懂双向可控硅的大侠进，求教TRIAC与负载的连接方式

chensi007 · 发表于 2013-6-29 15:18:52

各位大侠：
下图有两种连接方式，

第一种是负载接至TRIAC的T1
第二种是负载接至TRIAC的T2
目前我们试验，这两种方式都是可以用的。
但是看很多资料，负载的接法都是采用第二种连接方式。
由于我们是多个TRIAC控制多个大功率负载。并且是用一块铝制散热片来散热。由于T2是这样的

因此不能用连接方式2来作
请问这两种方式都可以吗？
下图是瑞萨半导体的PDF截图

附：瑞萨关于双向可控硅的官方文档。中文的，写得还不错。

lgg88 · 发表于 2013-6-29 16:53:51

只要满足可控硅的象限，应该都可以

lgg88 · 发表于 2013-6-29 16:54:32

电路1我也经常用的

PCBBOY1991 · 发表于 2013-6-29 18:24:11

双向可控硅没有方向吧～

chensi007 · 发表于 2013-6-29 19:11:34

lgg88 发表于 2013-6-29 16:54
电路1我也经常用的

谢谢您的回复。心里有底了。TKS.

xinjihua · 发表于 2013-6-29 19:12:49

可以用的。

chensi007 · 发表于 2013-6-29 19:14:32

PCBBOY1991 发表于 2013-6-29 18:24
双向可控硅没有方向吧～

嗯。是电流正反向都能通过。按道理我这两图都能用。但又怕万一。所以才请了解的牛人掌掌眼。

sheant · 发表于 2013-6-29 19:25:26

都能用，我两种都用过

zyyn123 · 发表于 2013-6-29 20:38:35

以下帖可能对楼主有帮助
http://www.amobbs.com/thread-4199439-1-1.html

wukongli · 发表于 2013-6-29 23:04:27

第一种接法在可控硅没导通前，负载上不带电,更安全些？
个人猜测，理论上应该如此。

chensi007 · 发表于 2013-6-30 08:37:36

zyyn123 发表于 2013-6-29 20:38
以下帖可能对楼主有帮助
http://www.amobbs.com/thread-4199439-1-1.html

谢谢ZYYN123的回复

。。看来瑞萨官方的图是正确的。
根据您提供的URL。我把里边的结果贴出来。方便其它查看这个帖子的人。

http://www.amobbs.com/thread-4199439-2-1.html 第43楼和50楼（50楼的描述是对的）给出了答案：负载要放在T2端，G和T1耐压较低，容易击穿损坏

chensi007 · 发表于 2013-6-30 08:42:25

wukongli 发表于 2013-6-29 23:04
第一种接法在可控硅没导通前，负载上不带电,更安全些？
个人猜测，理论上应该如此。 ...

跟我的想法一致啊。哈哈。

，我见我们控制日光灯的开关就是控制火线，而不是控制零线。
刚刚看帖子，ZYYN123大湿给了一个贴子。我去看子一下。结论是：T1和G之间的耐压低。易击穿。故而负载应接至T2.

chensi007 · 发表于 2013-6-30 08:51:19

sheant 发表于 2013-6-29 19:25
都能用，我两种都用过

3Q,我的两种方式试验也都可以（都是阻性负载）。
ZYYN123给了一个网址。http://www.amobbs.com/thread-4199439-2-1.html 第43楼和50楼（50楼的描述是对的）给出了答案：负载要放在T2端，G和T1耐压较低，容易击穿损坏
看来。负载接至T2还是有讲究的。

xiaobendan001 · 发表于 2013-6-30 08:55:13

首先要明确一个问题，就是哪个是T1，那个是T2？
左边的是T1?或者说是与G形成触发电流的是T1？
这样说来，我们都是把负载接到T2了。
但是这个本身是串联的，T1,T2都一样吧。
另外很多情况下，击穿是因为G的原因吧。我们用第二，三相限触发的情况下，负载肯定是接T2了。但是用第一，三相限的情况下，应该差不多了，尤其是使用光耦的那种触发方式，对于G来说存在较高的DV/DT，或许会有一点影响吧。

xiaobendan001 · 发表于 2013-6-30 09:03:21

关于T1和G之间耐压较低，我不能理解，T1和G之间是呈现电阻特性的，阻值几十欧姆到上百欧姆不等（可能与触发电流大小有关）。既然不是一个需要关断的地方，何来耐压之说？

