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我的智能图示仪原理

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出0入0汤圆

发表于 2011-1-7 16:58:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
说我的智能图示仪原理前,先说一下一般用mcu测量管子曲线的原理图,如图

(原文件名:old.png)
mcu控制B、C通道的DAC,再经过直流功率放大器驱动被测管的B C极,再用ADC测出VCH VC VBH VB这4点电压,经过运算就可以得到Ib Ic Hfe Vbe,就可以得到Vbe-Ic、Vce-Ic、Hfe-Ic曲线,
因为需要测量P和N型管,所以所有的电压都是双极性的(很多论文上的用mcu测量曲线的都只是介绍了测量N管,都是正极性的测量,因此看起来是很简单)。


但考虑到元件选型,因为绝大部分的DAC都只能输出单极性电压,
ADC也是一样,绝大部分也只能测量单极性的电压,双极性的ADC价钱会很昂贵,
考虑成本的话,采用单极性AD DA便宜很多,选择的范围也大很多。


这种测量方式优点是简单明了,容易控制,缺点是
1.需要双电源供电,电源利用率不高,而被测管子上的Vce电压范围也只有总的电源电压总和的一半;
2.需要8个AD测量通道(vbh1、vbh2、vb1、vb2、vc1、vc2、vch1、vch2);
3.需要4个增益为—1的放大器(以便将vch vc vbh vb变成单极性的电压),这个-1倍放大器想做的准确也不容易,因为-1放大器的放大倍数会依赖于前级的输出阻抗。
4.需要2个将DAC输出电压变成正负极性的偏移电路。


我的智能图示仪在上面原理做一个改进,采用“三电压驱动”方式测量,被测管的发射极不再接地,而是接到一个电压源上,原理如下图

(原文件名:new.png)
这个发射极电压源非常关键,完全解决上面的缺点,下面距离说一下测量原理就知道增加这个发射极电源是多么巧妙
测量N管,将发射极电源设置成2.5V,基极电源和集电极电源发生器都设置成大于2.5V,测量时需要连同Ve一起测量,通过运算也可以得到所有Ib Ic Vbe Vce
而测量P管时,将发射极设置成最高电源电压,例如40V,而基极和集电极电源设置成小于40V,这样被测管也能正常工作。
如果N-JFET管,设置发射极(源极)电压为10V,栅极为2.5~10V,漏极为10~40V,这样相当于被测管的Vgs范围为-7.5~0V,Vds为0~30V。

用浮动发射极电压方式,最大的好处就是只需一个电源就行了,你看见上面测量举例,所有的电压相对于地来说都是正的电压,没有负的电压,因此DAC和ADC都只需采用单极性的器件就可以了。也无需极性变换电路。
其次是电源利用率高,基本原理图上需要两个40V,但被测管Vce最大也只能40V,而用浮动发射极电压方式,只需单个40V,被测管的Vce最大也可以达到40V。





恒定基极电流发生器
因为测量三极管输出曲线时,需要恒定基极电流方式,虽然可以采用加大RB,提高VBH电压方式近似获得恒定Ib,但始终不算规范。
这个恒流源也必须是受控的,因此自然就想到压控恒流源,即VI转换电路,
同样因为P N型三极管的关系,这个恒流源极性也需要是双极性的,一般VI转换电路产生双极性的电流的话,也必须要双电源供电。
我于是对这个VI转换电路做了一些修改,电路如下图:

(原文件名:VI.png)
我将直流电压放大器输出和压控恒流电路合并成上图这样实际的B通道输出电路。

A1是图10的电压功率放大器器的简化示意图, SW1、SW2是同时动作的双刀双择开关,用来控制工作在恒压还是恒流状态。
图中所示的位置是恒压工作状态,此时R1、R4接地,由于A1的输入被先衰减了R4/(R3+R4)倍,所以A3预先进行1+R9/R10倍放大,如果R9=R3、R10=R4,那么
(1+R9/R20)*R4/(R3+R4)=1
正好可以补偿R3、R4的衰减。所以总的放大倍数仍旧是1+R2/R1=4.4倍。

