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求教各位大哥,怎么做电源防反接电路

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出5入4汤圆

发表于 2015-4-28 08:54:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
为了提高电路的安全性,我给电路适当加入了一些二极管和自恢复二极管。
做完睡觉前突然想到,二极管都是有压降的(市场上基本都是硅管 0.7V压降),如果我在5V电压输出端串入二极管,单片机岂不是只有4.3V了;还有个二极管准备加在24V电源输入端(24V是铅蓄电池供电),二极管用的是下图:

铁定是有0.7V压降的。电池实际放电电压和系统输入的电压也会有0.7V的压降....
请问各位大哥,二极管压降影响在实际应用中大不大 ?如何做到更好呢?

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出0入0汤圆

发表于 2015-4-28 08:58:05 | 显示全部楼层
你的这种情况明显不能串普通二极管,去查查肖特基二极管吧,电流不大甚至压降不会超过0.2V

出0入0汤圆

发表于 2015-4-28 09:10:33 | 显示全部楼层
如果输入电压不高,可以用MOS来做防反接。

出0入0汤圆

发表于 2015-4-28 09:22:02 | 显示全部楼层
MOS管,或者是防傻瓜型电源接头,肖吉特二极管(0.3V)

出0入0汤圆

发表于 2015-4-28 09:34:24 | 显示全部楼层
使用一个电桥就是不管正负极随便接了。。。
这是很多号称无极性电源设备的做法

出5入4汤圆

 楼主| 发表于 2015-4-28 09:45:21 | 显示全部楼层
xieguangye 发表于 2015-4-28 09:34
使用一个电桥就是不管正负极随便接了。。。
这是很多号称无极性电源设备的做法 ...

电桥里面还是用了整流二极管的

出0入0汤圆

发表于 2015-4-28 09:46:32 | 显示全部楼层
你增加二极管必然会有压降和功耗,不可避免。而且电流越大,压降也会越大,功耗越大。如果是单纯单片机供电,这个损耗必然不可忽视。
所以最好是在接插件的防呆上下功夫比较好。
如果是24V,一般都会向下做降压,所以二极管上的压降对后端的输出电压影响不大,甚至可以分担一些LDO上的损耗。
如果是5V,3V这样的电压,增加二极管则可能导致后端供电电压降低,则可以考虑在前端输出设计的时候,提高电压到5.7V或者4V,虽然现在的芯片的输入电压范围都比较宽,逻辑高一般都在70%的VDD。
二极管为非线性元件,随着电流的增大,正向压降增大;双二极管并联封装的二极管,正向压降比单管更低,反向漏电流会增大;锗管的正向压降低于硅管,MOS中的体二极管更比锗管性能好,但是成本递增;供电电路上的二极管不需要快速响应;
这些特性你了解,再根据你的需求来设计吧。

出0入0汤圆

发表于 2015-4-28 09:56:28 | 显示全部楼层
防反接的方案好几种,不同的场合适用不同的方案。  考虑你电路对电压电流的要求,再决定选用什么方案。

出0入0汤圆

发表于 2015-4-28 10:17:09 来自手机 | 显示全部楼层
8楼能具体说下方案吗?

出0入0汤圆

发表于 2015-4-28 10:31:15 来自手机 | 显示全部楼层
本坛讨论过这个问题.没有搜索吗?

出5入4汤圆

发表于 2015-4-28 10:36:22 | 显示全部楼层
Divingbear 发表于 2015-4-28 09:46
你增加二极管必然会有压降和功耗,不可避免。而且电流越大,压降也会越大,功耗越大。如果是单纯单片机供电 ...

