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MOS管导通瞬间导致MC9S08MM128死机,且复位无效(已解决)

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出0入0汤圆

发表于 2014-4-17 12:15:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 FSL_TICS_Robin 于 2014-5-4 12:54 编辑

说明:
       1. 图中VDD给MC9S08MM128供电。VCC给MCU外围器件供电。(power_on接MCU,由MCU控制外围器件的供电)
       2. MOS管后级(VCC端)没有大电容。只有5个104的电容。(VCC、GND 上串有10uH电感)
       3. 在MOS管导通瞬间,会将VDD拉低。
       4. VDD被拉低后,MC9S08MM128可能出现的情况有三种:不受影响、复位、死机。
       5. 最麻烦的是碰到死机情况,因为此时给Reset脚低电平也不能让MCU复位。
       6. 只有重新给MCU上电才能解除死机状态。

求教:用看门狗能不能让MC9S08MM128从这种死机状态下复位?
   

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一只鸟敢站在脆弱的枝条上歇脚,它依仗的不是枝条不会断,而是自己有翅膀,会飞。

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发表于 2014-4-17 12:42:50 | 显示全部楼层
Reset脚低电平也不能让MCU复位,看门狗应该没辙了吧,会不会是有闩锁发生?把GND上的电感短接试试会不会改善。

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发表于 2014-4-17 12:53:47 | 显示全部楼层
VDD网络靠近MOS处加个大点的电容试试

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发表于 2014-4-17 12:56:49 | 显示全部楼层
本帖最后由 pll19840511 于 2014-4-17 12:59 编辑

加电压监控芯片,不过会导致复位,如果想要更省钱和不复位的方法,楼主给我买个树莓派LCD的套装就告诉你

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发表于 2014-4-17 20:46:04 | 显示全部楼层
不知道楼主的VDD供电电源功率多大、VCC负载多大
以前我都是VDD加电容的,在MOSFET打开瞬间能够起到一点作用

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 楼主| 发表于 2014-4-17 21:45:33 | 显示全部楼层
bailao99 发表于 2014-4-17 12:53
VDD网络靠近MOS处加个大点的电容试试

VDD网络上有10uF电容。

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发表于 2014-4-18 07:02:20 来自手机 | 显示全部楼层
解决问题思路不对,找到电压跌落原因并处理,电源功率,负责功率?增加mos管处电容,或者mcu供电用二极管隔离后加大电容保持,就算vdd跌落,保证mcu的电压变化不大!

出0入0汤圆

发表于 2014-4-18 09:52:59 | 显示全部楼层
就像5、7楼网友提到的,楼主应该先从电源功率、负载功率、及其配套的电容电感来找问题。

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 楼主| 发表于 2014-4-18 12:25:46 | 显示全部楼层
FSL_TICS_Robin 发表于 2014-4-18 09:52
就像5、7楼网友提到的,楼主应该先从电源功率、负载功率、及其配套的电容电感来找问题。 ...

VDD端使用TPS78233,最大可输出230mA电流。负载的正常工作电流不会超过30mA。VDD端有10uF的电容应该是够的。像7楼说的MCU供电加隔离二极管和大电容应该是可行的。待会儿试一下。
只是不明白MCU处于什么状态会导致不能通过Reset脚复位,为什么会进入这种状态,如何避免进入这种状态。

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发表于 2014-4-18 12:54:32 | 显示全部楼层
yangwc 发表于 2014-4-18 12:25
VDD端使用TPS78233,最大可输出230mA电流。负载的正常工作电流不会超过30mA。VDD端有10uF的电容应该是够 ...

3. 在MOS管导通瞬间,会将VDD拉低。
4. VDD被拉低后,MC9S08MM128可能出现的情况有三种:不受影响、复位、死机。

那么是否有抓过“在MOS管导通瞬间,会将VDD拉低。”的波形呢,可以放上来给大家看一下

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 楼主| 发表于 2014-4-18 14:35:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 yangwc 于 2014-4-18 14:39 编辑
FSL_TICS_Robin 发表于 2014-4-18 12:54
3. 在MOS管导通瞬间,会将VDD拉低。
4. VDD被拉低后,MC9S08MM128可能出现的情况有三种:不受影响、复位 ...


图中是MOS管开启瞬间VDD的波形,峰值3.36V,谷值2.32V。如果开启了低压检测,并且使能低压复位,这种情况下MCU会复位。不清楚电压掉下之后的振荡是怎么产生的。是不是这些振荡导致MCU进入不确定的状态?

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 楼主| 发表于 2014-4-18 16:19:04 | 显示全部楼层
iomabc 发表于 2014-4-17 12:42
Reset脚低电平也不能让MCU复位,看门狗应该没辙了吧,会不会是有闩锁发生?把GND上的电感短接试试会不会改 ...

GND网络上的电感短接没有改善。

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 楼主| 发表于 2014-4-18 16:20:43 | 显示全部楼层
bailao99 发表于 2014-4-17 12:53
VDD网络靠近MOS处加个大点的电容试试

VDD网络上加100uF电解电容就不会出现MOS管导通时VDD跌落的问题。

出0入0汤圆

发表于 2014-4-18 17:08:48 | 显示全部楼层
yangwc 发表于 2014-4-18 12:25
VDD端使用TPS78233,最大可输出230mA电流。负载的正常工作电流不会超过30mA。VDD端有10uF的电容应该是够 ...

