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急问:可控硅的使用,急盼高手指点——有图,很简单,麻烦高手看一眼

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出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 14:20:35 | 显示全部楼层 |阅读模式

(原文件名:QQ截图未命名.png)

问:
1、R38+C25与C31功能具体是什么?取值原则是什么??
2、现在有一个问题:可控硅关闭时,电流通过R38+C25流向输出端,怎么处理这个问题
3、实验发现:R38+C25对抗高温有用处(上过高低温试验箱),这个结论正确吗??
4、为了解决R38+C25漏电流的问题,将R38+C25去掉可不可以?如果可以,抗高温怎么处理??

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

一只鸟敢站在脆弱的枝条上歇脚,它依仗的不是枝条不会断,而是自己有翅膀,会飞。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 14:42:05 | 显示全部楼层
1.R38+C25:为了电路电压上升速率不至过大,确保可控硅安全。C31:触发移相。
2.这个问题对你的被控电路应该没影响,如确有影响,减少C25,减少到多少视负载特质如定,如为阻性负载,R38+C25可以不需要。
3.这个结论没有依据,不正确。
4.回看第2点。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 14:47:46 | 显示全部楼层
我问下,C31的容量是不是弄错了?
这个电路要移相?
对于3021这个光耦来说R44的值有问题,记得3021的驱动电流没有这么小的
R38和C25对于小电流大感抗的负载是很难取值的,如果真的是这种负责,建议还是用继电器比较好。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 14:48:10 | 显示全部楼层
回复【1楼】on971  
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非常感谢您的回答,我先好好理解理解您的回答,谢谢

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 14:49:42 | 显示全部楼层
R38+C25还和可控硅的If有关。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 14:54:53 | 显示全部楼层
回复【1楼】on971  
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1.R38+C25:为了电路电压上升速率不至过大,确保可控硅安全。C31:触发移相。

抑制电压上升率很好理解,可是触发异相怎么理解啊???一般什么情况下用触发移相啊??
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2.这个问题对你的被控电路应该没影响,如确有影响,减少C25,减少到多少视负载特质如定,如为阻性负载,R38+C25可以不需要。

负载是开关电源,应该不是阻性负载,是容性的吧?
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3.这个结论没有依据,不正确。
偶!那看来我们的高低温实验白做了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 14:58:58 | 显示全部楼层
回复【2楼】xiaobendan  仲跻东
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我问下,C31的容量是不是弄错了?

我电路上就是接的这么大的。不过好像不接也没啥影响。

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这个电路要移相?

我也才知道C31的作用是移相,我们的电路应该是不需要移相的,后面负载就是一个开关电源,用来给LED屏供电的。
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R38和C25对于小电流大感抗的负载是很难取值的,如果真的是这种负责,建议还是用继电器比较好。

不行啊,开关太频繁(1s一次),继电器恐怕撑不了多久

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 15:00:46 | 显示全部楼层
回复【1楼】on971  
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2.这个问题对你的被控电路应该没影响,如确有影响,减少C25,减少到多少视负载特质如定,如为阻性负载,R38+C25可以不需要。

再问高手:这个漏电流大概会是多少啊???
去测测吧。。。。。。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 15:10:54 | 显示全部楼层
回复【5楼】XIAN1987
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1.C31取值可能太大了(10微),你拿示波器观察一下取不同的C31的值,其输出(负载两端)波形对应关系就明白了,理想的波形应该是这时市电的波形(完整的正弦波)。
2.开关电源可能偏容性吧,建议串个电感在可控硅输出上,如果开关电源本身在输入端就有电感,可免。
3.没有白做,看看会不会暴露其它问题也不错。注意,可控硅过热时会失控,就是不听使唤。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 15:15:28 | 显示全部楼层
负载如果是用来驱动LED屏的开关电源,没必要这样应用。
对开关电源的寿命有影响。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 15:17:40 | 显示全部楼层
回复【6楼】XIAN1987
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你大概把这个电容的移相作用理解成最终会导致输出电源波形发生移相了吧?它没有这个本事的,是触发信号的移相(滞后了)。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 15:53:45 | 显示全部楼层
回复【10楼】on971  
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偶,谢谢。这个我明白了。移相就是触发信号滞后。那么我的电路应该可以去掉这个东西的。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 16:05:26 | 显示全部楼层
回复【11楼】XIAN1987
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预计不能去,去后的输出波形变劣。你这个电路的输出波形估计不是太好,你用示波器观察一下吧,这点不肯定。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 16:07:39 | 显示全部楼层
回复【8楼】on971  
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1.C31取值可能太大了(10微),你拿示波器观察一下取不同的C31的值,其输出(负载两端)波形对应关系就明白了,理想的波形应该是这时市电的波形(完整的正弦波)。

这个就先不用管了,因为我的电路应该是不用移相(触发信号滞后)的,所以我打算把C31给去掉。。。。
2、但是有一个非常严重的问题:
我才想起来,这个C25的10nf其实是以前的值,现在的值其实是220nf。我马上把电路给改过来。
另外:我已经知道,这个电容太大的话会导致漏电流,所以我应该把它给改小。但是太小了以后对于抑制电压上升率又会有不利影响,所以我只能根据实际的实验来确定这个值的大小。是不是这样理解啊,前辈???

另外说明:为什么我们会把10nf改成220nf呢??因为我们做高低温实验时发现,在高温时(50-60℃),10nf会导致可控硅误打开,但是改成220nf时就没这个问题了。

所以,前辈,我这个C25应该是太大了吧——我想是的,的确太大了。
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2.开关电源可能偏容性吧,建议串个电感在可控硅输出上,如果开关电源本身在输入端就有电感,可免。

前辈这样说是不是可以理解成:在容性负载两端串上一个电感,让负载整体呈阻性,然后就可以把R38+C25去掉,或者是把C25改的更加小。是不是可以这样理解呢??