87hedong87 · 发表于 2013-6-30 17:53:47

mark

JQ_Lin · 发表于 2013-7-5 11:36:34

本帖最后由 JQ_Lin 于 2013-7-5 11:45 编辑

chensi007 发表于 2013-6-30 08:51
3Q,我的两种方式试验也都可以（都是阻性负载）。
ZYYN123给了一个网址。http://www.amobbs.com/thread-41 ...

http://www.amobbs.com/thread-4199439-2-1.html 第43楼和50楼（50楼的描述是对的）给出了答案：负载要放在T2端，G和T1耐压较低，容易击穿损坏
看来。负载接至T2还是有讲究的。

负载放在T1端，还是放在T2端，是要根据实际应用条件来确定的。
注意我在那个帖子里的补充和修正，避免被误导。

JQ_Lin · 发表于 2013-7-5 11:37:34

xiaobendan001 发表于 2013-6-30 09:03
关于T1和G之间耐压较低，我不能理解，T1和G之间是呈现电阻特性的，阻值几十欧姆到上百欧姆不等（可能与触发 ...

你的理解是正确的。

xiaobendan001 · 发表于 2013-7-6 07:32:54

JQ_Lin 发表于 2013-7-5 11:37
你的理解是正确的。

这个问题我咨询过我的供应商那边的技术了，她说有这个说法，但是什么原理也说不上来。
如果真的是这样的话，我猜想的可能是T2+T1-的情况下耐压高，而反过来耐压低，之前我买过别家的可控硅，是有这种现象的，只是楼主说错了。
或者当感性负载时，如果接T1，那么比较容易失控，原因是负载产生的电动势直接作用于T1，很容易和G之间产生电流而触发可控硅吧。也不知道对不对，其实相对来说接T2也有同样问题
但是我之前使用光耦触发可控硅的时候，接感性负载时的确会失控，需要加RC回路才行，但是对于功率很小又电感量很大的负载，对于RC的值，很难决定。

bigwudan · 发表于 2013-7-13 12:16:20

大哥我看你的《懂双向可控硅的大侠进，求教TRIAC与负载的连接方式》我想问一下！！你第一个连接方式中是用DC5V控制可控硅导通双向可控硅导通交流电

chensi007 · 发表于 2013-7-13 13:32:33

bigwudan 发表于 2013-7-13 12:16
大哥我看你的《懂双向可控硅的大侠进，求教TRIAC与负载的连接方式》我想问一下！！你第一个连接方式中是 ...

dc5v控制光耦，由光耦另一侧触发双向可控硅。下载MOC3021的DATA SHEET就明白啦。这货专用于驱动可控硅的。

bigwudan · 发表于 2013-7-13 16:05:33

chensi007 发表于 2013-7-13 13:32
dc5v控制光耦，由光耦另一侧触发双向可控硅。下载MOC3021的DATA SHEET就明白啦。这货专用于驱动可控硅的 ...

谢谢！！我只是想知道！！！我一直供电DC 5v,然后可控硅就一直导通交流吧！！！我断开DC5v 然后交流就不导通啦吧！我想做个交流电的开关！

chensi007 · 发表于 2013-7-13 16:11:20

bigwudan 发表于 2013-7-13 16:05
谢谢！！我只是想知道！！！我一直供电DC 5v,然后可控硅就一直导通交流吧！！！我断开DC5v 然后交 ...

是这个样子的。使光耦通电。双向可控硅会自动导通。断开5V，双向可控硅不导通。

bigwudan · 发表于 2013-7-14 00:29:12

chensi007 发表于 2013-7-13 16:11
是这个样子的。使光耦通电。双向可控硅会自动导通。断开5V，双向可控硅不导通。 ...

谢谢你的耐心讲解！！我还有个问题！！这里BAT212控制极触发条件是什么？我下啦一个PDF,我看的不明白

Tgt Vgt是不是分别代表门极触发电流和电压！！但是Vgt最大值怎么没有写？还有Vd是啥子意思？
谢谢

HZY//123456 · 发表于 2014-12-3 18:20:20

我也在困惑呢，再重前面开始看一遍吧

gebidemao · 发表于 2019-3-19 09:57:13

mark , 学习下

懂双向可控硅的大侠进，求教TRIAC与负载的连接方式

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