如果sw3接到Vref、sw4接到A2输出端,此时工作在输出恒流状态,
这个VI转换采用两个输入端,其中一个输入端接一个偏移电压Vref,
当输入电压Vin小于Vref时,Rb上的电流方向是从右到左的,倒灌方向的电流;
如果Vin大于Vref,Rb上的电流就是从左向右,为输出方向的电流。
怎样理解单电源为啥能产生双极性的电流?关键是这里的"负载实际上并不是接地的!!"
测P管时,发射极接Vcc,此时电流是从发射极到基极,也就是倒灌入B通道的,
测N管时,发射极接2.5V,此时电流是从基极到发射极,也就是B通道输出电流的。
其实这就是产生了双极性的恒定Ib电流。

VI转换电路的准确性对R1 R2 R3 R4这4个电阻的匹配程度很高,如果匹配不好,恒流效果就变差,
并且R1 R3是和前级输出阻抗串联的,因此这里A3在这里除了补偿作用外,还起到0输出电阻作用。


实际上sw3、sw4用一个双刀双择继电器代替,由PC控制,继电器吸合时,工作在恒流状态;释放时工作在恒压输出状态。
这样用这样一个电路,就可以实现既能工作恒流输出,也可以恒压输出。



DAC部分
我采用廉价的M62359 8通道8bitDAC,一般用于电视机的直流音量、调谐等电路,价格便宜。
但8bit最多256步,B通道输出范围0~40V,即每步为0.156V,对于测量MOS管远远不够精度,
MOS管Vgs变化10mV,Id可能已经已经变化了500mA了,
因此为了测量MOS管,电压发生器的步长电压必须达到5mV,即8000个补偿,相当于13bit的DAC,
而多通道高bit的DAC也是超高价位,我这里采用两个DAC通过1K和56K电阻合成,相当于256×56=14bit的DAC
但这种DAC精度不好,实际上我这里不需精确的DAC,只需能够产生能够单调递增的电压即可。



待续

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-7 21:54:24 | 显示全部楼层
ADC采用8通道 14bit 带PGA和差分测量的ADS7871
因为测量Vbe Vce RC RB上的电压,采用差分测量+PGA放大,可以大大提高测量精度。比单端测量提高PGA倍的分辨率。



实际电路分别介绍如下
3通道功率放大器

(原文件名:功率放大器.GIF)
功率放大器都是由运放直接驱动互补跟随器形式的电路,因为都是直流放大,不需要处理交越失真,所以是工作在纯乙类就行了,C E通道因为需要处理大电流,因此功率管采用达林顿管,跟随器前面的R+RC网络是消振作用。
功率放大器均由DAC输出驱动,DAC是8bit的,最大输出电压12V,每2个DAC通过1K/56K电阻合成一个电压,以达到14bit的DAC效果,这里不要求DAC具有真正的14bit DAC的线性,只需能产生递增的电压效果就行了。
功率放大器增益为(56+18)/18=4.11倍,因此能够产生最小的步进电压幅度为12*4.11/256/56=3.4mV,对于测量已经足够了。
C通道还接有4档RC负载电阻,由J1 J22只继电器组成4选1电路,选择4个RC电阻中的一个。
U7用于缓冲隔离AD分压电阻网络作用
B通道较为复杂,因为B通道需要工作在恒压输出模式或者恒流输出模式,恒压/恒流模式由J5控制,当前图所示是恒压模式,因为U9b的放大系数只有56/18倍,因此加上U9a进行(18+56)/56放大补偿,结果总的放大倍数仍为(56+18)/18=4.11倍,以便和C E通道匹配。另外恒流模式下,要求前级的输出阻抗为0,U9a还起到缓冲作用。Vref2是恒流模式下的偏移电压,用于产生正或者负方向的恒定电流。
U6作用和U7一样,但同样在恒流模式下,它也是必不可少的。
功率放大器的C E通道供电由带过流保护的Vcc2供电,而B通道因为输出串联着RB,RB阻值最少也有500欧,即使短路,电流也不过80mA,B通道不用进行保护。