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 16:25:38 | 显示全部楼层
上面的电路图是我现在实际的电路:根据个位前辈的解释,我大概总结一下我理解:

我的问题1:在可控硅关断时,有较大的电流(15毫安)电流从22V IN端通过R38+C25流到220V OUT端,这个电流对我的电路是有较大影响的。
解决思路1:C25的容值太大了(现在取值是224,220nF),应该改小(10nF甚至更小),这种方法肯定可以减小漏电流。
解决思路2:最彻底的消灭漏电流的方法是直接去掉C25+R38,但是只有阻性负载是可以这么干,而我的负载是容性的,这种方法行不通。但是也许可以通过给负载串接电感来中和容性负载,这样使负载呈阻性,就可以去掉C25+R38了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 16:30:41 | 显示全部楼层
我的问题2:如果将C25的容值改小的话,会出现高温时(50-60℃)可控硅误打开,或者管不断,怎么解决
解决思路:现在还没思路,听on971 前辈的说法,C25值变大并不会改善这个高温误打开或管不断的问题。还是先试着解决漏电流的问题再考虑这个问题吧。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 16:32:00 | 显示全部楼层
我不是前辈,是在读小学生,年龄10几。哈哈
1.建议C31还是该管管,除非想出劣品。
2.这个电容的漏电流其实很小很小,粗算就是市电电压/该值电容的容抗,从你的情况来看,不会影响应用。可控硅误打开,是高热使然,如果成立,加散热器吧。
3.不是在在容性负载两端串上一个电感,是在任一端串,注意是串,一般在L线上。参数设计得好,R38+C25可以去除(视为眼中钉,非去不可的话)。目的不是让负载整体呈阻性,而是减弱电流上升速率(因负载的容性),保护可控硅。这个电感用合适参数的电阻代替也可以,缺点是发热。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 16:35:27 | 显示全部楼层
我的问题3:我现在已经知道C31的作用是移相(使触发信号滞后),那么我觉得我的电路没有这个需求(不知道哪里会有这样的需求?),所以,我可不可以去掉这个C31.
解决思路:根据先有的实验,C31好像没有什么用处。至少对我的电路没什么用处。至于on971 前辈说“去掉后会导致输出波形变差”,这对我的电路应该没有什么影响。因为我的输出就是接到开关电源上给LED显示器供电用的,所以输出波形变不变差应该没有什么影响。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 16:40:50 | 显示全部楼层
回复【16楼】on971  
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1.建议C31还是该管管,除非想出劣品。

我的输出波形差不差无所谓,因为输出就是用来供电的。所以应该不会出劣品吧??
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2.这个电容的漏电流其实很小很小,粗算就是市电电压/该值电容的容抗,从你的情况来看,不会影响应用。可控硅误打开,是高热使然,如果成立,加散热器吧。
3.不是在在容性负载两端串上一个电感,是在任一端串,注意是串,一般在L线上。参数设计得好,R38+C25可以去除(视为眼中钉,非去不可的话)。目的不是让负载整体呈阻性,而是减弱电流上升速率(因负载的容性),保护可控硅。这个电感用合适参数的电阻代替也可以,缺点是发热。

至于这两条,我就只能是好好学习,努力理解,多做实验了。。。。。。。。。。。
谢谢前辈啦。实在惭愧,上学时没学好,现在只好多做实验了——唉,都怪自己

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 16:42:56 | 显示全部楼层
回复【17楼】XIAN1987
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波形不完整(或者说电流不连续),就会成为一个强烈的辐射源,成为公害,输出电压就不再是市电电压值了,低到一定程度时肯定对负载有影响,除非这个负载是宽限电压设计的。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 16:45:46 | 显示全部楼层
回复【19楼】on971  
波形不完整(或者说电流不连续),就会成为一个强烈的辐射源

老大,你连辐射都考虑到了,俺对你的佩服简直如滔滔江水啊!!!!!

不过,俺们的产品是个倒计时牌,很低端,很低端的东东

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 16:48:39 | 显示全部楼层
回复【20楼】XIAN1987
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别忘了当工程师应有的的社会责任

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 17:02:40 | 显示全部楼层
回复【21楼】on971  
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偶,前辈是说电力污染吧?呵呵,是应该考虑考虑

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 17:17:28 | 显示全部楼层
自己对这个也没有理解

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 17:30:34 | 显示全部楼层
学习了

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 17:31:00 | 显示全部楼层
漏电流真的是R38+C25引起的吗?会不会是光藕没有彻底关断?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 17:43:54 | 显示全部楼层
回复【25楼】akcheng  
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已经测试过了,可控硅确实是彻底关断的

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 18:42:03 | 显示全部楼层
回复【6楼】XIAN1987
回复【2楼】xiaobendan  仲跻东
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我问下,c31的容量是不是弄错了?  
我电路上就是接的这么大的。不过好像不接也没啥影响。
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这个电路要移相?  
我也才知道c31的作用是移相,我们的电路应该是不需要移相的,后面负载就是一个开关电源,用来给led屏供电的。
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r38和c25对于小电流大感抗的负载是很难取值的,如果真的是这种负责,建议还是用继电器比较好。
不行啊,开关太频繁(1s一次),继电器恐怕撑不了多久

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这个控制方法很笨拙,为什么不考虑控制LED的方法或其它的?如果电源有使能端的话,可以利用该端口控制,9楼已指出过弊端了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 20:23:36 | 显示全部楼层
回复【27楼】on971  
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呵呵,产品都已经出来了,不好大改动——俺们头说的

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 21:04:04 | 显示全部楼层
仿真了一下,吓了一大跳:

(原文件名:QQ截图未命名.png)

10mA!! 这个值虽然和实际电路测得的值不同(实测值15mA),但是已经相当的给力了,毕竟这个仿真只是一个简化模型,很多东西都没有画上去。可见,即使仿真还是确实有一些指导意义的,看来今后要多多仿真电路啊。

下一步打算把电容改成10nF,从下面的仿真结果来看,很是鼓舞人心啊——当然了,也还是要进行实际的电路实验才能最终下结论啊。

(原文件名:QQ截图未命名1.png)

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 21:07:56 | 显示全部楼层
回复【27楼】on971  
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前辈认可仿真否,是否经常对电路进行仿真????

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 21:27:29 | 显示全部楼层
回复【29楼】XIAN1987
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漏电流实测值15mA没有错。


(原文件名:漏电流15mA.PNG)

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 21:50:41 | 显示全部楼层
回复【31楼】JQ_Lin  
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OU My God!!!谢谢你啊。我把220V当成幅值了,应该是真有效值才对。
你的电路是对的。非常感谢,非常非常感谢!!!

