谁能帮解释场效应管的这种接法？

wanyi · 发表于 2016-5-16 21:19:48

在论坛的一个帖子里看到场效应这个一个用法：防止电源反接的功能。但是有个地方不明白，以图中的NMOS来说，教科书都说，vgs>vth，沟道建立，自由电子从源级流向漏级（电流方向D到S），这是需要vds>0，但是图中衬底B显然是和S连到一块的，实际的电流方向是S到D,这是为何？和书上的说法不一样。

OOXX110 · 发表于 2016-5-16 21:34:57

好好温习一下MOSFET的示意图

wanyi · 发表于 2016-5-16 21:45:28

好好温习一下MOSFET的示意图

希望高手释疑：NMOS来说，教科书都说，vgs>vth，沟道建立，自由电子从源级流向漏级（电流方向D到S），这是需要vds>0，但是图中衬底B显然是和S连到一块的，实际的电流方向是S到D,这是为何？

heize · 发表于 2016-5-16 21:48:16

电源反接保护电路

wanyi · 发表于 2016-5-17 09:14:20

电源反接保护电路

是的，能讲讲NMOS为什么这样接吗？d和s反一下可以吗？我仿真时可以得

262619890 · 发表于 2016-5-17 13:07:39

直接通过二极管导通了啊

LM1876 · 发表于 2016-5-17 13:23:17

wanyi 发表于 2016-5-17 09:14
是的，能讲讲NMOS为什么这样接吗？d和s反一下可以吗？我仿真时可以得

你自己看一下啊，NMOS的D和S反一下的话，内部二极管在电源接反的时候，就直接通过二极管进到电路中了，防反接就没意义了啊

ayumi8 · 发表于 2016-5-17 13:37:31

这个不是拿 MOS 当二极管在用?

zf12862177 · 发表于 2016-5-17 15:05:02

mos 导通后实际电流可以 D到S 也可以S 到D 都一样。

wanyi · 发表于 2016-5-19 10:21:12

你自己看一下啊，NMOS的D和S反一下的话，内部二极管在电源接反的时候，就直接通过二极管进到电路中了，防反接就没意义了啊

是的，我就是不理解：“教科书上讲，n沟道的管子导通后应该是D的电压比S高的，有了这个电场之后才能使的S的N（电子们）源源不断的流向D。

xly · 发表于 2016-5-19 16:32:47

MOS管导通后，电流是可以双向流动的。不信你可以试下。

eaglebear · 发表于 2016-5-19 17:17:56

二极管画反了？

kebaojun305 · 发表于 2016-5-19 17:58:17

本帖最后由 kebaojun305 于 2016-5-19 18:00 编辑

MOS导通后，ds之间是个电阻，交流也可以通过的。

yunhuisong · 发表于 2016-5-19 18:56:02

沟道建立后电流是可以双向流动的，一般教科书确实没写

abc220 · 发表于 2016-5-19 21:32:54

防反接电路，正接MOS管导通，将二极管短路，二极管不起作用，反接MOS截止，同时二极管反向阻断电流回路。

heize · 发表于 2016-5-19 21:56:21

wanyi 发表于 2016-5-17 09:14
是的，能讲讲NMOS为什么这样接吗？d和s反一下可以吗？我仿真时可以得

寄生二极管的副作用导致一定不能反过来用；
相比于二极管，MOS管这时是内阻起作用，压降很小

shuxuequan · 发表于 2016-5-21 13:13:21

给你一个我自己用的电路

powerplj · 发表于 2016-5-24 09:03:08

MOS导通后，电流是可以双向流通的；相同压差下，电流大小有点差别

Jach · 发表于 2016-5-24 15:38:17

wanyi 发表于 2016-5-19 10:21
是的，我就是不理解：“教科书上讲，n沟道的管子导通后应该是D的电压比S高的，有了这个电场之后才能使的S的 ...

MOSFET其實是個4端點元件. D,S兩端像是一個由電壓控制的可變電阻, 控制電壓是Vgb. 導通之後電流兩方向都可以流動, 由Vds決定. 沒說NMOS一定要從D流到S的.

wanyi · 发表于 2016-5-25 21:24:26

MOSFET其實是個4端點元件. D,S兩端像是一個由電壓控制的可變電阻, 控制電壓是Vgb. 導通之後電流兩方向都可以流動, 由Vds決定. 沒說NMOS一定要從D流到S的.

这个解释好，导通后电流到底是那个方向由vds决定

奔跑的小白 · 发表于 2016-5-26 09:45:37

就是隔离加防反接，防反接原理跟而二极管一样，这里可以把mos管当成二极管看待，至于为什么不用二极管，因为在饱和导通情况下，可以实现mos管ds压降很小，可以将VBAT几乎无损的传给负载，而二极管会有0.7V左右的压降s损耗。至于隔离作用在多电源输入的情况下作用很明显。比如，你在负载接一个5V的直流电源（假设VBAT为3.3V），VBAT就不给负载供电了，实现隔离效果。

汪凯露露 · 发表于 2016-5-26 10:25:29

ayumi8 发表于 2016-5-17 13:37
这个不是拿 MOS 当二极管在用?

就是当二极管用

汪凯露露 · 发表于 2016-5-26 10:45:27

shuxuequan 发表于 2016-5-21 13:13
给你一个我自己用的电路

我不明白第三个电路原理，假设PMOS导通，那么两个电阻分压是12V ，那么对于PMOS 不是关闭了吗？望指点

Jach · 发表于 2016-5-26 16:05:37

汪凯露露发表于 2016-5-26 10:25
就是当二极管用

實際上跟二極管一點關係都沒有

GunGun · 发表于 2016-5-26 19:27:40

楼上，算得上有关系。压降约为0的二极管

pingqifa · 发表于 2019-3-21 15:40:54

做了实验，确实如此，GS之间加了电压后，D-S S-D之间电流双向都可以自由流动，而且只有导通电阻，我用的2N7002，电流是从S流向D ，电流30mA，S-D压降20mV大概0.7欧姆

谁能帮解释场效应管的这种接法？

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