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楼主: miraclever

在低功耗系统中MOS管的应用

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出0入0汤圆

发表于 2013-7-7 08:59:12 来自手机 | 显示全部楼层
收藏了…………

出0入0汤圆

发表于 2013-7-7 09:06:10 | 显示全部楼层
灰常不错。  谢谢。

出0入0汤圆

发表于 2013-8-13 22:12:35 | 显示全部楼层
请问,如何在高温电路中使用mosfet管呢?使用环境125度。

出0入0汤圆

发表于 2013-8-13 22:12:50 | 显示全部楼层
没有人回信么。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-8-13 22:16:23 | 显示全部楼层
wu1999 发表于 2013-8-13 22:12
请问,如何在高温电路中使用mosfet管呢?使用环境125度。

在设计的时候注意漏电流的问题,看一下你的mos工作温度是多少

出0入0汤圆

发表于 2013-8-13 22:23:01 | 显示全部楼层
看过你选型的芯片,温度能够达到150度。需要低功耗。关闭3.3v的电源。有没有什么好的办法推荐么。

出0入0汤圆

发表于 2013-8-13 22:26:03 | 显示全部楼层
采用你上图的思路。但是三极管压降太大了。想采用mosfet+负温度下电阻,可行么?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-8-13 22:54:03 | 显示全部楼层
wu1999 发表于 2013-8-13 22:26
采用你上图的思路。但是三极管压降太大了。想采用mosfet+负温度下电阻,可行么? ...

不清楚你采用的型号,我这边采用mos低温下做到-30度没有问题

出0入0汤圆

发表于 2013-8-13 23:27:34 | 显示全部楼层
我目前的应用环境是:125度温度,通过3v的stm32端口,控制一个模块的3v电源。参照你发送图片,感觉没有问题。
而换成三极管就不行了。请问,除去换成三极管,有没有其他好的解决方法呢?

出0入0汤圆

发表于 2013-8-14 01:03:11 | 显示全部楼层
申请了lz的介绍的隔离模块,一直都还没有时间测试

出0入0汤圆

发表于 2013-8-14 04:22:19 来自手机 | 显示全部楼层
The issue is indeed caused by an incorrectly-sized pull-down resistor. You should view the mosfet + the pull-down resistor as a divider network. As the temperature heats up, the resistance of the mosfet goes down and the gate capacitance of the mosfet switch gets charged up.

You can get a sense of the mosfet's resistance by looking at its threshold current - typically in the ua range which translates into Mohm resistance (off state).

I would use a 10K pull-down resistor or turn the mosfet switch off via a mcu (logic level only), if possible.

出0入0汤圆

发表于 2013-8-14 08:09:09 | 显示全部楼层
感谢分享!

出0入17汤圆

发表于 2013-8-14 08:22:20 | 显示全部楼层
mark 漏电流引发的血案

出0入0汤圆

发表于 2013-8-30 23:24:25 | 显示全部楼层
很珍贵的经验 mos管 漏电流与温度关系 应用在低功耗

出0入0汤圆

发表于 2013-9-8 10:49:41 来自手机 | 显示全部楼层
很不错     

出0入0汤圆

发表于 2013-9-8 12:54:12 | 显示全部楼层
写的太好了楼主!

出0入0汤圆

发表于 2013-9-8 19:33:29 | 显示全部楼层
我觉得并不是温度升高、漏电流增大的原因。而是温度升高,阈值电压降低的原因。如果INT控制脚是3.3V,而漏极是4V,常温下MOS 0.7V的压差不足以开启MOS管。而温度升高时,0.7V的压差就足以使MOS管导通了。想测试真实的原因有两个方法:1:把4V变成3.3V,看温度升高是否还会导致饱和;2:把INT变成INPUT,然后温度升高看是否饱和。我觉得这两种改过之后的方法,温升都不会影响MOS管状态。MOS管的阈值对温度才比较敏感,漏电流对温度不太敏感。没用过你这个型号的MOS管,不过我看用过的一款IRF的MOS管特性曲线是这样的,也就是漏电流和温度没太大关系。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-9-8 21:58:35 | 显示全部楼层
jetlib 发表于 2013-9-8 19:33
我觉得并不是温度升高、漏电流增大的原因。而是温度升高,阈值电压降低的原因。如果INT控制脚是3.3V,而漏 ...

你可以做一下实验,我在加热的时候发现电压是逐渐升高的,与导通的阀值也许也有一定的关系,不过经过实际测试,在高温下,前面做开关用mos已经完全失效

出200入0汤圆

发表于 2013-9-8 22:41:33 | 显示全部楼层
好东东,学习

出0入0汤圆

发表于 2013-9-9 09:30:34 | 显示全部楼层
本帖最后由 jetlib 于 2013-9-9 09:37 编辑
miraclever 发表于 2013-9-8 21:58
你可以做一下实验,我在加热的时候发现电压是逐渐升高的,与导通的阀值也许也有一定的关系,不过经过实际 ...