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-10 21:52:55 | 显示全部楼层
越来越发现,OURDEV牛人多,热心的人多,真是个非常好的论坛啊!!!!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-10 23:18:29 | 显示全部楼层
回复【29楼】XIAN1987
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    我在16楼说,粗算就是市电电压/该值电容的容抗,可能误导你了,应该是粗算就是该电容两端的压降/该值电容的容抗,或者R38两端的压降/R38阻值。
    事实上,你的仿真模式太简化了,还必须考量通过这个电容的电流,还要流经开关电源,所以平均电流应小于你仿真的电流。
    下面讨论三种情况,请XIAN1987思考,欢迎大家参与。
    1.可控硅截止,R38不变,C25增大容值,增大到开关电源得电开始工作,有微弱的可以连续的电流输出能力,假定R38能耐得住,流经C25的电流大体是什么情形?
    2.可控硅截止,R38不变,C25容值减少,减到开关电源得电间歇工作(假设这个电源是这样),有断续的电流输出,流经C25的电流大体是什么情形?
    3.可控硅截止,R38不变,C25容值再减少,减到开关电源不出现间歇工作情况,毫无电流输出能力,流经C25的电流大体是什么情形?

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 08:18:06 | 显示全部楼层
有没有测量过开关电压的功率因数?一定是容性的吗?
我觉得C31太大会增加R41和光耦的负担。
作为目的是想抑制可控硅的G端的尖脉冲的影响,一般C31取值104。
负载的电流有多少?
如果大容量的继电器,比如大于负载电流50倍以上的,100万次寿命是可以保证的,我用3A的继电器控制0.03A电流,目前有200万次的动作都没有坏过。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 08:28:28 | 显示全部楼层
回复【34楼】on971  
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谢谢,我仔细看看,认真学习一下。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 09:03:41 | 显示全部楼层
回复【35楼】xiaobendan  仲跻东
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有没有测量过开关电压的功率因数?一定是容性的吗?

开关电源里面有很多电容,所以呈容性,网上都这么说,这个还要测量吗??难道有开关电源不呈容性的吗????
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我觉得C31太大会增加R41和光耦的负担。
作为目的是想抑制可控硅的G端的尖脉冲的影响,一般C31取值104。

C31的作用不是移相(时触发脉冲迟滞)吗??还有抑制G端尖脉冲的作用???要是那样的话,看来我的电路还不能将它给去掉啊。。
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如果大容量的继电器,比如大于负载电流50倍以上的,100万次寿命是可以保证的,我用3A的继电器控制0.03A电流,目前有200万次的动作都没有坏过。

200万次太少了,我用在交通灯上,每秒钟开关一次,一天工作时间至少12小时,这样一天就要开关12*3600=40000次,200万次也只能正常工作50天,所以继电器绝对不能用

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 09:13:23 | 显示全部楼层
回复【34楼】on971  
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我仔细考虑过了,上面的仿真模型虽然简化了,但是大体结构还真是那样子的,而且仿真的结果和实际的测量结构惊人的相似。
当然了,由于我只上传了一小部分电路,你也不可能推算出我的电路的工作情况。
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对于你下面所说的三种情况,确实值得好好思考和学习。但是对于我当前的电路和工作,我只要尽量的减小电容C25使漏电流足够小就可以解决我的问题了。

可是我现在担心的是,减小C25可能带来的副作用:抑制电压上升率的作用减弱,从而导致上电时可控硅的误打开。这个问题还没有解决的思路啊——不管了,先解决前一个问题再说

出20入22汤圆

发表于 2011-1-11 09:44:19 | 显示全部楼层
R38、C25应该是用于抑制负载在可控硅开关时产生的尖峰

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 10:00:32 | 显示全部楼层
回复【39楼】gyzzg2030  
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应该也由这方面的作用

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 10:46:45 | 显示全部楼层
抽空来详解C31的重要性,不知大家有兴趣否?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 10:51:18 | 显示全部楼层
回复【42楼】on971  
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非常感兴趣,急切盼望。最好是图文并茂,既有理论分析,又有仿真图形——呵呵,是不是太贪心了

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 11:58:36 | 显示全部楼层
回复【1楼】on971  
1.r38+c25:为了电路电压上升速率不至过大,确保可控硅安全。c31:触发移相。
2.这个问题对你的被控电路应该没影响,如确有影响,减少c25,减少到多少视负载特质如定,如为阻性负载,r38+c25可以不需要。
3.这个结论没有依据,不正确。
4.回看第2点。
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第三条是有根据的。晶闸管高温下dv/dt抑制能力迅速下降。晶闸管的dv/dt参数一般都是给出高温的,因为常温讨论这个意义不大。然后就如你所说第一条,需要RC吸收抑制尖峰,防止误导通。

如果这个RC的漏电会对你负载造成影响,那么考虑使用两支单向晶闸管反并联来取代双向晶闸管,当然你的触发电路得重新设计。由于单向晶闸管的dv/dt远高于双向晶闸管,在一般工频场、合阻性负载时,可以取消RC吸收。五六十度就能让晶闸管失控,不知你测量的是何处的温度。让晶闸管可靠运行,应该保证其结温比额定结温低二十五度以上。仅仅测量壳温甚至是散热器的温度,不能完全说明问题。

C31我认为是提高门极抗干扰能力的,与移相触发没什么关系。

最后我想问一下,你的实际工作电流是多大?

仅供参考。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 12:07:26 | 显示全部楼层
回复【44楼】qilujie  福大狗
第三条是有根据的。晶闸管高温下dv/dt抑制能力迅速下降。晶闸管的dv/dt参数一般都是给出高温的,因为常温讨论这个意义不大。然后就如你所说第一条,需要RC吸收抑制尖峰,防止误导通。
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非常感谢您的回复,受益匪浅啊!!我们做的实验支持您这番观点。
RC漏电流对我们的系统的影响的确非常大,那么只能使用两只单向晶闸管反并联来取代双向晶闸管这种方案了吗??有没有dv/dt抑制能力较高的双向晶闸管呢???

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 12:12:46 | 显示全部楼层
请您先说一下工作电流是多少。晶闸管如果会对你的设计带来麻烦,为何不绕开晶闸管呢?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 12:32:16 | 显示全部楼层
回复【46楼】qilujie  福大狗
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现在的漏电流是15mA(连入两个灯组时)或者10mA(连入一个灯组时),必须把电流控制在1mA以下。
绕不开晶闸管,继电器肯定是不行的。不知道除了这两个还有什么器件可以起到相似的效果???