二、电源及保护电路

(原文件名:power suppry.GIF)
因为有大电流测量(>=3A),如果操作不小心,短路了就会烧毁,所以保护电路也需要包含在内。
2SA970及PMOS(MTP15P05)组成带正反馈的过流保护,过流检测电阻由PMOS管体电阻担当,正常时,2SA970不导通,PMOS管GS电压Vgs达到15V,PMOS管完全导通,DS之间呈现很低电阻(0.1~0.3欧左右)
当一旦过流,DS之间电压超过0.6V,2SA970导通
Vgs下降——》Rds上升——》2SA970更加导通——》Vgs下降——》Rds上升…..
这是一个正反馈,结果迅速使PMOS管截止,Vcc2只由500欧/4W电阻供电,限制电流只有80mA。一旦过流解除,电流降到1mA以下,电路又自动恢复。
当过流时,Over_CurrentLED会亮,指示发生了过流现象,而Protect_SW按下时,会解除保护电路。
15V稳压管用于保护PMOS管GS之间电压不超过15V,避免损坏PMOS管。
LM317组成24V给继电器供电,7812给DAC供电,7805给数字电路供电。TL431组成系统基准电压,Vref2提供给B通道恒流输出电路的偏压。



三、USB/RS232接口

(原文件名:USB-RS232.GIF)
RS232电压适配电路由MAX232组成,USB接口由PL2303组成,由背面的USB/RS232拨动开关选择是USB还是RS232接口



四、MCU控制及测量电路

(原文件名:MCU control.GIF)
由上面测量原理可知,只需测出Vch Vc Vb Vbh Ve这5个电压就可以测出被测期间所有参数,Vch Vc Vb Vbh Ve这5个电压的提取见3通道功率放大器电路图。
这5个电压经过J6 J7的校正放大器加到91K/12K+470P的ADC分压网络,ADC的基准电压大概是4.8V,因此最大测量电压为(91+12)*4.8/12=41V左右。
VE通道除了起到测量VE电压之外,还兼任外置基准电压、ADC分压电阻系数的测量;
当SW3接Vref,SW1接Inter,系统使用ADS7871内置2.5V基准电压测量TL431组成的外部基准电压值。
当SW4接Vref,SW3接Normal,SW1接Out,系统可以测出E通道的91K/12K分压电阻的实际分压系数。
而J6 J7是校正继电器,需要校正时,J6 J7都接到Ve端,即5个ADC通道都接到同一个电压上面,系统通过控制E通道功率放大器输出不同电压,通过计算得到Vch Vc Vb Vbh这4个通道的实际分压系数。
这4个分压系数的精度对于测量十分重要,因为系统采用差分+PGA放大测量,一般差分测量的话,对电阻匹配程度要求非常高,否则共模电压越高,对测量的影响造成的误差越大。例如用匹配程度是1%的电阻,如果共模电压36V,引起的误差达到2*36*1%/分压系数,达到84mV,对于Vbe只有0.7V的Vbe-Ic曲线测量,造成的误差达到12%;并且匹配程度还受温度影响有很大。
本系统采用计算校正的方法,通过复杂运算得到准确的实际电压,采用这种措施,即使采用5%的电阻,也可以达到比0.1%匹配电阻更好的测量效果。

ADC芯片采用14bit 8通道,支持差分及PGA放大测量的ADS7871芯片;DAC是8通道8Bit带缓冲输出的M62359,这里只使用了6个通道;继电器控制用74HC595和ULN2003,他们都是SPI接口,可以节省mcu端口数目。
Mcu采用带AD的STC12C5616AD,利用其AD端口以及其他IO端口组成管子类型判断以及管脚自动识别功能。


PCB

(原文件名:PCB.png)




关于测量校正部分
系统的测量原理见下图,

(原文件名:差分测量.png)
需要测量的电压有Vrc Vrb Vbe Vce
系统采用差分测量,例如需要测量Vrc,实际上是测出Vch和Vc,再相减得到Vrc,
如果电阻匹配性能很好,R1=k*R2,R3=k*R4
如果Vrc=0,则Vo也为0.
但如果R3 R4和R1 R2不匹配,例如R3=0.99*k*R4
Vrc=0时,Vo输出不为0,输出电压和Vch有关
Vo=Vch*(1/(k+1) - 1/(0.99*k+1))约等于0.01*k*vch /( (k+1)^2)
这里K系数为91K和12K电阻分压,k=7.5833
因此Vo=0.00103*Vch
这个Vch就是共模电压,就是说Vo不单和Vrc有关,还和共模电压Vch有关。
图示仪最大输出电压大概36V,即共模电压最大36V,因此Vo最大偏差为37mV,
也就是说1%匹配的电阻产生最大偏差电压37mV。
这个匹配除了阻值需要匹配外,温度系数也要匹配