说的很详细,那我问下,输入一次性锂亚电池3.6V(截止到2.8V),后面是LDO,稳压到3.0V,防反接应该怎么做呢?
我们现在直接用了一个肖特基二极管,感觉有点不足,浪费了电池电量。

出0入0汤圆

发表于 2015-4-28 11:19:21 来自手机 | 显示全部楼层
mos管有典型防返电路

出0入0汤圆

发表于 2015-4-28 12:33:42 | 显示全部楼层
grj0719 发表于 2015-4-28 10:36
说的很详细,那我问下,输入一次性锂亚电池3.6V(截止到2.8V),后面是LDO,稳压到3.0V,防反接应该怎么 ...

首先为什么要防反接?你这种电池的接线端子应该有防呆吧?
如果是接一个正向二极管,一般是防止后端电压升高反灌的吧?
而一般稳压到3V的LDO,都要求输入电压比输出电压高0.2到0.5V(具体看spec)
那么就要求输入电压在3.2到3.5V,输出才能保证在3V,不然的话,输出电压会随着输入电压的降低。
那么我们反推一下,如果你的芯片的最低供电电压在2V,LDO上有0.3V的压降,则输入电压需要高于2.3V,而锂电池最低输出电压2.8V,其间只有0.5V压差。
则:
1.你先确定是否需要防反接,这种电路需求在一般的板子上需求很小的。
2.然后如果确实需要,看看供电电流是多大,然后去查spec选择在该供电电流情况下的二极管正向压降。小电流情况可以考虑硅管,大电流就要考虑锗管。
3.选择带有EN引脚的LDO,可以避免部分情况下的电流反灌。
4.我理解的防反接可能和你不一样,在直流输入端接整流桥,这样正负极接反了,也能正常使用,这是我理解的防反接。如果只是接一个正向二极管,是防止后端电压升高后电流反灌烧掉元件的防护措施,与防反接不一样。一般用于容感性电路或者后端还有其他供电电路的情况。

出5入4汤圆

 楼主| 发表于 2015-4-28 12:42:32 | 显示全部楼层
feiban001 发表于 2015-4-28 09:56
防反接的方案好几种,不同的场合适用不同的方案。  考虑你电路对电压电流的要求,再决定选用什么方案。 ...

谢谢
我搜索了一下论坛,发现了有个帖子详细讨论过这个问题,而且您也回复了,原帖:http://www.amobbs.com/forum.php? ... E6%8E%A5&page=1
然后我产生了疑问(原帖也有人问了,不过没有得到回复)

疑问:图中的NMOS和正常的用法相反(正常的D接电源正,S接电源负),图中是反过来的。这样的话不用G控制,电流直接就能从MOS的体二极管走了...如果说这个电路能减小电源压降,难道是说这个体二极管性能好压降低?

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出5入4汤圆

发表于 2015-4-28 12:49:23 | 显示全部楼层
Divingbear 发表于 2015-4-28 12:33
首先为什么要防反接?你这种电池的接线端子应该有防呆吧?
如果是接一个正向二极管,一般是防止后端电压 ...

谢谢,其实如果我的话,就不来考虑反接了(电池接口有防呆的),直接一个PPTC就OK了,但是现在只是我想改进一下,这压降实在有点大。

准备用NMOS管试试看。

出5入4汤圆

发表于 2015-4-28 12:50:19 | 显示全部楼层
tim4146 发表于 2015-4-28 12:42
谢谢
我搜索了一下论坛,发现了有个帖子详细讨论过这个问题,而且您也回复了,原帖:http://www.amobbs.c ...

正常情况下不经过二极管的PN结的,而是走MOSFET的PN结的。

出5入4汤圆

 楼主| 发表于 2015-4-28 12:50:53 | 显示全部楼层
bg6agf 发表于 2015-4-28 10:31
本坛讨论过这个问题.没有搜索吗?