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 12:34:24 | 显示全部楼层

(原文件名:未命名.GIF)
由于MS10中IRF460没画体二极管,我以4148表示。两个MOSFET反串联,导通时,其中一个工作在正向导通状态,另一个视ID不同,可能工作在同步整流状态或者体二极管导通状态。不论是哪种,几Khz应该都没有问题。
功耗:ID*Rds(on)+Max(ID*Rds(on),ID*Vf),即正向加反向,反向视工作状态取其大者。

缺点也很明显,不隔离,开启电压较高,最重要的,怕感性负载,要注意电压尖峰。不过你是容性的…应该没什么问题。

选取合适的管子,控制好导通电阻,功耗可以不输给晶闸管。晶闸管典型压降0.8~1.5V。

保护电路选用500V的TVS,总漏电应该不超过你的要求,而且保护MOSFET也问题不大

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 12:47:19 | 显示全部楼层
好贴!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 12:55:49 | 显示全部楼层
乐意于讨论,从讨论中去伪存真,从中得到学习与提升。
要回到楼主位的“3、实验发现:R38+C25对抗高温有用处(上过高低温试验箱),这个结论正确吗?? ”这里指的发生了什么实际现象?请详述。可控硅坏了没有?是暂时“坏”了还是永久性坏了?

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 12:56:33 | 显示全部楼层
MARK

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 12:59:22 | 显示全部楼层
回复【50楼】on971  
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我臆想一下吧:应该是失控,无信号开通,倒不至于彻底损坏,回到常温应该又恢复正常了

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 13:11:07 | 显示全部楼层
回复【50楼】on971  
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没有坏!
就是说:在常温下,P3.4为为高时,220V OUT端突然上电,可控硅不会被冲开,是良好关断的。
而当温度升高到60摄氏度时,P3.4为高时,220V OUT端突然上电,可控硅突然打开,电流从220V OUT 流向220V IN,然后几毫秒后(或者几十毫米,我是目测的),可控硅又关断了。

而当C25电容容值升高到224时,不论高温还是常温(低温我们也做了零下50摄氏度),只要P3.4为高,220V OUT突然上电时可控硅始终保持良好切断。

我个人认为44楼qilujie 福大狗所给出的解释“第三条是有根据的。晶闸管高温下dv/dt抑制能力迅速下降。晶闸管的dv/dt参数一般都是给出高温的,因为常温讨论这个意义不大。然后就如你所说第一条,需要RC吸收抑制尖峰,防止误导通”应该是站得住脚的。

不知,on971前辈想法如何???

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 13:16:05 | 显示全部楼层
回复【48楼】qilujie 福大狗
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这个图做为启发拓展开发思维是很不错的。但在这里做为实际运用,必然使控制栅极的控制电路复杂化,导致成本的上升。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 13:23:37 | 显示全部楼层
回复【54楼】on971  
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确实如此。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 15:05:36 | 显示全部楼层
回复【53楼】XIAN1987
回复【50楼】on971   
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没有坏!
就是说:在常温下,p3.4为为高时,220v out端突然上电,可控硅不会被冲开,是良好关断的。
而当温度升高到60摄氏度时,p3.4为高时,220v out端突然上电,可控硅突然打开,电流从220v out 流向220v in,然后几毫秒后(或者几十毫米,我是目测的),可控硅又关断了。
而当c25电容容值升高到224时,不论高温还是常温(低温我们也做了零下50摄氏度),只要p3.4为高,220v out突然上电时可控硅始终保持良好切断。
我个人认为44楼qilujie 福大狗所给出的解释“第三条是有根据的。晶闸管高温下dv/dt抑制能力迅速下降。晶闸管的dv/dt参数一般都是给出高温的,因为常温......
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    可控硅不是永久性损坏正好证明了你在高温试验时所看到的暂时性失控不是由电压(或电流)上升速率(dv/dt)导致的,电压(或电流)上升速率过高致可控硅损坏是不可逆转的,可控硅是会永久损坏的。
    你看到的现象其实很好理解,相对于在未增大C25之前,,流经可控硅的负载电流要比增大了C25之后的要多一点点,正是多出来的这么一点点的电流,成为压垮骆驼的最后一根稻草---正好在你实验的特定温度环境下,使可控硅处于失控的温度临界点,任意可控硅都可以找到这个点,有的高些,有的低些,在某个区间里。一旦电流有所减少,则温升有所下降,稍偏离这个失控的温度临界点,可控硅又恢复了它的活力---正常了。流经可控硅的电流为什么少了?因为C25增大后分流了负载电流。
    你可以做个实验,不增大C25,让负载电流恒定(要搞个固定的负载,电流和你的实际应用电流差不多,呈阻性容性感性都无所谓,但不能直接用电容代替),你试提高实验温度,使可控硅失控,记下这个温度。增大C25,同样的方法,记下这个温度。注意,这个实验的重现性不是太好,同等条件下每次的失控温度点可能数据偏离较大。
    其实,只要确保可控硅在极限条件下不失控,大可采用我之前提出的串个合适参数的电感(得依据被控对象来设计),把R38,C25取消。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 15:41:10 | 显示全部楼层
回复【56楼】on971  
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谢谢,比较复杂,我先理解一下——现在正在做实验

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 19:22:15 | 显示全部楼层
回复【56楼】on971  
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本着学习交流的目的,我想指出您的一个错误。

“可控硅不是永久性损坏正好证明了你在高温试验时所看到的暂时性失控不是由电压(或电流)上升速率(dv/dt)导致的,电压(或电流)上升速率过高致可控硅损坏是不可逆转的,可控硅是会永久损坏的。”
这句话对了一半。
晶闸管的dv/dt指标全称是:临界电压上升率。该指标是指在额定结温下(一般是高温,100~150℃),能够保持晶闸管阻断,而不会转入导通的所能施加的最大电压上升率。其本质是,在外电场的剧烈变化下,结电容会有充放电现象,好比一个电容放在交流电场合中,是会有电流流过的。当dv/dt越来越大,这个瞬态的电流也越来越大,如果GK两极之间的瞬态电流达到触发电流值,则晶闸管会转入导通。对于晶闸管来说,这和施加门极触发信号从而导通没有什么区别,在一个正常电路中,有负载的情况下一般不会损坏晶闸管;对于人来说,则是表现为未经触发,晶闸管擅自导通。此种故障一般是不损坏晶闸管的。
常温下不会有dv/dt的顾虑吗?一般没事,因为高温dv/dt低是因为高温下载流子活跃,PN结之间的暗电流已经很大(宏观为零),所需的误触发电流下降。常温dv/dt值远大于高温,而你的设计要保证高温dv/dt够用,常温自然也就够用啦。