这几十mV好像不影响测量效果,实际上你如果测量Vbe、Vgs电压,这些电压只有0.6V,某些JFET的Vgs只有0.1V,
刚好你需要测量P型和N型的配对管,N型的误差不到3mV,但P型管因为Ve有36V,此时测量误差就有37mV了,
对于异极性管的Vbe和Vgs测量,误差就算很大了

因此图示仪加入校正继电器,电路如下图

(原文件名:校正继电器.png)
正常测量时,Vb Vbh Vc Vch这4个AD通道接到vb vbh vc vch这4个电压,但在校正状态时,这4个AD通道都接到Ve端,
这时候Vbe Vce Vrb Vrc真实电压肯定就是0V,而他们的共模电压都是Ve。
系统提供的“偏移校验”按钮就是在继电器都打到Ve端子下,控制Ve从2.5V升到36V,测量Vrc Vrb Vce Vbe这4个电压,
理论上测量出这4个电压也应该为0,但由于电阻不匹配,就会导致测出来的这4个电压有偏差。
但系统经过校正的话,就能够保证这4个电压测量误差小于1mV,并且不会随共模电压Ve变化。并且长时间稳定性也很好,相当于使用了0.02%匹配电阻的效果!!。

(原文件名:漂移.png)

黑色是不勾选“测量前校正”选项的结果,Vrc随着共模电压的增大而增大,并且随着时间(或者说是温度)也有变化;
蓝色是勾选了“测量前校正”选项的结果,Vrc不会随着共模电压增大而变化,也不随着时间而变动,

出0入0汤圆

发表于 2011-1-7 22:21:00 | 显示全部楼层
这么好的帖子没人顶??
弱弱地问下:什么情况下会用到图示仪?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-7 22:28:28 | 显示全部楼层
管子类型及管脚识别功能则直接利用单片机的AD端口


主要是利用单片机端口可以设置成推勉输出或者高阻3态,高阻状态时,所接的电阻都不起作用。
例如测量上述NPN管,
设置Px1输出1,px2,px3,px为高阻,Vx1 Vx2为两个AD通道,目的测量R13上的电压和集电极电流。
设置Py3输出1,py1,py2,py为高阻,他们都不会影响py3的输出,因为R12是680K,电流很小,因此可以认为py3输出电压为5V,而vy2测量基极电压,运算也可以得到基极电流,也就可以运算得到hfe
设置Pz输出0,pz1 pz2 pz3为高阻,Vz2测量发射极电压,运算后就可以得到Vbe电压

系统按顺序设置px1 py1 pz1分别为0 1.而Px px2 px3 Py py2 py3 Pz pz2 pz3输出高阻,并测量R13 R10 R16上电压,如果他们上随便有一个电压超过20mV,就可以认为导通,设置状态位为1,因此得到如下真值表





判断FET管的程序如下:
for(i=0;i<12;i++)
SetPortZ(i); //设置所有输出为高阻  
// 按上面这6种顺序分别设置X Y Z通道电平 ,
//测量X Y Z这3个通道电阻上是否存在电压,  
//只要 导通 则记录其状态,  
state=0;
for(i=0,state2=0x20;i<6;i++)
     {j=FETTABLE;
      SetPort(PZ1,j&0x3);
      j>>=2;
      SetPort(PY1,j&0x3);
      j>>=2;
      SetPort(PX1,j&0x3);
      GetVoltage(1);    //所有ADC通道都进行一次采样
      v1=abs(Voltage[VX1]-Voltage[VX2]);   //这是X通道电阻上压降
      v2=abs(Voltage[VY1]-Voltage[VY2]);   //测量Y通道电阻上压降
      v3=abs(Voltage[VZ1]-Voltage[VZ2]);    //测量Z通道电阻上压降
      if (v1+v2+v3>7) //只要任意一个通道上电阻有压降说明导通了。
           {state|=state2;}      //设置state相应bit上的标志
      state2>>=1;
     }
然后根据state对照上面真值表可以得出X Y Z脚接的是GDS中那一只脚了。
对于JFET管,它具有DS对称互换性,因此不必进行DS判断。
switch (state)
     {case 0x13: //  NMOS  X->G    Y->S   Z->D
  state2=5;
   Pin=16;
   TestMOS(state2,PinX,PinZ,PinY,&Vth,&Vgs,&Id);
           break;
      case 0x23: // NMOS x->G  Y->D  Z->S
   state2=5;
   Pin=15;
   TestMOS(state2,PinX,PinY,PinZ,&Vth,&Vgs,&Id);
           break;
      case 0x0d: //NMOS X->S  Y->G  Z->D
   state2=5;
。。。。