你的INT点电压是多少?如果INT是3.3V,而顶端电压是4V,那应该是由于温升导致阈值电压降低进而导致了MOS管开关失效,进而流过的电流自然就大了导致的。此时这个电流不是漏电流,而是因为阈值电压降低导致的电流自然开启导致的。另一个实验办法就是你可以把470K的电阻直接短路到地,然后升温,看Q11的漏电流是不是升高。按理说,Q11和Q10都是SP的同系列的MOS管,温度特性应该一致,所以Q11如果温度升高,漏电流也应该增大。但是Q11的G直接到地,不足以提供任何阈值电压。如果真的温升对漏电流有影响,那Q11温升后,漏电流一样会升高。但我比较怀疑此时温升后Q11的漏电流会增大。

其实你实验一下,程序上把INT改为INPUT,然后测试一下升温就OK了。我觉得把INT改为INPUT,温升是不会影响Q11的开关的。手头没有板子,我实在不好测试。一家之言,看有没有哪个大侠来给出进一步的解释吧。

出0入0汤圆

发表于 2013-9-9 14:21:10 | 显示全部楼层
标记。学习

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-9-9 14:35:04 | 显示全部楼层
jetlib 发表于 2013-9-9 09:30
你的INT点电压是多少?如果INT是3.3V,而顶端电压是4V,那应该是由于温升导致阈值电压降低进而导致了MOS ...

INT处的电压也是4V的,此引脚是另外一个RTC电路提供的驱动,是由4V直接供电的。
你说的非常好,这个问题值得我们深究一下。

出0入0汤圆

发表于 2013-9-26 23:02:22 | 显示全部楼层
精彩的讨论。长知识了。

出0入0汤圆

发表于 2013-9-28 09:45:10 | 显示全部楼层
miraclever 发表于 2012-8-9 09:12
一个mos管无法全部搞定,所以才选用两个。

如果主控是单片机,而Q11有下拉,为什么Q10没有上拉?
INT的输出电压不是0/4V二种状态?一般我们推PMOS才这样接二个MOS,NMOS直接用IO推。
还有就是.......
楼主的贴子很好。赞一个

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-9-28 21:53:23 | 显示全部楼层
leon...... 发表于 2013-9-28 09:45
如果主控是单片机,而Q11有下拉,为什么Q10没有上拉?
INT的输出电压不是0/4V二种状态?一般我们推PMOS才 ...

说的没错,INT输出只有两种状态0或者1,所以不需要上拉和下拉,Q11则必须要下拉电阻,因为Q11有个悬空状态。

出0入0汤圆

发表于 2013-9-29 14:24:54 | 显示全部楼层
miraclever 发表于 2013-9-28 21:53
说的没错,INT输出只有两种状态0或者1,所以不需要上拉和下拉,Q11则必须要下拉电阻,因为Q11有个悬空状 ...

其实Q10也有悬空状态,在上电过程中,IO口在初始化之前是默认input floating,所有我认为需要一个电阻。

出200入0汤圆

发表于 2013-9-29 14:29:25 来自手机 | 显示全部楼层
收藏,学习

出0入0汤圆

发表于 2013-10-1 01:11:28 | 显示全部楼层
别用山寨管子,特别还要去高温环境的,要用也用长电,LRC之类的国产大厂,
mosfet都有漏电数据。
另外,别节省那么点,直接加一个 single gate 驱动一下,或者其他IO来控制。
再说这两个电阻也太大了,你要控制slew rate,加电容
中断INT脚不隔离去控制较大功率的电路,不好。
别玩

出0入0汤圆

发表于 2013-10-2 10:42:24 | 显示全部楼层
millwood0 发表于 2013-8-14 04:22
The issue is indeed caused by an incorrectly-sized pull-down resistor. You should view the mosfet +  ...

朋友高见。
lz有R20和R22分压,单独修改下拉不行,同步降低也增大了消耗。

出0入0汤圆

发表于 2013-10-2 10:49:31 | 显示全部楼层
miraclever 发表于 2013-9-9 14:35
INT处的电压也是4V的,此引脚是另外一个RTC电路提供的驱动,是由4V直接供电的。
你说的非常好,这个问题 ...

