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回复: 8

NAND读写,我的数据每次都不够一页,这种情况怎样写NAND合理一些?

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出0入0汤圆

发表于 2011-4-11 15:43:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
我现在要处理的数据一般只有几十个字节,不够一页,但是必须实时写入NAND,不能等到够一页字节数据了才写NAND,怎么办?

另,NAND一页数据全都写入0XFF,下次再写相同页时,能不能不用擦除命令,直接写成0X00?

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出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-11 15:53:47 | 显示全部楼层
自己顶一下

出0入0汤圆

发表于 2011-4-11 16:41:48 | 显示全部楼层
NAND一页数据全都写入0XFF,下次再写相同页时,能不能不用擦除命令,直接写成0X00?  擦除就是弄成全0XFF吧?!

出0入0汤圆

发表于 2011-4-11 16:51:08 | 显示全部楼层
用Flash模拟EEPROM,可以参考http://www.ourdev.cn/bbs/bbs_content_all.jsp?bbs_sn=3213417

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-4-12 11:52:27 | 显示全部楼层
回chinaye1 :
擦除是都成0XFF了

出0入0汤圆

发表于 2017-9-26 18:43:16 | 显示全部楼层
我也遇到同样的问题了,高手们有没有什么好的方案?提高nand 寿命。操作系统都是怎么处理的?

出10入10汤圆

发表于 2017-9-26 19:48:45 | 显示全部楼层
写无所谓,不用专门去写0XFF.下次接着写就好了。关键是管理擦除。

出0入0汤圆

发表于 2017-9-26 21:13:32 | 显示全部楼层
用一个而缓冲,不到一页时写内存,足够一页了再真正写到NAND

出0入8汤圆

发表于 2017-9-26 23:00:14 | 显示全部楼层
本帖最后由 kebaojun305 于 2017-9-26 23:03 编辑

参考 ST的 flash例子  写几十个字节  写完 一次后 在下个空的地址写新的数据,啥时候写完一页了,在擦除,从页头继续开始写。相当于提高了flash的寿命。  用楼上的方法(缓冲也是可以的),nand flash 还有个问题 坏块的管理,楼主打算用什么管理。
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