看下电源输出的滤波电容,可适当加大,还以为您负载比较大呢,这个算是小负载了,增加vdd电容到47uF,100uF,220uF试试就行了。

出0入0汤圆

发表于 2014-4-18 17:12:33 | 显示全部楼层
看了下,78233是150mA的,你的输入是几伏,还有其他什么负载,总的输出电流是多大,电源有否发热

出0入0汤圆

发表于 2014-4-18 17:21:48 | 显示全部楼层
power on是来自MC9S08MM128自身吧?此MCU上电时相关IO口是不是输出高电平把power on也升高然后把自己的电源给灭掉了?如果是这样情况,我是太熟悉了,需要按照STC的手册来处理。

出0入0汤圆

发表于 2014-4-18 19:50:11 | 显示全部楼层
R12 换成100nF的电容试哈子。

出0入10汤圆

发表于 2014-4-18 19:54:54 | 显示全部楼层
就在VDD靠近MOS管的地方加大电容就好了。。

出0入10汤圆

发表于 2014-4-18 20:01:08 | 显示全部楼层
如果不想装大电容,你尝试开关处开通时候用个合适的频率信号???
PS:这个我是想当然哈

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2014-4-19 11:32:27 | 显示全部楼层
xpxp 发表于 2014-4-18 17:21
power on是来自MC9S08MM128自身吧?此MCU上电时相关IO口是不是输出高电平把power on也升高然后把自己的电源 ...

MCU是一直由VDD供着电的。关机时MCU处于低功耗状态,开机唤醒,再由MCU通过I/O口(power_on网络)打开外围器件供电。power_on网络的电平状态是非常确定的:关机时为高,开机为低。

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 楼主| 发表于 2014-4-19 11:35:53 | 显示全部楼层
本帖最后由 yangwc 于 2014-4-19 11:36 编辑
fiddly 发表于 2014-4-18 17:12
看了下,78233是150mA的,你的输入是几伏,还有其他什么负载,总的输出电流是多大,电源有否发热 ...


电源有两种:1. 3.7V镍氢电池   2. 5V/1A开关电源   
没有其他负载。总的输出电流不会超过30mA。电源不发热。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2014-4-19 11:38:29 | 显示全部楼层
TANK99 发表于 2014-4-18 19:50
R12 换成100nF的电容试哈子。

不明觉厉。可以一试。

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 楼主| 发表于 2014-4-19 11:38:49 | 显示全部楼层
chengtina 发表于 2014-4-18 20:01
如果不想装大电容,你尝试开关处开通时候用个合适的频率信号???
PS:这个我是想当然哈 ...

不明觉厉。可以一试。

出0入0汤圆

发表于 2014-4-23 09:57:02 | 显示全部楼层
有没有可能是MCU跟外围器件间连接的信号时序问题,比如外围器件通电的瞬间,MCU的IO口为输出态,外围器件也为输出态,就会形成较大的灌电流冲击到MCU?

出0入0汤圆

发表于 2014-4-23 10:17:38 | 显示全部楼层
MOS管导通后,电压会跌落吧?有没有跌落到MCU的正常工作电压以下,同时也测量下纹波是否过大?
如果想MCU正常工作,从电源处理或者延长MOS管导通时间。如果想复位,加电压监控复位。

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发表于 2014-4-23 11:34:11 来自手机 | 显示全部楼层
一般人我不告诉他,让mos慢点开就可以了

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2014-4-23 16:56:39 | 显示全部楼层
TANK99 发表于 2014-4-18 19:50
R12 换成100nF的电容试哈子。

果然有效。

出0入0汤圆

发表于 2014-4-24 21:52:08 | 显示全部楼层
哈哈,求妇科圣手解释。

出0入0汤圆

发表于 2014-4-24 22:07:55 | 显示全部楼层
在一款产品上应用而来,当时试过减小后级的电容等方法,本来是在R12上并一个电容就可以解决,但是板子急着加工来不急改板,后来试了下只用一颗电容,通过。
个人认为是,打开管子的瞬间引起了电源振荡(个人认为这个是MOS本身的结构导致的,也与负载电流有关,后级电容影响不大),并上电容后,降低了这种影响,负载不陡升陡降,没有了振荡也就正常了。还好当时没有用示波器看波形,看了波形。。。。。。

换为电容的方法是可靠的,这种方式生产的机器有一二十万了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2014-4-25 08:40:09 | 显示全部楼层
TANK99 发表于 2014-4-24 22:07
在一款产品上应用而来,当时试过减小后级的电容等方法,本来是在R12上并一个电容就可以解决,但是板子急着 ...

后级电容的影响还是有的。如果后级电容已经放完电,MOS管导通瞬间,要对后级电容充电,后级电容相当于对地短路,这时负载电流就大了。
量产一二十万没出问题,这种方式应该是可靠的。

出0入0汤圆

发表于 2014-5-3 08:32:10 | 显示全部楼层
谢谢,正碰到这样的问题

出0入0汤圆

发表于 2014-5-4 08:14:27 | 显示全部楼层
加一个max809吧,会检测电压!

出0入0汤圆

发表于 2014-5-4 09:34:53 | 显示全部楼层
你的那个气件电路都看不到的呢?

出0入0汤圆

发表于 2015-11-23 14:06:01 | 显示全部楼层
加电容的方案真不错,赞一个

出0入0汤圆

发表于 2015-11-25 23:14:49 | 显示全部楼层
GS间加电容行之有效,在电源电压波动大时保持MOS管开通控制电压。
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