INT电压也是4V?那R20和R22分压就没意义了。

出0入0汤圆

发表于 2013-10-2 11:52:49 | 显示全部楼层
very good !高低温试验以后要注意了。

出0入0汤圆

发表于 2013-10-2 19:02:11 来自手机 | 显示全部楼层
留下脚印,以后会用到的。。。

出0入0汤圆

发表于 2013-10-30 14:43:13 | 显示全部楼层
G00D!!!000

出0入0汤圆

发表于 2013-11-2 14:28:39 | 显示全部楼层
谢谢分享

出0入8汤圆

发表于 2013-11-2 14:49:09 | 显示全部楼层
好帖要顶!

出0入0汤圆

发表于 2013-11-2 21:18:36 来自手机 | 显示全部楼层
相关的测试是必要的

出0入0汤圆

发表于 2013-11-7 13:49:15 | 显示全部楼层
可以看看这里 www.chipsea.com

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-11-7 21:38:18 | 显示全部楼层
szchipsea 发表于 2013-11-7 13:49
可以看看这里 www.chipsea.com

发广告,已经举报

出0入0汤圆

发表于 2013-11-7 22:02:07 | 显示全部楼层
谢谢分享,学习了

出0入0汤圆

发表于 2013-11-7 22:40:30 | 显示全部楼层
楼主辛苦了!很好的经验分享,谢谢!

出0入0汤圆

发表于 2013-11-8 10:18:20 | 显示全部楼层
硬件方面的,看了好久才看懂
头像被屏蔽

出0入0汤圆

发表于 2014-2-17 14:07:14 | 显示全部楼层
mos管漏电路问题值得关注

出0入17汤圆

发表于 2014-2-17 14:45:39 | 显示全部楼层
本帖最后由 radar_12345 于 2014-2-17 14:56 编辑

同意 jetlib 意见。我觉得这电路中 Q10可以不要,R20直接接Q11的G脚,既R20用作上拉。INT2直接接Q11的G脚,设置为开漏输出。

出0入0汤圆

发表于 2014-2-17 15:25:02 | 显示全部楼层
marK。。。。。。。。。。。。

出0入0汤圆

发表于 2014-2-25 21:24:07 | 显示全部楼层
这么好的帖子,果断收藏,学习!

出0入0汤圆

发表于 2014-3-1 09:01:30 | 显示全部楼层
有参考价值,谢谢!

出0入0汤圆

发表于 2014-3-1 10:25:40 | 显示全部楼层
很好,收藏

出0入0汤圆

发表于 2014-4-3 10:47:23 | 显示全部楼层
楼主是低功耗专家

出0入0汤圆

发表于 2014-4-3 12:37:17 | 显示全部楼层
讨论出真知。

出0入0汤圆

发表于 2014-4-4 16:18:01 | 显示全部楼层
用过PMOS 做电源开关,很好,只损失很小的电压。

出0入17汤圆

发表于 2014-4-4 22:49:14 | 显示全部楼层
学习了...!

出0入0汤圆

发表于 2014-11-3 13:36:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 wwwzfgcom 于 2014-11-3 13:38 编辑

出0入0汤圆

发表于 2014-11-3 13:37:55 | 显示全部楼层
学习,Q11是不是用于关断耗电电路的电流的,那Q11的压降有多少,把Q11放在电源一端行吗?

出0入0汤圆

发表于 2014-11-3 13:43:17 | 显示全部楼层
学习,收藏了。。。

出0入0汤圆

发表于 2014-11-3 13:43:45 | 显示全部楼层
感觉更像阈值变化引起的,考虑过PMOS吗,这个关断更可靠。一半电源里面的LDO都是PMOS实现的。

出0入0汤圆

发表于 2014-11-3 13:49:47 | 显示全部楼层
谢谢你的分享。。。

出0入0汤圆

发表于 2014-11-3 14:16:54 | 显示全部楼层
mark, 好东西

出0入0汤圆

发表于 2014-11-3 15:27:46 | 显示全部楼层
学习了,很宝贵的经验

出0入0汤圆

发表于 2014-11-3 16:23:35 | 显示全部楼层
写的很好,实践出真知。

出0入0汤圆

发表于 2014-11-3 17:43:55 | 显示全部楼层
感谢分享````

出0入0汤圆

发表于 2014-11-6 23:50:54 | 显示全部楼层
非常感谢楼主的宝贵经验

出0入0汤圆

发表于 2014-11-6 23:57:13 | 显示全部楼层
模电啊,我来围观了

出0入0汤圆

发表于 2014-11-7 02:01:55 | 显示全部楼层
多谢楼主分享!