确实搜到了
http://www.amobbs.com/forum.php? ... E6%8E%A5&page=1
但是产生了疑问

出5入4汤圆

 楼主| 发表于 2015-4-28 13:03:17 | 显示全部楼层
grj0719 发表于 2015-4-28 12:50
正常情况下不经过二极管的PN结的,而是走MOSFET的PN结的。

您看一下这个电路吧,这个电路在正常工作情况下 工作电流是从体二极管走的吧?
难道利用了MOS管体二极管压降小的优势?
我差了手头的资料,这个体二极管正向压降也不小(IRFR1205)

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出5入4汤圆

 楼主| 发表于 2015-4-28 13:46:03 | 显示全部楼层
yyvvzz 发表于 2015-4-28 11:19
mos管有典型防返电路

求大哥看14楼...

出5入4汤圆

发表于 2015-4-28 13:54:54 | 显示全部楼层
tim4146 发表于 2015-4-28 13:03
您看一下这个电路吧,这个电路在正常工作情况下 工作电流是从体二极管走的吧?
难道利用了MOS管体二极管 ...

饱和导通,走的Ron,不是二极管。导通电阻很小的。

可以看看:http://bbs.21dianyuan.com/47676.html
你可以测量一下。

出5入4汤圆

发表于 2015-4-28 13:56:54 | 显示全部楼层
tim4146 发表于 2015-4-28 13:03
您看一下这个电路吧,这个电路在正常工作情况下 工作电流是从体二极管走的吧?
难道利用了MOS管体二极管 ...

我想你的困惑在于此:
http://www.chinafix.com/thread-507156-1-1.html

出0入0汤圆

发表于 2015-4-28 14:04:20 | 显示全部楼层
我上次说过,反并二极管,保险应该必用的

出0入4汤圆

发表于 2015-4-28 14:55:50 | 显示全部楼层



TI的文档

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出0入0汤圆

发表于 2015-4-28 15:32:59 | 显示全部楼层
tim4146 发表于 2015-4-28 12:42
谢谢
我搜索了一下论坛,发现了有个帖子详细讨论过这个问题,而且您也回复了,原帖:http://www.amobbs.c ...

仔细看,电源极性正确的时候,VGS = V+ - Vd (启动时),随后MOS导通,Vd就被短路了,条件同样成立。
反接的时候, VGS = 0V, 而且体二极管截止,MOS不会导通。

出5入4汤圆

 楼主| 发表于 2015-4-28 16:32:06 | 显示全部楼层
grj0719 发表于 2015-4-28 13:56
我想你的困惑在于此:
http://www.chinafix.com/thread-507156-1-1.html

谢谢,真心学到了,mos管原来可以双向导通的...这样的话就好理解了

出5入4汤圆

 楼主| 发表于 2015-4-28 16:36:48 | 显示全部楼层
feiban001 发表于 2015-4-28 15:32
仔细看,电源极性正确的时候,VGS = V+ - Vd (启动时),随后MOS导通,Vd就被短路了,条件同样成立。
反 ...

谢谢您的讲解,知道mos管的DS可以双向走电流之后,感觉能理解这个电路了

出5入4汤圆

 楼主| 发表于 2015-4-28 16:38:35 | 显示全部楼层

谢谢,很有用的文档资料!

出0入8汤圆

发表于 2015-4-28 17:33:36 | 显示全部楼层
冷雨夜 发表于 2015-4-28 08:58
你的这种情况明显不能串普通二极管,去查查肖特基二极管吧,电流不大甚至压降不会超过0.2V ...

肖特基 还的看电流的,电流大的话  压降也大。

出0入0汤圆

发表于 2015-6-3 21:35:20 | 显示全部楼层

出0入17汤圆

发表于 2015-6-3 21:59:51 来自手机 | 显示全部楼层
反并二级管,再串个PTC

出0入0汤圆

发表于 2015-6-3 22:21:56 | 显示全部楼层
如果你在电源输入中,反并一个二极管那。

出0入0汤圆

发表于 2015-8-15 00:41:19 | 显示全部楼层
使用底边防反接使用N-mos,使用高边防反接的话就使用P-mos,这两个电路都很成熟的。我做的控制器使用的是nmos

出0入0汤圆

发表于 2015-8-15 15:18:00 | 显示全部楼层
可以把反馈sense点接到二极管后面,电压提高一点输出

出0入0汤圆

发表于 2016-4-20 14:36:27 | 显示全部楼层
csy1991hf 发表于 2015-8-15 00:41
使用底边防反接使用N-mos,使用高边防反接的话就使用P-mos,这两个电路都很成熟的。我做的控制器使用的是nm ...

