双向可控硅投切感性负载

lily2256 · 发表于 2014-9-10 09:15:45

小弟现在用多只双向可控硅来控制自耦变压器的多个抽头之间的来回切换以实现输出电压的改变，在抽头和双向可控硅之间串接了一个熔丝，现在在切换中熔丝老是烧掉，不知道是什么原因希望各位前辈帮忙分析一下谢谢

重庆酱油仔 · 发表于 2014-9-10 09:36:33

可控硅需要零电流后才能有效的关断，先确认在断开后，是否完成延时至电流为零后，才开启下一组。

farfar · 发表于 2014-9-10 09:41:06

該關斷的可控硅沒有可靠關斷的情況下觸發了另一組可控硅，導致繞組短路，熔絲肯定會熔斷的，不然就是可控硅損壞開路。
切換動作必須在過零點處動作！

lily2256 · 发表于 2014-9-10 09:52:24

farfar 发表于 2014-9-10 09:41
該關斷的可控硅沒有可靠關斷的情況下觸發了另一組可控硅，導致繞組短路，熔絲肯定會熔斷的，不然就是可控硅 ...

如何才能确保可控硅真实关断呢？

farfar · 发表于 2014-9-10 09:57:57

lily2256 发表于 2014-9-10 09:52
如何才能确保可控硅真实关断呢？

過零點之後，可控硅就可以認為被關斷。當然，在感性負載中使用可控硅時，需要為可控硅設置合適的吸收回路，否則，可控硅可能無法正確關斷。

lily2256 · 发表于 2014-9-10 10:01:33

farfar 发表于 2014-9-10 09:57
過零點之後，可控硅就可以認為被關斷。當然，在感性負載中使用可控硅時，需要為可控硅設置合適的吸收回路 ...

可控硅上面并了有RC吸收，

farfar · 发表于 2014-9-10 10:10:15

lily2256 发表于 2014-9-10 10:01
可控硅上面并了有RC吸收，

是的。
在過零點處切換即可。

lily2256 · 发表于 2014-9-10 10:39:38

farfar 发表于 2014-9-10 10:10
是的。
在過零點處切換即可。

我在第一个过零点延时5ms把原先开通的可控硅的控制信号去除等到下一个过零点延时500us我把要开通的可控硅的控制信号开通
软件这样控制可有问题呢？

farfar · 发表于 2014-9-10 10:55:20

過零之後爲什麽要延遲5ms才去除控制信號？這樣做很可能在你撤銷控制信號之前可控硅已經導通。
建議在過零之後直接撤銷控制信號后，如果需要切換，則直接切換即可。
或者在控制信號觸發一段時間后，比如5ms，撤銷控制信號；在過零的時候按需要執行進行切換動作。

hyper320 · 发表于 2014-9-10 11:50:03

可控圭只能打开无法关掉的,可控圭只要输出一个脉冲信号就行了,关掉是靠到了AC零点会自动关掉,你就算想中途关掉都办不到 !!如果你要刻意关掉,那线路就复杂了,你要能控制把可控圭的线路全部关掉不只控制脚

lily2256 · 发表于 2014-9-10 15:26:17

hyper320 发表于 2014-9-10 11:50
可控圭只能打开无法关掉的,可控圭只要输出一个脉冲信号就行了,关掉是靠到了AC零点会自动关掉,你就算想中途 ...

是的我的本意是在第一个过零点延时5ms控制信号切除第二个过零点的时候切除控制信号的可控硅理想应该关闭这时我再把要合的可控硅的控制信号投入

nos002 · 发表于 2014-9-17 17:24:39

lily2256 发表于 2014-9-10 15:26
是的我的本意是在第一个过零点延时5ms控制信号切除第二个过零点的时候切除控制信号的可控硅理 ...

感性负载电流相位并不一定滞后电压90°，根据负载的轻重而不同，在撤除触发信号后的下一个过零点并不能作为可控硅关断的依据。以前看过有检测可控硅端电压的方法来判断可控硅的关断与否，电路有些复杂。

jackdu · 发表于 2014-9-17 18:00:31

过零点检的准不准，还需用“示波器”确认一下；以前在“过零”检测不准上吃过亏

lily2256 · 发表于 2014-9-19 17:10:54

nos002 发表于 2014-9-17 17:24
感性负载电流相位并不一定滞后电压90°，根据负载的轻重而不同，在撤除触发信号后的下一个过零点并不能作 ...

既然过零为何不能作为可控硅的关断的依据？

lovemini · 发表于 2014-9-19 18:44:45

lily2256 发表于 2014-9-10 15:26
是的我的本意是在第一个过零点延时5ms控制信号切除第二个过零点的时候切除控制信号的可控硅理 ...

可控硅导通只要一个脉冲就可以了。控制信号不必要一直加在上面。
每个过零点后加一个脉冲控制导通即可。在你需要的下一个过零点切换。

nos002 · 发表于 2014-9-19 20:53:16

本帖最后由 nos002 于 2014-9-19 20:59 编辑

lily2256 发表于 2014-9-19 17:10
既然过零为何不能作为可控硅的关断的依据？

单相交流感性负载时电压和电流的相位关系，根据你的应用，应该在撤除触发信号后的第二个过零点才能认为可控硅已经关断，此时才能触发另一个可控硅。

lqluocn · 发表于 2014-9-19 21:54:29

可控硅做多路控制，想通过延时来控制导通，可靠性无法保证。

fangliang66 · 发表于 2014-9-19 23:44:40

不用加限流电阻的么

bli19 · 发表于 2014-9-20 01:52:19

不懂帮顶，最怕这种复杂结构了 N p n p n，很麻烦

cl1cl1cl1cl1 · 发表于 2014-9-20 06:25:57

也有碰到，没有解决好

LCH201328 · 发表于 2014-9-20 08:13:46

我来学习一下

hbl4546 · 发表于 2014-10-6 16:10:40

jackdu 发表于 2014-9-17 18:00
过零点检的准不准，还需用“示波器”确认一下；以前在“过零”检测不准上吃过亏 ...

目前正在弄可控硅调速，就是对过零点把握不准，大侠有什么高招，谢谢！我的帖子，http://www.amobbs.com/thread-5597165-1-1.html

yaxiaoyu · 发表于 2014-10-6 16:32:16

本帖最后由 yaxiaoyu 于 2014-10-6 16:34 编辑

你移相太多了，冲击电流大所致，你是普通的工频吧？半波T=10MS，你还延时5MS 电压都在峰值了~冲击笔记大·~ RC吸收回路要可靠，这个都是保护可控硅的~

xyharm · 发表于 2020-4-10 14:09:15

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xyharm · 发表于 2020-4-19 20:05:06

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