H桥控制制冷片制冷

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 10:56:31

(原文件名:图片1.jpg)
如上图所示，可发现N和P沟道的管子发热都很严重，这是什么原因造成的？

haeha · 发表于 2011-6-21 11:09:48

没做死区保护

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 11:11:16

回复【1楼】haeha
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说说看啊

FREEMIND · 发表于 2011-6-21 11:32:02

为啥要用H桥？

难道还要致热用？

luld · 发表于 2011-6-21 11:37:52

如果是普通51单片机，IO高电平驱动能力不够，导致上桥臂不能及时关闭，下桥臂不能及时导通，死区时间很长，不发热才怪

可以使用高电平驱动能力强的单片机，如 AVR STC c8051f等，设置为强上拉输出

或者用几个非门并联驱动

也可以用MOS专用驱动芯片，如IR2103

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 11:39:11

回复【3楼】FREEMIND
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恩是的

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 11:39:45

回复【4楼】luld
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多谢 luld

lwg998 · 发表于 2011-6-21 12:01:52

关闭和打开的时间太长导致发热

hsztc · 发表于 2011-6-21 12:03:04

P1.0,P1.1都加1K上拉电阻看看

kerrwang1982 · 发表于 2011-6-21 12:32:23

电路图错误，P1。0控制Q1和Q4，P1。1控制Q2和Q3

hsztc · 发表于 2011-6-21 13:17:51

【9楼】 kerrwang1982

图没错

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 13:36:03

回复【4楼】luld
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多谢用H桥集成芯片与4个MOSFET相比有啥优点缺点？

avr-qq · 发表于 2011-6-21 13:56:17

为什么要用H桥呢

不能直接用一个管子驱动吗？

ssaweee · 发表于 2011-6-21 14:03:14

回复【12楼】avr-qq 高级工程叁
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制冷片控温可以制冷可以制热。

avr-qq · 发表于 2011-6-21 14:04:54

不是说《H桥控制制冷片制冷》

hcfatjh · 发表于 2011-6-21 14:06:37

这个跟死区没关系吧,LZ应该只用来换向的,发热原因是VGS不够

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 14:06:53

回复【14楼】avr-qq 高级工程叁
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呵呵漏了一个

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 14:07:48

回复【8楼】hsztc
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应该不是这个问题，我把P01和P00，一个接5V，一个接地，还是发烫

xjmlfm1 · 发表于 2011-6-21 14:15:52

电流大了，MOS有内阻，发热不是很正常的吗？

luld · 发表于 2011-6-21 14:17:05

回复【11楼】zfzdhz
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集成的桥驱动芯片也是同样要外接MOS管的

这类MOS驱动芯片里面带自举升压电路，这样上桥臂也可以用NMOS，比用P效果好一些（导通电阻小一些）
同时带死区控制，防止上下同时打开。但缺点是必须是PWM驱动，不能直接电平驱动，否则自举电路没法升压

上面网友说的有道理，如果只是用来换向应该不是死区的问题
如果是5V给普通的MOS（例如IRF540）电压可能有点低（当然如果电流比较小也无所谓），最好选择“逻辑型”的MOS，这样5V就可以保证它完全导通

FREEMIND · 发表于 2011-6-21 14:21:56

回复【4楼】luld
如果是普通51单片机，io高电平驱动能力不够，导致上桥臂不能及时关闭，下桥臂不能及时导通，死区时间很长，不发热才怪
可以使用高电平驱动能力强的单片机，如 avr stc c8051f等，设置为强上拉输出
或者用几个非门并联驱动
也可以用mos专用驱动芯片，如ir2103
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您这个说法差不多，但是有点问题

真正的原因是IO输出High时，电压不够高，MOSFET导通不完全

这个H桥工作频率并不高，不会存在栅极电容效应

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 14:31:41

回复【19楼】luld
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多谢luld ，“逻辑型”的MOSFET有哪些型号？

JSXA · 发表于 2011-6-21 14:56:11

晕乎需要这么复杂吗？
要制冷要制热

继电器+TIP127（功率BJT）+PWM控制

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 15:05:43

回复【22楼】JSXA
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这个没做过不懂

wsm80828 · 发表于 2011-6-21 15:14:58

要高压偏置才可以吧

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 15:23:44

回复【24楼】wsm80828
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应该是Rds过大，电流过大，导致发热，有没小Rds的MOSFET型号推荐？

xinbihui · 发表于 2011-6-21 15:55:28

用继电器就好了

ssaweee · 发表于 2011-6-21 16:01:45

回复【25楼】zfzdhz
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电流电压多大
这家公司的大电流mos还行
http://www.ruichips.com/china/product.asp

shsyf · 发表于 2011-6-21 16:06:05

制冷片电源才5V啊? 电流也不会大哪儿去.

用废手机电池里的MOS好啦, 栅压有1伏多2伏多的,够开通了. 电流也有好几安. 问题是要有N有P的有点烦.