晶闸管di/dt则是指的临界电流上升率。这个指标是说:在正常触发晶闸管之后,晶闸管刚刚导通的瞬间,所允许施加在晶闸管上而又不致损坏的最大电流上升率。我们回想一下书中的晶闸管模型,晶闸管之所以能由一个小电流触发并能维持导通状态,是由PNP+NPN正反馈而来的。当然,实际的晶闸管仅仅是4层硅器件,但这个模型的原理是正确的。触发后,在门极的附近,正反馈导通区域开始形成,这个导通区域会在短时间内(一般是几个微秒)扩展到整个PN结,晶闸管全面导通。如果在完全导通之前施加极大的电流给晶闸管,由于此时只是部分PN结导通,则导通区域的电流密度极大,会导致很高的温升。这个温度有可能摧毁晶闸管,此种损坏是永久性的。

再多说两句。


(原文件名:scr.GIF)

这是晶闸管芯片的示意图,画得比较烂。
左侧的一般是中小功率晶闸管,因为其门极在一侧,触发时扩展到全面导通所需的时间长,di/dt耐受能力不够;右侧的是中心门极,多为中到大功率晶闸管,道理很简单,从中心往四周辐射,全面导通是最快的。触发晶闸管时一般要求强触发,即所谓的脉冲前沿要陡峭、幅度要高,这都是为了增加初始导通面积,缩短横向扩展时间,减少di/dt损坏的考虑,而不是想从ton当中抠出来几个微秒的时间。

一般来说,双向晶闸管的各种指标都远逊于反向阻断型晶闸管,双向晶闸管的优势恰如其名,仅此而已。楼主所说的60℃开通,我看帖子感觉是他们把仪器全部放进高温箱,60℃恒温后做实验出的这个现象。随温度升高,dv/dt开始下降,在out端电压高于in端时C31的存在导致电流触发导通。C31的存在不能说没必要,但起码有副作用。
首先建议去掉C31,这样做是考虑Vin>Vout时防止误触发,但你却让Vout>Vin时不受控。个人觉得这个C31设计是不对的。其次,更换晶闸管,换个dv/dt大的。至于漏电不到1mA的问题,你可能需要重新考虑电路的设计,改进余地似乎不大。轻易去掉RC是在赌博,不是个好办法。

一家之言,让板砖飞的更猛烈些吧。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 19:46:29 | 显示全部楼层
回复【58楼】qilujie  福大狗

首先建议改小C31,104就不小,你居然用106.
这个我已经这样做了
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其次,更换晶闸管,换个dv/dt大的。

这个我也正考虑去找,现在用的其实是BTA16-600,如果你知道哪一系列的dv/dt大,请指点一个方向吧,免的我乱找一通。
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至于漏电不到1mA的问题,你可能需要重新考虑器件的选择,改进余地似乎不大。

这个什么意思啊??换器件是指换另一类双向晶闸管啊?还是指的直接抛弃晶闸管选择其他的如继电器一类的东东啊??
首先说明,继电器绝对没法用——对我们的应用开关次数寿命太短。那么还有那类器件可以起到类似的功能呢???

另外问一下,前面有前辈推荐使用两个单向晶闸管反向并行连接来代替一个双向晶闸管。不知道阁下认为此种方案可行否???

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 19:56:24 | 显示全部楼层
你直接买个成品固态继电器不行吗?非要自己做

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 19:58:39 | 显示全部楼层
我的建议已经在48楼了,如果要实现隔离额外加一套电源。其他办法我也没有了。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 20:57:10 | 显示全部楼层
固态继电器还不是可控硅……
可控硅是零流关断尖峰电压何来?电源输入端?那把c25改接到电源端就是了。尖锋来自后级开关电源?噢后院起火把R38C25复制到开关电源端吧。解决了漏电流到c31了……呃真不知道这个电容何用,想不污染电源做到过零触发就够了。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 21:09:30 | 显示全部楼层
回复【62楼】hemjidn  
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没错固态继电器内部一般是双向可控硅或者双单向可控硅。我只是看他做的这么费劲,不如直接买个。
尖峰是指电网上来的。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 21:24:49 | 显示全部楼层
回复【63楼】qilujie  福大狗
没错固态继电器内部一般是双向可控硅或者双单向可控硅。我只是看他做的这么费劲,不如直接买个。
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您这么一说我明白了,您是说固态继电器就是一个封装了触发信号处理前端的双向可控硅,直接用固态继电器取代双向可控硅的话就可以省去了自己处理C25+R38以及C31这些使用可控硅的附属元件了,而且还更加的可靠。
不知道我理解的对不对啊????


可是,还有一个情况:可控硅10元以内,固态继电器怎么这也得上百啊。我们一个倒计时牌就要用6个可控硅,如果换成固态继电器的话,成本一下子上升了600多块钱。所以,刚开始领导就把固态继电器给否决了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 21:36:53 | 显示全部楼层
回复【62楼】hemjidn  

可控硅是零流关断尖峰电压何来?电源输入端?那把c25改接到电源端就是了。尖锋来自后级开关电源?噢后院起火把R38C25复制到开关电源端吧。
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应该是来自电源输入端,而且C25本身就是接到电源端的,我们现在的问题不是尖峰脉冲,而是C25过大导致漏电流太大。

解决了漏电流到c31了……呃真不知道这个电容何用,想不污染电源做到过零触发就够了。
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你说的那个过零触发,我去网上查了一下,大概明白了,网上的解释是“可控硅过零触发器能使双向可控硅的开关过程在电源电压为零或电流为零的瞬间进行触发。这样,负载的瞬态浪涌和射频干扰最小,可控硅的使用寿命也可提高。”,这个我还是很容易看得懂的,我现在不考虑会不会污染电网,所以不要考虑过零触发。

至于C31的作用我还真得好好查查。不过我已经换成104了,我想有了它总不至于有坏处吧??——除了多花几毛钱

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 21:47:47 | 显示全部楼层
mark 回去看

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 21:50:17 | 显示全部楼层
回复【楼主位】XIAN1987
问:
1、R38+C25与C31功能具体是什么?取值原则是什么??
2、现在有一个问题:可控硅关闭时,电流通过R38+C25流向输出端,怎么处理这个问题??
3、实验发现:R38+C25对抗高温有用处(上过高低温试验箱),这个结论正确吗??
4、为了解决R38+C25漏电流的问题,将R38+C25去掉可不可以?如果可以,抗高温怎么处理??
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1、R38+C25与C31功能具体是什么?取值原则是什么??