而BJT管和二极管、电阻则用2端测量法来判断,即将其中一个端子设成高阻状态,以方便判断PN结极性。其真值表如下:



判断程序如下:

code unsigned char DIODETABLE[6]={0x12,0x6,0x24,0x21,0x18,0x09};
// 对应 X Y Z为 10Z  01Z  Z10  Z01  1Z0  0Z1
code unsigned char DIODEVOLTAGETABLE[6]={VY2,VX2,VZ2,VY2,VZ2,VX2};   //该状态下需要读取的AD通道

state=0;
for(i=0;i<12;i++)
SetPortZ(i); //设置所有输出为高阻  
//下面设置 X Y Z分别输出 0 1 Z(共6种组合),得到被测管状态,根据状态判断被测管是啥类型  引脚如何  
for(i=0,state2=0x20;i<6;i++)
     {vH=DIODETABLE;
      SetPort(PZ1,vH&0x3);
      vH>>=2;
      SetPort(PY1,vH&0x3);
      vH>>=2;
      SetPort(PX1,vH&0x3);
      GetADC(DIODEVOLTAGETABLE);
      vH=ADC_DATA;
      if (vH>0)  
   state |=state2; // if vH>0 说明Vh已经大于20mV了,即已经导通了。  
      else
   {
SetPortZ(PX1);        //但如果接的是很大阻值的电阻,那么470上的电压很低,也会少于20mV,以为没导通,所以撤换成R=120K再测量。
SetPortZ(PY1);
SetPortZ(PZ1);
vH=DIODETABLE;
    SetPort(PZ2,vH&0x3); //切换到 120K   
vH>>=2;
SetPort(PY2,vH&0x3);
vH>>=2;
        SetPort(PX2,vH&0x3);
GetADC(DIODEVOLTAGETABLE);
vH=ADC_DATA;
if (vH>3)  
   state |=state2; // if vH>3 mean vH more then 3*4*5mV=60mV   
SetPortZ(PX2);
SetPortZ(PY2);
SetPortZ(PZ2);
       }
  state2>>=1;
}

switch (state)
{case 0x22:   // NPN   X=B   NPN管  基极是X  
        state2=1;
if (TestBJT(1,PinX,PinY,PinZ,&VBE,&HFE,&IC))  //尝试BCE  如果管子可以测出参数,则TestBJT返回1, 并测出参数写在VBE HFE IC返回参数中   
{Pin=1;  }
else if (TestBJT(1,PinX,PinZ,PinY,&VBE,&HFE,&IC))    //再尝试 B E C排列并测出参数,
{Pin=2; }  //BEC
else
{Pin=0; }
break;
case 0x18: //  NPN  B=Y
  state2=1;
if (TestBJT(1,PinY,PinX,PinZ,&VBE,&HFE,&IC))   //CBE
  {Pin=4;     }
else if (TestBJT(1,PinY,PinZ,PinX,&VBE,&HFE,&IC))  //EBC
{Pin=5; }
else
{Pin=3; }
break;
case 0x5: //  NPN  B=Z
...