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 16:06:36

回复【27楼】ssaweee
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4A的电流 12V的电压

shsyf · 发表于 2011-6-21 16:09:25

回复【29楼】zfzdhz
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图上白纸黑字标了5V.

贴片M0S,低压开通, 标称电流往往号称4-6A, 不够可以并联.
耐压20-30V, 12V阻性回路够用了.

SystemARM · 发表于 2011-6-21 17:02:47

用示波器取一下A,B 两点的波形看一下.

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 18:02:22

回复【30楼】shsyf
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我说的是制冷片的最大电压最大电流

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 18:05:08

回复【32楼】zfzdhz
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这好像没有啥用吧

luld · 发表于 2011-6-21 18:12:37

回复【29楼】zfzdhz
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如果是12V的话不能这么用啊，上面那个肯定关不断

如果想简单点就一个继电器切换极性，一个MOS管或者双极型管控制PWM。

楼主要做什么用？

HYLG · 发表于 2011-6-21 18:48:28

把5V换成12V估计差不多。或者加个5V-12V的升压。
用IR2103的话，P管得换成N管。

god-father · 发表于 2011-6-21 19:03:02

可能是驱动不足，把驱动电压改为10V-12V试试看

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 19:45:31

回复【34楼】luld
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目的：先让半导体制冷片制冷，直到结露，然后加热，消去露珠

hu7215 · 发表于 2011-6-21 20:27:21

用4个IO脚分别驱动试一下

health · 发表于 2011-6-21 20:47:45

电压和型号选择不当。
5V不足以使此型号MOS完全饱和导通。
压降大自然发热多。

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 20:50:52

回复【39楼】health
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请教5V的条件下，能够完全导通的MOS有什么型号？

cemi · 发表于 2011-6-21 20:57:21

请教一下，这个制冷片当电源极性换过来后是不是就会由制冷变成发热的？

ssaweee · 发表于 2011-6-21 21:20:25

回复【41楼】cemi
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是的，

很多半导体激光器就是靠制冷片，温度高了制冷温度低了制热。

zfzdhz · 发表于 2011-6-21 21:39:20

回复【42楼】ssaweee
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正解

JSXA · 发表于 2011-6-22 09:27:09

回复【23楼】zfzdhz
回复【22楼】jsxa
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这个没做过不懂
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继电器控制极性
通过三极管（大功率）电流放大
PWM调节控制电流

zfzdhz · 发表于 2011-6-22 15:18:46

回复【44楼】JSXA
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多谢有机会试试

luld · 发表于 2011-6-22 22:46:25

回复【45楼】zfzdhz
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5V以下的可以google搜“logic level mosfet”，我用过的有BUK573,NMOS。或者看一看锂电保护板上用的管子型号。

如果制冷片是12V工作的话这个电路不行的，PMOS的栅极永远是低电平（相对于12V），不会关断

shsyf · 发表于 2011-6-23 09:04:01

小贴片mos的栅压都是低于5V的. 比如9926 (双n-mos),4953(双p-mos),  另售价才几角,砍人也不过一元.

你自己去淘宝搜同类的就可以.             这儿别人指导的型号不一定同时都有货.

把双mos并起来, 可能够用, 多买几片就有余量.       单只内阻约30moh.

pspice · 发表于 2011-6-23 09:15:34

建议你考察一下DRV591——DRV594，专门的TEC控制IC，我用过，很好用。
点击此处下载 DRV592 Datasheet.pdf(文件大小:141K) (原文件名:drv592.pdf)

zfzdhz · 发表于 2011-6-23 09:26:32

回复【47楼】shsyf
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恩多谢我现在用的9540内阻大概117mΩ，发热量大

zfzdhz · 发表于 2011-6-23 09:31:40

回复【48楼】pspice
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貌似很贵啊

shsyf · 发表于 2011-6-23 09:38:09

回复【49楼】zfzdhz
回复【47楼】shsyf
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恩多谢我现在用的9540内阻大概117mω，发热量大
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9540是高栅压. 发热是因为没能饱和导通. 117moh已经不是发热主因了.

刚刚忘记了,你的电源仅5V, 那么电流就不会大. 单只双mos自身并联己可号称10A了. 足够,根本不会发热.

so-8, 小贴片封装.

shsyf · 发表于 2011-6-23 10:01:49

顺便请教一下.

据我所知,半导体冷热偶是由N多个p-n结串并联而成. 标定12V的,在5V下能工作吗?

zfzdhz · 发表于 2011-6-23 10:29:42

回复【52楼】shsyf
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多谢 shsyf 半导体制冷片有12V的也有5V的

xiaoguo1 · 发表于 2014-11-4 01:06:47

zfzdhz 发表于 2011-6-21 20:50
回复【39楼】health
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请教5V ...

看看安森美的80NO2

xiaoguo1 · 发表于 2014-11-4 01:08:05

pspice 发表于 2011-6-23 09:15
建议你考察一下DRV591——DRV594，专门的TEC控制IC，我用过，很好用。
点击此处下载 DRV592 Datasheet.pdf( ...

有没有能达到10A的这样的芯片呢？

H桥控制制冷片制冷

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