  对于非阻性负载来说,电流与电压不同相。由于TRIAC两个方向都能导电,所以电流经过零值的时间是很短暂的。电流与电压之间的相位差意味着,当流经TRIAC电流下降到低于其维持电流而截止时,在TRIAC两阳极间会存在一定的或相当大的电压。如果这一电压出现得太迅速,可能使得TRIAC恢复导通,发生失控。同样,当设备上电瞬间,TRIAC两阳极间也可能因凸现电压造成失控。
  为避免失控,实现正常操作,在TRIAC两端并联一RC网络。这个RC网络叫作阻容吸收回路,也被称作“缓冲器”,起到保护TRIAC的作用。当TRIAC截止时,C用于限制跨越TRIAC两端的电压上升率;当TRIAC导通时,R可以限制来自C的电流冲击,并对电容C和可能存在的电感L之间的阻尼震荡起衰减作用。
  不难理解,这个缓冲网络还有抑制由于交流电压波动而产生的瞬态电压的作用。

  R和C的值与负载状况有关。没有一个简单的方法可以用来选取R和C的值,几乎不可能估计和测试实际工作条件下的每一种可能的RC组合。
  增大C的值;可以降低电压上升率dV/dt;增大R的值,可以避免共振和降低电流上升率dI/dt。一般,负载电流小时,C的值选取较小;负载电流大时,C的值选取较大。

  C31在电路中的功能是延迟。因为延迟,所以能起移相的作用;因为延迟,所以又能起抑制干扰的作用。这两个作用是同时出现的。
  原设计者的意图在于抑制干扰。因为设计者发现了TRIAC的误导通,便从抑制干扰的角度出发,在门极和第一阳极之间加接电容C31。
  那么为什么C31选得这么大(大到10uF)呢?因为实际上TRIAC的误导通并不是干扰引起的,或者说干扰还没有大到引起误导通的程度,所以设计者看不到所加电容抑制干扰的效果,便一而再、再而三地增加容量,直至10uF,以致于电容的漏电阻开始起作用了,设计者终于罢手,并错误地确信这电容就该这么大容量。

2、现在有一个问题:可控硅关闭时,电流通过R38+C25流向输出端,怎么处理这个问题??

  当TRIAC关断时,因为有并联的 R38+C25 阻容吸收回路的存在,肯定会有一定的“漏电流”流经负载。只要根据负载电流容量,合理地选择R、C的值,一般不会过分地影响负载。
  当然,我对实际负载状况并不知情。

3、实验发现:R38+C25对抗高温有用处(上过高低温试验箱),这个结论正确吗??

  这个结论貌似正确。
  因为楼主看到的是,在常温下,突然上电,TRIAC不会被冲开,尚能保持关断。而当温度升高到60摄氏度时,突然上电,TRIAC出现误导通。而当C25电容容值升高到224时,不论高温还是常温,突然上电时,TRIAC始终保持关断。

  这个结论其实不准确。
  因为TRIAC误导通的真正原因,在于所选TRIAC和驱动光耦。

             IT(RMS)    IGT     VDRM/VRRM     dV/dt
    Z0409MF    4A       10mA      600V      100V/us
    MOC3021                       400V       10V/us

  数据表明,既使在标准的220V交流电源下,两者都难以承受实际存在的绝对值超过600V的断态端电压,也难以承受实际存在的断态电压上升率,环境温度较高情况下就更加不能把持自己了,必然出现误导通。
  正是 R38+C25 阻容吸收回路的存在,电压上升率得到了缓冲,才使得某较高温度下本来必然会出现的误导通现象没能发生。
  高低温试验的结果很好地证明了TRIAC和驱动光耦的VDRM/VRRM和dv/dt耐受能力是随其温度的升高而下降的结论。五六十度就失控,更加说明了所选TRIAC和驱动光耦存在的上述问题。

4、为了解决R38+C25漏电流的问题,将R38+C25去掉可不可以?如果可以,抗高温怎么处理??

  见2、3。
  是否可以取消 R38+C25 阻容吸收回路,取决于负载等实际状况。
  现在的主要问题不是抗高温。

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参考意见:
  1。选择VDRM/VRRM和dv/dt耐受能力足够的TRIAC。
  2。选择VDRM/VRRM和dv/dt耐受能力足够的驱动光耦。
  3。选择过零触发的驱动光耦。
  4。取消门极和第一阳极之间的C31,改为电阻,根据TRIAC的实际触发灵敏度来确定阻值。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 22:12:05 | 显示全部楼层
回复【67楼】JQ_Lin  
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谢谢指点,我将会认真考虑和实验您的意见。对于参考意见中的1、2两条,我也已经考虑得换元器件了,因为C25的调节简直就是一对不可调和的矛盾,调大了会有太大的漏电流,调小了又会导致误打开的机率大大提高,而这两种情况都会严重影响产品的使用,甚至使产品无法使用。所以我的考虑是:C25必须减小,以减小漏电流(这个没得选),然后通过选择VDRM/VRRM和dv/dt耐受能力足够的TRIAC来解决误打开的问题,但是我没有考虑到驱动光耦也得换,多谢前辈的指点啊。

————————————————————————————————————————————————
3。选择过零触发的驱动光耦。

这一条就更加得感谢你了,我前面查了一下过零触发的资料,当时考虑的比较浅,就只是想到资料上所说的减少对电网的污染的作用了,所以就直接把这个功能给pass掉了。听您这里一说,再仔细一想,这个功能还真是必须的啊——可以大大减小TRIAC开断时的尖峰电压。

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4。取消门极和第一阳极之间的C31,改为电阻,根据TRIAC的实际触发灵敏度来确定阻值。

