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我们公司是富士通半导体的最大代理商之一。本人从年初开始接触铁电存储（FRAM）相关的工作，发现尽管FRAM已经在市场推出十多年，富士通的FRAM存储器和微控制器销售也已经超过数十亿片，但很多国内的筒子对铁电存储/FRAM、FRAM MCU依然知之胜少，经常被问到一些基础的问题。
这也难怪，毕竟FRAM以前还是个冷僻的技术，而这几年随着智能三表、物联网以及工业传感网络的快速增长，FRAM存储器以及FRAM微控制器的应用越来越多。这里顺便分享下手上的FRAM技术问答供大家学习（为避嫌，删掉了原来的一些联系信息、资料下载链接，感兴趣的可以直接到富士通半导体的官网中下载http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/faq/）
Q: 什么是FRAM?
A: FRAM（铁电随机存储器）是一款非易失性的存储器，采用铁电薄膜作为电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存储器）的两种特性，并具有更快速的写入，保证极佳的读/写次数和低功耗等特性。请访问我们的FRAM 产品网址 ,了解更多详情。
Q: 何种应用将会采用FRAM？
A: FRAM已经用于那些要求具有小密度和高频数据写入的应用。示例应用包括，OA设备，如适用于计数器和打印计录的MFP；FA设备，如适用于存储参数和数据记录的FA设备；财务终端，如适用于交易历史记录的ATM终端，基础设施架构中的计量器、汽车导航系统和音响设备。
Q: 与传统存储器相比，FRAM是否采用不同的控制或操作？
A: FRAM产品非常易于使用，因为FRAM产品与标准的存储器相兼容，如EEPROM和低功耗SRAM。采用串行接口（I2C, SPI）的FRAM具有与串行EEPROM和串行闪存兼容的功能。采用并行接口的FRAM可用于取代低功耗SRAM。
Q: FRAM、F-RAM和FeRAM是否为相同的器件？
A: 是的，所有FRAM、F-RAM或FeRAM都是指铁电随机存储器。
Q: 我们正在寻求可替代pseudo SRAM和的解决方案。并口FRAM是否可以替代低功耗SRAM?
A: 是的，由于采用并行接口的FRAM产品具有SRAM兼容型接口，因此我们为那些想在移除电池进行数据保存的客户推荐用FRAM解决方案取代低功耗SRAM。
Q: FRAM是否可以取代EERPROM？
A: 是的，由于FRAM产品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引脚SOP封装，与采用8引脚SOP封装的标准EEPROM相兼容，因此，FRAM在那些PCB板上的布局和引脚占位没有任何设计变更的应用或系统中可以取代EEPROM。
Q: FRAM是否可以取代FRAMNAND闪存？
A: 是的，但要取决于具体情况。由于具有一万亿次读/写周期及高耐久性的FRAM产品不需要注意太多频繁写入操作之前的平衡，因此，有一些情况中，一些采用注重平衡的NAND闪存的应用可以用FRAM产品来取代。
Q: 能够以多快的速度执行写入操作？
A:各种非易失性存储器的写入时间被分别是：FRAM = 150ns，EEPROM = 10ms，闪存= 10us，因此在写入操作中，FRAM的速度是EEPROM的7,0000倍。EEPROM和闪存在进行写入操作前，需要进行字节或扇面擦除操作，并有产生了更长的写入时间。FRAM不需要擦写操作，直接对存储器单元进行覆盖写入，因此具有更快速的写入特性。
Q: 什么是串行存储器？ I2C接口和SPI接口之间的区别是什么？
A: 富士通半导体将带有串行总线接口（I2C和SPI）的FRAM产品定义为我们FRAM系列的“串行存储器”。
串行总线是一种通信方式，通过一个位，控制连续的数据输入和输出，而并行总线是通过多位（如8位、16位和32位）并时控制数据输入和输出的另外一种方法。
