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发表于 2011-1-11 15:05:36
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回复【53楼】XIAN1987
回复【50楼】on971
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没有坏!
就是说:在常温下,p3.4为为高时,220v out端突然上电,可控硅不会被冲开,是良好关断的。
而当温度升高到60摄氏度时,p3.4为高时,220v out端突然上电,可控硅突然打开,电流从220v out 流向220v in,然后几毫秒后(或者几十毫米,我是目测的),可控硅又关断了。
而当c25电容容值升高到224时,不论高温还是常温(低温我们也做了零下50摄氏度),只要p3.4为高,220v out突然上电时可控硅始终保持良好切断。
我个人认为44楼qilujie 福大狗所给出的解释“第三条是有根据的。晶闸管高温下dv/dt抑制能力迅速下降。晶闸管的dv/dt参数一般都是给出高温的,因为常温......
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可控硅不是永久性损坏正好证明了你在高温试验时所看到的暂时性失控不是由电压(或电流)上升速率(dv/dt)导致的,电压(或电流)上升速率过高致可控硅损坏是不可逆转的,可控硅是会永久损坏的。
你看到的现象其实很好理解,相对于在未增大C25之前,,流经可控硅的负载电流要比增大了C25之后的要多一点点,正是多出来的这么一点点的电流,成为压垮骆驼的最后一根稻草---正好在你实验的特定温度环境下,使可控硅处于失控的温度临界点,任意可控硅都可以找到这个点,有的高些,有的低些,在某个区间里。一旦电流有所减少,则温升有所下降,稍偏离这个失控的温度临界点,可控硅又恢复了它的活力---正常了。流经可控硅的电流为什么少了?因为C25增大后分流了负载电流。
你可以做个实验,不增大C25,让负载电流恒定(要搞个固定的负载,电流和你的实际应用电流差不多,呈阻性容性感性都无所谓,但不能直接用电容代替),你试提高实验温度,使可控硅失控,记下这个温度。增大C25,同样的方法,记下这个温度。注意,这个实验的重现性不是太好,同等条件下每次的失控温度点可能数据偏离较大。
其实,只要确保可控硅在极限条件下不失控,大可采用我之前提出的串个合适参数的电感(得依据被控对象来设计),把R38,C25取消。 |
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