“C31在电路中的功能是延迟。因为延迟,所以能起移相的作用;因为延迟,所以又能起抑制干扰的作用”。这是您的原话,C31的主要功能是延迟,我的考虑是C31有延迟作用主要是因为它的储能作用,那么换成电阻之后的延迟作用又怎么讲呢?就算电阻大了电子通过的速率会降低,可是这种延迟怎么可能和电容储能所产生的延迟相提并论呢?还望指点一下

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 22:19:16 | 显示全部楼层
感谢58楼qilujie的互动。您对dv/dt和di/dt阐明的很对,没有异议,但保留不同意去掉C31,以后我会说到为什么。
   关于dv/dt和di/dt的问题,我觉得其实就是能不能活学活用的问题,大家都认为dv/dt过大时,可控硅会暂时失控,不会造成永久损坏,只有di/dt过大时才能造成永久损坏。在实际应用中,在构成了实用电路后,我们不能把这两个指标分割开来,独立看待,它们相互相乘,互为依存,dv/dt过大必然导致di/dt也大,di/dt过大也必然导致dv/dt也大,但最终使可控硅永久损坏的是di/dt。
   如果要单纯减少dv/dt,把R38短路可以获得最小值,但我们不能这样做,因为这时di/dt却增大了,搞不好可控硅会更早玩完。
   在实际应用中,不要把R38+C25看得非要不可,可控硅供应商和教科书可能不同意这个提法,我认为这要看实际的控制对象来调整,事实上太多实例是这么用的,只要把控住这个di/dt不至过大,留存适当的指标裕度即可,活学活用,完美解决实际问题才是硬道理。
  我看楼主还在抓瞎,莫衷一是,估计问题没有满意解决,也为你着急,真想能有效帮到你,想问你实物中把可控硅的第一阳极(如果是BTA16,就是字面朝向读者最左边那个管脚,T1)接到了你楼主位图中的220V IN端还是220V OUT端?

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 22:33:35 | 显示全部楼层
回复【68楼】XIAN1987
......换成电阻之后的延迟作用又怎么讲呢?就算电阻大了电子通过的速率会降低,可是这种延迟怎么可能和电容储能所产生的延迟相提并论呢?还望指点一下
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哈哈,延迟作用是针对电容C31来讲的。我没有说换成电阻之后有延迟作用啊!
换成电阻之后,不可能再有延迟作用了,但有抑制干扰的作用。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 22:41:17 | 显示全部楼层
回复【69楼】on971  
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接到了220V IN端

我的电路简单来说就是:
六选一:从六路220V输入中选择一路给开关电源供电,所以这六路电压的输出是接在一起的,所以必须用可控硅来选通。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 22:42:19 | 显示全部楼层
回复【70楼】JQ_Lin  
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偶,也是,虽然没有延迟了,不过可以减小电流,也起到了抑制干扰的作用

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 22:47:57 | 显示全部楼层
非常感谢各位前辈的指点,不过你们接下来的留言我得明天再回复了,因为办公室要关门了,我不得不回寝室了——同寝室的哥们要睡觉,我不好开电脑打扰他。

不过,你们的留言我肯定会全部认真阅读,认真思考的。

明天见,各位也别熬得太晚,虽然对工程师熬夜学习很重要,但也得保重身体啊!!

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-11 22:49:50 | 显示全部楼层
回复【73楼】topdreams  长风破浪

建议用过零触发,我采用可控硅设计都是采用过零触发,最起码最电网影响较小

对于那个C31,我觉得没有必要。
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接纳,谢谢指点。各位高手的指点,使我受益匪浅啊!!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 22:54:38 | 显示全部楼层
回复【71楼】XIAN1987
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也许有解决的希望,只是也许,不做承诺。还是用可控硅,让我理一下思路,争取早日解决。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-11 22:58:10 | 显示全部楼层
……lz这个220vin和out只是火线in和out我说的电源端是指火线in和零线。输出端到开关电源是火线out与零线。要钻牛角R38C25一定要接到可控硅两端又要没电流又要有保护……无解……

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 10:48:46 | 显示全部楼层
回复【71楼】XIAN1987
回复【69楼】on971   
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接到了220v in端
我的电路简单来说就是:
六选一:从六路220v输入中选择一路给开关电源供电,所以这六路电压的输出是接在一起的,所以必须用可控硅来选通。

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犯迷糊了,是不是说这个可控硅的输出是接了6个开关电源?6选1的选通不由可控硅完成?(它也完成不了)

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-12 10:58:48 | 显示全部楼层
回复【78楼】on971  
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看本帖最上面的那个电路图,我们的电路中有六个那样的子电路,这六个子电路的输出是接在一起的,而六个子电路的输入分别接到不同的220 AC输入,且这六个输入都不是一直有电的,为了使连在一起的输出端一直都是有电的,就必须通过可控硅从六个输入中选通一个有电的220V输入给输出端供电,从而保证开关电源一直是有电的

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 11:00:37 | 显示全部楼层
这样子试试看,A1(第1阳极)接OUT,A2接IN,R41=51欧,C31改为22欧电阻,R38+C25取消,用BTA16不变,光耦不变,先不要接开关电源,用个100W以上的灯泡之类的假负载代替,用示波器观察负载两端的波形,注意示波器的档位,衰减等,示波器外壳千万不要接大地(电源插头的中位脚去掉)。我想看看行不行得通,如果波形不好,把R44改为580欧。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-12 11:06:48 | 显示全部楼层
回复【80楼】on971  
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好,我试试,等下去拆板子

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 11:10:26 | 显示全部楼层
回复【79楼】XIAN1987
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就是说,从6个互为独立可控的电源中选通

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-12 11:16:01 | 显示全部楼层
回复【82楼】on971  
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对,所以说,我的电路从逻辑上讲是非常非常简单的

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 11:17:52 | 显示全部楼层
回复【83楼】XIAN1987
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注意案台与示波器外壳的绝缘和人身安全!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 11:21:39 | 显示全部楼层
学习了,受益匪浅

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 11:37:36 | 显示全部楼层
回复【79楼】XIAN1987
回复【78楼】on971   
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看本帖最上面的那个电路图,我们的电路中有六个那样的子电路,这六个子电路的输出是接在一起的,而六个子电路的输入分别接到不同的220 ac输入,且这六个输入都不是一直有电的,为了使连在一起的输出端一直都是有电的,就必须通过可控硅从六个输入中选通一个有电的220v输入给输出端供电,从而保证开关电源一直是有电的

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越看越不对劲,6个同样电路的输出(220V OUT)接在一起?这样接好象有问题啊。它不可以叫“从6个互为独立可控的电源中选通”,请画个明了的框图看看。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-12 11:49:28 | 显示全部楼层
回复【86楼】on971  
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(原文件名:QQ截图未命名.png)

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 11:50:21 | 显示全部楼层
看67楼的参数就知道了,其实更加突出的DV/DT的问题是光耦,不是可控硅,所以要减小C25的容量,就换个光耦吧,比如用TLP521试试看,当然要加一个电阻和稳压管给TLP521降低一下工作电压,如此直接去掉RC电路或许也没有问题了。
如果楼主可以提供一个过零的触发脉冲的话,可以试试看不用光耦,直接用触发变压器触发可控硅,你会有惊喜的了!

