效果是一样的,前端加了个三极管,用12V电压去驱动MOS,3.3V驱动8050

3.3V在你发的图里面还是可以工作的嘛

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2010-6-1 15:55:29 | 显示全部楼层
回复【12楼】wmm20031015
不知道楼主所说的开关速度满足要求是什么情况,查了下irf7413数据手册,vgs=1v还没有进入开关状态,ton典型值是8.6ns,tr典型值是50ns,toff典型值是52ns,tf典型值是46ns,ciss典型电容是1800pf,这些参数没有考虑到的话,可能因布线电感的存在而发生振铃现象,够幸运的话都可看到正弦波,情况严重的话mos可能会整个顶盖爆起来。
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可否详细说一下需要注意哪些地方,以前没有用MOS做过这么快的开关,所以也没怎么注意过,谢谢

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 16:01:13 | 显示全部楼层
回复【14楼】billowtust
回复【13楼】avrdo 自称全才
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我试过12v驱动了,和3.3v驱动的效果是一样的,前端加了个三极管,用12v电压去驱动mos,3.3v驱动8050
3.3v在你发的图里面还是可以工作的嘛
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LZ可有脉冲发射器?不同频率试试吧,这个电路如果用单一的三极管去驱动是有问题的。3.3并不是饱和工作,还是有相当大的内阻的,如果你的负载时感性的你就知道我为什么这么说了,当然这是假设。(当成自己的电感项目了,哈哈)

能放出你的驱动电路么?

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 16:03:35 | 显示全部楼层
回复【12楼】wmm20031015
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振啥?
瞎扯。

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 16:27:43 | 显示全部楼层
R128是不是太大?
限流电阻是不是太小?

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 18:52:25 | 显示全部楼层
我觉得LZ应该这样调试:
1.让MOS处于导通状态,听听有没有声音?,看看VDS=多少V?
2.在这个情况下,看看电源输出的电流,电压是多少?是否正常?
3.让MOS按照1S/1S的ON/OFF频率进行通断,看看是否正常.
4.把时间调到你需要的ON/OFF状态进行试验.

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 19:02:23 | 显示全部楼层
MOSFET又不是继电器,怎么会响呢?也许原因如二楼分析。

我认为,R128和R129都不要接,MOS管不像达林顿管啊... 换个HCT的缓冲门看看,比如74HCT244,缓冲门芯片接5V电源

出0入0汤圆

发表于 2010-6-1 19:07:56 | 显示全部楼层
楼上的方法可行。20k的电阻也可以看你后面的要求如果没有发热这个阻值也行。最好还是用100k,

出0入0汤圆

发表于 2010-9-20 19:48:09 | 显示全部楼层
回复【楼主位】billowtust
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请问楼主解决了吗?我今天也碰到了这个问题

出0入45汤圆

发表于 2017-7-13 20:03:26 | 显示全部楼层
都是无果而终的主题呀,还是没弄清楚是哪里发声。

出110入8汤圆

发表于 2017-7-13 23:22:24 | 显示全部楼层
MOS管振铃了,坛子里面有人讲过

出0入0汤圆

发表于 2017-8-14 15:26:55 | 显示全部楼层
mos做开关的话,我觉得需要注意以下几点:
1、开关频率要合适,主要跟mos 的导通时间和关断时间有关。
2、对于高频开关的情况,需要加驱动电路加速开关,如图腾柱。
3、对于感性负载,增加相应的吸收回路,如RCD。
4、大功率的情况下,MOS的G极驱动电压要稍高,保证建立的沟道足够宽,详细可见数据手册,Vgs与Id 关系图。
哪里不足的地方,还请大家指正。
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