串行总线的I2C接口是利用针控制时钟的“SCL”和针对地址和数据控制的“SDA”这两个信号线控制数据输入/输出的一个接口。SPI接口是利用面向时钟的四条“SCK”信号线控制其运行，“SI”用于地址和数据输入，“SO”用于数据输出，而“CS”用于芯片选择。
由于相比于并行总线，串行总线可以降低PCB上布线的数量，因此可以减少终端产品的PCB板的占位面积。因此，串行总线的设计成本将低于并行总线。
Q: FRAM和新一代存储器，如ReRAM, PCRAM, MRAM和nvSRAM之间的区别是什么？
A: ReRAM、PCRAM和 MRAM的开发是用于取代DRAM大容量的产品，而FRAM拥有中小容量的产品阵列。因此，产品容量范围在FRAM和其它新一代存储器之间会有所不同。nvSRAM具有与FRAM具有相同的容量，但是nvSRAM在性能上存在一些不足，它需要一个额外的电容器以保证在电源发生故障时保存数据。
Q: 富士通的存储器可以保证一万亿次的读/写周期。保证值适用于单芯片或整体芯片上的每个字节。
A: 耐久性是保证每个字节一万亿次。也就是说，可以保证在独立的地址上进行一万亿次的读写操作。
Q: 是否仅执行了读取操作？FRAM是否可以保证无限次的读取周期？
A: 不，并非是无限制的。FRAM可以保证一万亿次的读写操作。
Q: 为什么FRAM的读取操作被计为一个保证的读/写周期?
A: 在读取操作后，FRAM自动在相同的单元，再一次的写回数据。因此，读取操作被计为一个读/写周期。
Q: 其它非易失性存储器供应商提到可以实现35年或更长时间的长期数据保存。富士通公司是否可以保证10年以上的数据保存周期？
A:是的，在相同的条件下富士通半导体同样可以进行保证。数据保存周期受到终端产品应用所在的环境温度的影响。我们所确保的10年的数据技术规格是客户在固定的85℃条件下，采用我们FRAM产品得出的数值。如果客户在低于85℃的条件下在其终端产品中使用我们的FRAM产品，如25℃或60℃，富士通可以保证基于理论计算的，超过10年的更长时间的数据保存周期。
Q: 采用FRAM时是否需要任何的特定存储控制器？当FRAM用在我们的应用时，我是否可以采用富士通的MCU？
A: 不需要。你可以采用标准存储控制器和MCU，可以但不限定于采用富士通的控制器和MCU。FRAM可以作为一个标准存储器用于你的系统。
Q: 富士通公司是否可以告诉我们所需要的任何具体数值，表示“低功耗”的特性?
A: 例如，与EEPROM和FRAM（条件：2M，SPI接口，2KB数据写入，1秒，5MHz的频率）相比，EEPROM消耗量为5.80mJ，而FRAM消耗量为0.46mJ。因此，FRAM仅消耗了十三分之一的功耗，节能达92%。
Q: 因为提到了FRAM在晶体结构中含铅（Pb），FRAM难道没有违反RoHS指令吗？
A: 不会，FRAM并没有违反RoHS指令。因为在FRAM产品中铅（Pb）含量低于1,000ppm，所以FRAM符合RoHS的要求。
Q: FRAM的封装类型仅有SOP一种吗？是否有采用其它类封装的计划？
A: 不是的.在串行接口FRAM系列中，所有产品都具有SOP封装。别外，16Kb FRAM增加了SON封装而2Mb FRAMDIP封装。在并行FRAM系列中，所有的产品都采用TSOP封装;另外，并行256Kb FRAM具有增加了SOP封装。
Q: 与传统的微控制器相比，FRAM微控制器的主要优势有哪些？
A: 主要优势如下：
• 可以不通过擦除操作，按位对数据进行改写
• 当进行数据改写操作时，可以实现更低的功耗，无需采用商压
• FRAM存储器即可用于存储数据，也可用于存储代码
• 即使在电磁波或辐射的情况下，数据仍是安全的
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发表于 2013-6-25 11:02:23
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