出0入0汤圆

发表于 2011-1-7 22:32:42 | 显示全部楼层
不懂,帮顶

出0入0汤圆

发表于 2011-1-7 22:40:16 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-7 22:41:00 | 显示全部楼层
一些测量截屏

LED在不同电流下的VI曲线 (原文件名:LED VI.png)


TL431在小电流下的VI特性 (原文件名:TL431.png)


2SK1058不同电流下的Vgs-Id特性 (原文件名:2sk1058 vgs.png)


2SA1302在不同电流下的Hfe-Ic特性 (原文件名:2sa1302 hfe.png)


2SA1305在不同电流下的vce-Ic特性 (原文件名:2sa1302 Vce.png)


MOS管P15D05的Vds-Id(小Vds区间内,主要观察Rds和Vgs关系) (原文件名:D15P05 Rds.png)


(原文件名:7805 Vi-Vo.png)



7805在不同负载电流下的Vi-Vo特性 <font color=green>(原文件名:7805 Vi-Vo.png)



PJFET管2SJ103的Vgs-Id曲线 (原文件名:2sj103 Vgs-id.png)

出0入0汤圆

发表于 2011-1-7 22:41:31 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-1-7 22:50:52 | 显示全部楼层
曾经见过楼主介绍过这东西,现在终于开贴了,强烈支持!!!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-7 23:18:12 | 显示全部楼层
一个很牛叉的东东!

出0入618汤圆

发表于 2011-1-8 04:24:31 | 显示全部楼层
牛叉。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 08:52:54 | 显示全部楼层
真牛叉。云里雾里的

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 08:55:01 | 显示全部楼层
回复【3楼】locky_z
-----------------------------------------------------------------------

......

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 08:58:23 | 显示全部楼层
好东西.
COOL.

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 09:22:12 | 显示全部楼层
这么牛的东西,为什么没人顶呢!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 09:38:55 | 显示全部楼层
很久没回复过帖子啦,这个那么牛,顶!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 12:13:43 | 显示全部楼层
图示仪是干啥的??

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 12:26:21 | 显示全部楼层
不错的东西,不知加入频响测量如何?

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 12:57:43 | 显示全部楼层

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 15:06:59 | 显示全部楼层
好东东

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 15:18:01 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 15:37:50 | 显示全部楼层
MARK

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 17:36:32 | 显示全部楼层
又见一牛人!!!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 18:47:06 | 显示全部楼层
牛人一个

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 19:04:34 | 显示全部楼层
帮顶,好

出0入0汤圆

发表于 2011-1-8 19:04:40 | 显示全部楼层
mk

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 12:56:38 | 显示全部楼层
新版本已完成?

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 13:07:56 | 显示全部楼层
学习,这个需要上位机支持!上位机是楼主自己写的吗?很牛叉!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 13:32:05 | 显示全部楼层
牛X!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 13:44:02 | 显示全部楼层
非常棒

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 13:44:56 | 显示全部楼层
jh

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 13:57:07 | 显示全部楼层
mark

出50入0汤圆

发表于 2011-1-11 14:00:31 | 显示全部楼层
强人,但是还是不太明白这东西的用途,去百度一下去。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 17:16:22 | 显示全部楼层
很不错,顶上去。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 19:26:28 | 显示全部楼层
强顶
这个东西据说用于做失效分析很不错

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 19:38:54 | 显示全部楼层
mark!!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-15 12:09:58 | 显示全部楼层
cool!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-15 13:23:32 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-1-15 22:38:48 | 显示全部楼层
牛叉。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-16 01:31:24 | 显示全部楼层
強人

出0入0汤圆

发表于 2011-1-16 09:42:25 | 显示全部楼层
帮钟兄顶一个,钟兄很厉害,理论和实践都很强,我少数佩服的几个人之一。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-16 10:30:57 | 显示全部楼层
这个得顶啊
头像被屏蔽

出0入0汤圆

发表于 2011-1-16 12:31:39 | 显示全部楼层
COOL !

出0入0汤圆

发表于 2011-1-16 12:39:56 | 显示全部楼层
这不是一般的强,是非常的强! 哈,顶!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-18 15:25:29 | 显示全部楼层
强,广坛见过楼主帖子。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-18 17:20:37 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-1-18 18:06:18 | 显示全部楼层
强贴,设计很巧妙!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-18 18:41:05 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-1-18 19:36:49 | 显示全部楼层
很牛。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-18 19:43:20 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-1-18 19:54:53 | 显示全部楼层
直接想买机器~~~有卖不?

