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为什么要用FLASH模拟EEPROM?FLASH不是也能掉电不丢失数据吗?

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出0入0汤圆

发表于 2013-4-11 22:31:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
因为MSP430G2553没有内部EEPROM,网上说可以用FLASH去模拟,但FLASH本身就能掉电数据不丢失,干嘛还要去模拟EEPROM啊?应该不是给自己找麻烦吧

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出105入79汤圆

发表于 2013-4-11 22:50:37 来自手机 | 显示全部楼层
flash的擦除次数和使用方便性都逊于eeprom。比如flssh写一个字节,要整个页擦除一次

出0入618汤圆

发表于 2013-4-11 23:15:58 | 显示全部楼层
EEPROM可以单字节改写,而且擦写次数是FLASH的10~100倍。
FLASH擦除后是全1,只能把数据位改写成0,不能把0再改写成1,要把任一位改回1都必须整页擦除。
修改FLASH中某个字节的内容时要整页读到RAM里面,然后擦除页,修改RAM的数据,再整页写回去。同时,FLASH页擦除的速度很慢,us甚至ms级,所以FLASH模拟EEPROM只是一个折中办法,算法搞不好会把片子玩残的。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-4-12 12:02:38 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2013-4-11 23:15
EEPROM可以单字节改写,而且擦写次数是FLASH的10~100倍。
FLASH擦除后是全1,只能把数据位改写成0,不能把0 ...

FLASH模拟EEPROM应该还是不能提高FLASH擦写次数吧?

出0入618汤圆

发表于 2013-4-12 12:06:27 | 显示全部楼层
CrazySummer 发表于 2013-4-12 12:02
FLASH模拟EEPROM应该还是不能提高FLASH擦写次数吧?

物理上肯定不行,但通过一定的写均衡算法可以提高擦写寿命。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2013-4-12 13:23:16 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2013-4-12 12:06
物理上肯定不行,但通过一定的写均衡算法可以提高擦写寿命。

哦,谢谢啊

出0入0汤圆

发表于 2013-8-10 19:23:09 | 显示全部楼层
学习学习

出0入0汤圆

发表于 2014-3-26 14:14:41 | 显示全部楼层
   

出0入85汤圆

发表于 2014-3-26 14:23:40 | 显示全部楼层
因为大多数MCU程序的rom也是FLASH的,价格便宜还省力

出0入0汤圆

发表于 2014-4-4 18:41:37 | 显示全部楼层
过来看看

出0入0汤圆

发表于 2014-4-4 19:00:34 | 显示全部楼层
学习了!
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