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 12:01:54 | 显示全部楼层
回复【87楼】XIAN1987
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开关电源仅一具对吗?220V IN端由什么控制电源的有与无?

回复【88楼】xiaobendan 仲跻东
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TLP521不是触发型的光耦,用它势必造成电路的复杂化,不符合电路设计的优简原则。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 12:11:03 | 显示全部楼层
漏电现象真的是很难解决,我也是遇到相同问题,RC起到祛除高频脉冲用的,对于特殊负载这个RC也会影响电路正常运行。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-12 12:16:36 | 显示全部楼层
回复【89楼】on971

开关电源仅一具对吗?

对,就一个开关电源
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220V IN端由什么控制电源的有与无?

那不是我们所能控制的,输入是由别人的产品给出的,具体来说是交通系统的信号机给出的

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 12:35:59 | 显示全部楼层
回复【91楼】XIAN1987
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   有时候,不关心用户的输出端是不行的,是盲目的。我们设想,出于对电路的某些考虑,用户电路也在开关单元中并个RC回路(类似楼主图)或该开关单元输出有一负载或其它接法,和它接口后,谁能保准不对你的电路产生副作用?但愿它没有类似的情况。
  80楼 试验了没?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-12 12:41:23 | 显示全部楼层
嗯,在准备,吃完饭接着干

不过你说的示波器不接保护地恐怕不好办(我不可能把示波器的那条腿给掰断的,那样老大会劈了我的),还有你说的那个负载我得去找(甚至还得自己做),我们没有那样的现成的负载

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 12:51:42 | 显示全部楼层
回复【93楼】XIAN1987
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临时做个插头吧,示波器的探头地,壳,保护地是相通的,不去掉保护地对没有互为隔离的电源进行探测,后果可以很严重,老大更会劈了你的。实在不行就用万用表吧,靠读数来估猜效果了,但分析不出波形。负载随便啦,阻性的就行。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-12 13:39:42 | 显示全部楼层
回复【94楼】on971  
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前辈啊,思来想去,我综合了一下大家的意见,还是觉得下面这种做法是最简单、最靠谱的:
1。选择VDRM/VRRM和dv/dt耐受能力足够的TRIAC。                             -------发现BTA25在参数上比BTA16强的多,应该可以
2。选择VDRM/VRRM和dv/dt耐受能力足够的驱动光耦。
3。选择过零触发的驱动光耦。
使用上述三个方法减小可控硅误打开的问题
4。减小C25的值到10nF。                                                     -----这个已经验证过了,
使用上述一个方法减小漏电流

我本来就很菜,而且通过进一步的学习发现可控硅其实用起来也不简单,所以我打算使用最稳妥的方法来解决这个问题,毕竟这是产品,不是自己学习。

个人感觉上面的四个方法用上,我的问题肯定可以解决,所以我打算报告老大让他定夺。

非常感谢前辈的热心指点,我从你那里学大了很多,但是现在只能选一个最简单可靠的方法来进行了。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 13:54:44 | 显示全部楼层
你觉得行就试试验吧。本来我的想法是这样,80楼方法如OK,有进一步的改进,大体的方向就是不要R38+C25,也就消灭了漏电流,因你在这个事上很纠结,为保可控硅的安全,拟串电感(电感上再并个电阻),如都OK,再根据你的开关电源(不需要改它,只需了解它的的初级构成),看看有没有不用BTA16的可能,改用更小通态电流的,如BTA10,以降低成本,又达到安全可靠的目的。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-12 14:20:19 | 显示全部楼层
回复【96楼】on971  
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谢谢,我先试试再说吧,虽然理论上我觉得上面的方法可行,但是我也心里没底。
其实那几个方法基本上全是按照【7楼】 JQ_Lin的说法来进行的,感觉7楼】 JQ_Lin应该和你一样都是大侠级的任务,提得建议应该是有很大的依据的。

不管了,先试试再说

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 14:23:31 | 显示全部楼层
回复【97楼】XIAN1987
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JQ_Lin是,我不是。祝你成功。

出0入0汤圆

发表于 2011-1-12 14:32:51 | 显示全部楼层
楼主,听了你的描述,有以下问题不解
1:6路的220电源是不是共地?是不是只是需要将他们在隔离的情况下,给AC-DC供电?
2:作为AC-DC的负载端是不是还有对应的LED需要对应选通?
3:简单一点,是不是前端的切换只是为了保证AC-DC能够得到电力?
如果只是为了上述目的,在220伏的供电侧,可否使用全桥整流后,使用二极管隔离汇流即可。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-12 14:44:43 | 显示全部楼层
回复【99楼】lyrt  

在220伏的供电侧,可否使用全桥整流后,使用二极管隔离汇流即可。
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确实好主意,我早也提过这个方案,可是..........你知道的,俺只是个小弟,做不了主的。

退一步讲,现在的板子是已经成型了,已经跟上头说马上就可以规模生产了,所以,不可能做你说的那种那么大的改动的,因为,你这个方案虽然听着听简单,但真要做,不知道又会遇见什么问题呢,这样,一研发一年又过去了

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-1-12 17:51:44 | 显示全部楼层
最近学习可控硅,网上找了不少资料,下面这三个是我觉得最好的,特地上传上来,希望对大家有用:
点击此处下载 ourdev_610808B574AY.rar(文件大小:63K) (原文件名:晶闸管及其应用.rar)
点击此处下载 ourdev_610809BY9BFD.rar(文件大小:446K) (原文件名:三端双向可控硅原理.rar)
点击此处下载 ourdev_610810KXD3O0.rar(文件大小:3K) (原文件名:双向可控硅的命名.rar)
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