出0入0汤圆

发表于 2011-1-18 20:21:23 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-1-18 20:47:20 | 显示全部楼层
记号~~~

出0入0汤圆

发表于 2011-1-18 21:32:00 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-1-18 22:27:39 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-3-14 21:00:09 | 显示全部楼层
淘宝链接
http://item.taobao.com/auction/item_detail.htm?item_num_id=9100380344

出0入0汤圆

发表于 2011-3-14 21:41:56 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-3-15 19:34:58 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-3-15 21:53:57 | 显示全部楼层

出0入0汤圆

发表于 2011-3-15 23:14:16 | 显示全部楼层
不知道能否测量复合管,比如达林顿管

出0入0汤圆

发表于 2011-3-16 11:16:40 | 显示全部楼层
ark

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-3-16 11:36:38 | 显示全部楼层
回复【59楼】chenzhengxi  
不知道能否测量复合管,比如达林顿管
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能提出这个问题的,肯定有过普通示波器图示仪使用经验。

达林顿管的Hfe随Ic变化极大(下图就是TIP142的Hfe-Ic曲线,X轴是Ic(mA),Y轴是Hfe,

(原文件名:TIP142 Hfe.png)

如果Ib从0开始扫描的话,得到的输出曲线不堪入目,根本看不到平常晶体管的Vce-Ic曲线的形状。
或者得到的也只是一两条曲线而已。

(原文件名:tip142输出曲线1.gif)
上面的曲线就是Ib=0.1mA 0.2mA  0.3mA  0.4mA时的Vce-Ic输出曲线,
其中Ib=0.1mA这一条曲线,Ic只有2mA左右,此条曲线看起来差不多直接贴着X轴。
但Ib稍稍增加到0.2mA,Ic就升到1000mA了。

如果你想看Ic为几mA范围的输出曲线的话,一般图示仪根本没办法看,除非图示仪允许Ib不是从0开始扫描的功能。
而我这图示仪则允许随意设置Ib范围,可以不用从0开始扫描,
你可以设置Ib=0.1mA  0.11mA  0.12mA   0.13mA   0.14mA这样的步进幅度来扫描。
例如下面就是Ib=0.1mA  0.11mA  0.12mA   0.13mA   0.14mA的输出Vce-Ic曲线

(原文件名:tip142输出曲线2.gif)

出0入0汤圆

发表于 2011-3-18 17:59:56 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-3-20 18:49:31 | 显示全部楼层
请上使用手册

出0入0汤圆

发表于 2011-4-27 13:03:18 | 显示全部楼层
好,留名留名。

出0入0汤圆

发表于 2011-4-27 13:47:02 | 显示全部楼层
很好的思路,用新技术实现 传统经典的测量

出0入0汤圆

发表于 2011-4-27 13:53:35 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-4-27 14:20:30 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-5-25 11:28:29 | 显示全部楼层
很好的思路,用新技术实现

出0入0汤圆

发表于 2011-6-24 00:20:01 | 显示全部楼层
高手 。。

出0入0汤圆

发表于 2011-6-24 00:35:06 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-6-25 16:07:11 | 显示全部楼层
学习一下

出0入0汤圆

发表于 2011-6-25 17:59:42 | 显示全部楼层
mark!

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-8-17 23:26:52 | 显示全部楼层
一般图示仪只能测量Vce-Ic曲线,也即通过不同的Ib测出一组曲线出来,但看Vce-Ic曲线难以定量知道管子性能好坏,
例如下面是2N3771的Vce-Ic曲线,

(&#212;&#173;&#206;&#196;&#188;&#254;&#195;&#251;:2.PNG)

虽然看到随着Ib增大,曲线的间距在减少,可以推断出管子的hfe随着Ic增大而减少,但想定量知道实际减少多少,则需要费一番周折。




而用智能图示仪的Ic-Hfe曲线,则可以很方便很直接看出管子的Ic-Hfe变化情况,下面是3种管的Ic-Hfe曲线,测量条件(Vce=10V)

(&#212;&#173;&#206;&#196;&#188;&#254;&#195;&#251;:1.PNG)

出0入0汤圆

发表于 2011-8-18 09:16:35 | 显示全部楼层
mark!

出0入0汤圆

发表于 2011-8-18 09:28:14 | 显示全部楼层
好资料,mark!

出0入0汤圆

发表于 2011-8-18 09:30:43 | 显示全部楼层
多谢楼主分享!!!!