出0入0汤圆

发表于 2014-11-7 08:17:07 | 显示全部楼层
实践出真知,好文,顶

出0入0汤圆

发表于 2014-11-7 08:30:52 | 显示全部楼层
谢谢分享

出0入0汤圆

发表于 2014-11-7 09:01:45 | 显示全部楼层
感觉高温引起的阈值电压变低了

出0入0汤圆

发表于 2014-11-7 09:08:41 | 显示全部楼层
mark,高温下MOS管漏电流大

出0入0汤圆

发表于 2014-11-7 09:47:17 | 显示全部楼层
涨知识了,非常感谢

出0入0汤圆

发表于 2014-11-7 09:49:16 | 显示全部楼层
楼主好贴,收藏

出0入211汤圆

发表于 2014-11-7 09:51:22 | 显示全部楼层
有没有人用过楼主位广告位置的232/485的隔离模块,有大量应用的吗?高低温能过吗?

出0入0汤圆

发表于 2014-11-7 10:11:08 | 显示全部楼层
进来学习学习

出0入0汤圆

发表于 2014-11-7 11:05:53 | 显示全部楼层
谢谢楼主,以后我也注意了。

出0入0汤圆

发表于 2014-11-7 11:16:27 | 显示全部楼层
学习了  实践出真知     长这么大还没做过温度测试    呵呵   。。。

出0入0汤圆

发表于 2014-11-7 12:27:59 | 显示全部楼层
好强呀,顶一下

出0入0汤圆

发表于 2014-11-21 09:54:23 | 显示全部楼层
细微之处见精神 我要把这个记载到笔记本上

出0入0汤圆

发表于 2014-11-21 09:56:47 | 显示全部楼层
好贴,我需要收藏

出0入0汤圆

发表于 2014-11-21 12:19:50 | 显示全部楼层
顶                             

出0入0汤圆

发表于 2014-11-21 14:28:15 | 显示全部楼层
很好的文章,收藏了

出0入0汤圆

发表于 2014-11-21 15:08:11 | 显示全部楼层
有一个关于 MOS管的应用,学习了

出0入0汤圆

发表于 2014-11-21 15:15:22 | 显示全部楼层
学习了  谢谢楼主

出0入0汤圆

发表于 2014-11-21 15:45:33 | 显示全部楼层
多谢分享。

出0入0汤圆

发表于 2014-11-21 17:21:15 | 显示全部楼层
感谢分享
以后说不定能用到

出0入0汤圆

发表于 2014-11-21 18:10:46 | 显示全部楼层
同时想问下lz,为什么栅极要选择这么大的下拉电阻呢,选个小点的是不是就可以避免了。顺便给我们分析下这个电阻的选择方法吧。。。。

出0入4汤圆

发表于 2014-12-11 14:32:54 | 显示全部楼层
标记下,以后可能用到,但是做低功耗,一般用一个MOS就够用了

出0入0汤圆

发表于 2014-12-11 15:59:02 | 显示全部楼层
受益匪浅,谢谢分享!

出0入0汤圆

发表于 2014-12-11 16:38:32 | 显示全部楼层
经验贴,必须收藏

出0入0汤圆

发表于 2014-12-11 17:25:12 | 显示全部楼层
值得学习~~~~~~~

出0入0汤圆

发表于 2014-12-11 17:35:29 | 显示全部楼层
楼主确定问题了吗。到底是漏电流的问题还是其它问题?

出0入0汤圆

发表于 2014-12-11 19:48:02 | 显示全部楼层
非常感谢楼主分享经验。。。

出0入0汤圆

发表于 2014-12-11 20:00:45 | 显示全部楼层
感谢分享

出0入0汤圆

发表于 2014-12-11 20:08:27 | 显示全部楼层
非常有用的见解,说不定还解决了我们产品的一个疑问

出0入0汤圆

发表于 2014-12-12 08:50:16 来自手机 | 显示全部楼层
温度升高,mos的漏极电流升高,学到了

出0入17汤圆

发表于 2014-12-12 09:26:28 | 显示全部楼层
俺从来都不这样用,只在高端加开关,随便MOS漏

出0入0汤圆

发表于 2014-12-12 09:58:18 | 显示全部楼层
好实验,谢谢分享。。。

出0入0汤圆

发表于 2014-12-12 11:04:01 | 显示全部楼层
不错,学习了,楼主分析解决问题的能力非常给力

出0入0汤圆

发表于 2014-12-12 11:06:27 | 显示全部楼层
mark!值得学习

出0入0汤圆

发表于 2014-12-12 15:41:28 | 显示全部楼层
不错的经验

出0入0汤圆

发表于 2014-12-12 17:59:30 | 显示全部楼层
好资料           顶            

出0入0汤圆

发表于 2015-11-26 11:33:46 | 显示全部楼层
回来重新学习一下

出0入0汤圆

发表于 2015-11-28 17:22:00 | 显示全部楼层
楼主的电路时电池保护吗?有没有选用电池保护的芯片。
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