TMS320F28034数据存flash问题

wjliangjie123 · 发表于 2014-9-16 10:10:57

我用的CPU是TMS320F28034，在操作面板上通过“+”-“”更改参数数据，设完之后需要立刻保存在flash里，我看了TI的例程，先是通过Flash_Erase(a,b) 将一块扇区擦除，然后再写入数据，但是Debug后发现擦除扇区的程序消耗的时间有几百毫秒，但是我的要求是必须要在几十毫秒之内完成擦写数据，请问有没有好的方法。还有在擦写过程中如果有中断存在会影响擦写吗，我在擦写之前必需要先把中断关掉？

steaven2000 · 发表于 2014-9-16 11:32:06

这不是有病吗？明明一片几毛钱的24C02就能搞定的事，非得折腾够呛！

wjliangjie123 · 发表于 2014-9-16 12:54:13

steaven2000 发表于 2014-9-16 11:32
这不是有病吗？明明一片几毛钱的24C02就能搞定的事，非得折腾够呛！

不是的这个是参考其他公司的电路，对方并没有用额外的存储芯片

steaven2000 · 发表于 2014-9-16 13:32:27

wjliangjie123 发表于 2014-9-16 12:54
不是的这个是参考其他公司的电路，对方并没有用额外的存储芯片

难道是为了防止存储的参数泄密？
不过一般来说你用API函数来执行Flash擦除、编程之类的操作时，执行这些动作的代码应该是要在RAM中运行的，而且TI要求是要关闭中断的。
但是关中断这么长时间，真的对你的系统毫无影响？另外，是否这样折腾，考虑到了Flash的寿命吗？

EngKing · 发表于 2014-9-19 20:48:48

flash操作以页为单位，也就是说flash擦除要以页来擦除，如果楼主测试的是最小操作单位的话，那就是最小时间，没有其他的办法，同时，flash擦除也是有寿命的

小手冰凉 · 发表于 2014-9-19 20:56:10

代码有问题吧,内部flash读写都这么慢,dsp不是很快嘛?

wjliangjie123 · 发表于 2014-9-25 16:22:26

最后还是改方法了，用了一片24C02解决

TMS320F28034数据存flash问题

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