出0入0汤圆

发表于 2011-8-18 09:35:36 | 显示全部楼层
mark!

出0入0汤圆

发表于 2011-8-18 09:40:04 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-8-18 09:42:41 | 显示全部楼层
好东西呀。

出0入0汤圆

发表于 2011-8-18 09:44:46 | 显示全部楼层
牛人啊

出0入0汤圆

发表于 2011-8-18 09:49:27 | 显示全部楼层
牛!

出0入0汤圆

发表于 2011-8-18 09:50:34 | 显示全部楼层
强大,拜读。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-8-19 14:47:51 | 显示全部楼层
智能图示仪的显示系统是很灵活的,并不是只限于测量特定的几条曲线,你可以灵活定义不同的坐标轴来显示不同类型的曲线。

系统能够测量的基本值共4种Vbe Vce Ib Ic

以Ic-Hfe曲线为例,用"Vb可变 Vce固定模式"测量,将Ic测量值为X轴,Ic除于Ib的商作为Y轴,这样就得到一条Ic-Hfe的曲线。

(&#212;&#173;&#206;&#196;&#188;&#254;&#195;&#251;:1.jpg)

上图X轴定义为I=abs(Ic),Y轴定义为Hfe=abs(Ic/Ib),其中abs的意思是取绝对值,目的是将Ic-Hfe曲线都转到坐标轴的第一象限显示。因为对于p型管,Ic,Ib是负的,而hfe=Ic/Ib是正的,如果不变成绝对值,那么p型管的Ic-hfe曲线就会在第3象限显示,这样想进行p、n管对比的话,就不好对比,但如果将它们都转到第一象限显示,就方便进行异极性对比了。


同样,在同样的测量条件,略修改一下坐标轴的变量,将X轴定义为Vbe,Y轴定义为Ib,那么测量出来的就是Vbe-Ib输入曲线了。

(&#212;&#173;&#206;&#196;&#188;&#254;&#195;&#251;:2.jpg)


将坐标轴定义改为X轴是Vbe,Y轴改为Ic,那么测量出来的就是转移曲线Vbe-Ic了

(&#212;&#173;&#206;&#196;&#188;&#254;&#195;&#251;:3.jpg)


你还可以用加入更复杂的运算,例如对Ib进行对数运算,显示Vbe-log(Ib)曲线

(&#212;&#173;&#206;&#196;&#188;&#254;&#195;&#251;:4.jpg)

出0入0汤圆

发表于 2011-8-19 15:41:44 | 显示全部楼层
果然是好东西啊。

出0入0汤圆

发表于 2011-8-19 17:59:23 | 显示全部楼层
好详细的讲解

出0入0汤圆

发表于 2011-8-19 21:44:07 | 显示全部楼层
不错,讲解的很仔细,先收藏一个,慢慢学习

出0入0汤圆

发表于 2011-8-19 22:16:03 | 显示全部楼层
很实用的东东
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-8-19 23:29:23 | 显示全部楼层
牛东东啊!

出0入0汤圆

发表于 2011-9-6 16:13:01 | 显示全部楼层
厉害

出0入0汤圆

发表于 2011-10-14 00:07:19 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-10-14 09:30:32 | 显示全部楼层
不错,原来的是太重了

出0入0汤圆

发表于 2011-10-14 10:19:51 | 显示全部楼层
Cool

出0入0汤圆

发表于 2011-10-14 10:22:18 | 显示全部楼层
mark

出0入0汤圆

发表于 2011-10-14 11:11:39 | 显示全部楼层
高人!!!!

出0入0汤圆

发表于 2011-10-15 01:56:12 | 显示全部楼层
mark学习

出0入0汤圆

发表于 2011-10-15 12:46:04 | 显示全部楼层
厉害,mark留名看

出0入0汤圆

发表于 2011-10-15 12:59:06 | 显示全部楼层
学习!
找个时间,自己也做一个!

出0入0汤圆

发表于 2011-10-15 13:02:41 | 显示全部楼层
只能mark下了

出0入0汤圆

发表于 2011-11-20 22:04:00 | 显示全部楼层
好东西,学习了,关于过流保护的东西,我借用一下,谢谢呀!
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