请教一下,什么叫底边,什么叫高边呢,谢谢

出0入0汤圆

发表于 2016-4-20 15:13:24 | 显示全部楼层
bad_fpga 发表于 2016-4-20 14:36
请教一下,什么叫底边,什么叫高边呢,谢谢

电源负极叫低边,电源正极叫高边

出0入0汤圆

发表于 2016-6-1 09:30:18 | 显示全部楼层
我一般简单点 在电源输入负极,反并一个二极管那。

出0入0汤圆

发表于 2016-6-1 14:40:04 | 显示全部楼层
看你是多大功率的,如果是大功率的,建议不要在电路上做,成本高,把外壳做成防反接的。
如果是,100mA左右这种,串个肖特基

如果是几A的,用MOS

出0入0汤圆

发表于 2016-6-1 16:09:59 来自手机 | 显示全部楼层
mark      

出0入4汤圆

发表于 2016-6-1 16:12:11 | 显示全部楼层
mos管,可以搜下华为有个这样的专利电路,可以参考一下

出0入0汤圆

发表于 2016-6-1 19:46:50 来自手机 | 显示全部楼层
串自恢复保险,后面再在电源线上反并一大些电流的快速整流二极管。如不放心,在前面串个快速熔断保险丝。

出0入0汤圆

发表于 2016-6-1 19:50:12 | 显示全部楼层
串联一个自恢复保险,反向并联一个二极管,接反了就烧保险了,断电几分钟就恢复了

出0入0汤圆

发表于 2016-6-1 20:07:17 | 显示全部楼层
肖特基二极管 压降低点 0.2V

出0入0汤圆

发表于 2016-6-2 10:24:36 | 显示全部楼层
mark一下 电源防反接

出0入0汤圆

发表于 2016-6-2 23:18:29 | 显示全部楼层
前些天也遇到mos电流方向的困惑   搭了电路测试  确实是双向的

出0入4汤圆

发表于 2016-6-2 23:29:22 来自手机 | 显示全部楼层
保险丝加二极管并联电源端就可以

出0入0汤圆

发表于 2016-6-3 23:37:48 | 显示全部楼层
蓄电池供电,用MOS做防反接的话,导通时候的冲击电流怎么处理?

出0入0汤圆

发表于 2016-6-4 13:45:07 | 显示全部楼层
如果对效率损失没要求用二极管防反接问题不大,把电源电压采样点改下,接到二极管后面输出照样是5v

出5入0汤圆

发表于 2016-11-2 13:17:23 | 显示全部楼层
终于明白了  哈哈

出0入0汤圆

发表于 2016-11-3 12:40:14 | 显示全部楼层
负极反接NMOS!

出0入0汤圆

发表于 2016-11-7 08:14:38 | 显示全部楼层
防反接保護電路設計.........分享,網路找到

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出0入0汤圆

发表于 2016-11-17 02:48:49 | 显示全部楼层
多几句废话:如果你的电路对电源压差敏感(电池供电)且消耗电流比较小,那就适合MOS管保护;
                  如果电路对电源压差不敏感(稳压电源供电)且消耗电流比较小,那就可以直接正向串联二极管;
                  如果电路对电源消耗电流比较大,那就适合串联保险丝后且反向并联大电流二极管!
仅供参考!后果不负!!

出0入0汤圆

发表于 2019-12-31 22:02:07 | 显示全部楼层
MOS管导通后真的可以双向电流??类似一根短线
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