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求推荐一款切换信号的开关ic

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出0入0汤圆

发表于 2017-5-3 10:56:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
手持式设备, 需要检测电池的电量, 当把vbat练到MCU的ADC端时, 发现关机后, ADC端会产生几十uA的漏电流,应该是电流从ADC端进入导致的。 因此, 现在考虑把vbat通过一个开关ic来控制接通或者断开与ADC引脚的连接。
求成熟的方案:过mA级的小电流即可, 导通电阻要小,电压范围在0~5V。
pmos就算了, 因为pmos端的栅极会导致vbat连接到io口上, 也会引起漏电流。

出0入137汤圆

发表于 2017-5-3 10:57:53 | 显示全部楼层
ADI的各种模拟开关,去网站直接选型

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-5-3 11:20:22 | 显示全部楼层
zeroXone 发表于 2017-5-3 11:15
测量后关闭ADC部分不行吗,耦合电阻搞大

不是在开机时有漏电流, 而是在关机后, 由于vbat直接连到了adc管教, 导致电流进入adc, 然后从芯片内部漏掉了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-5-3 11:25:56 | 显示全部楼层
用三极管&pmos搭了一个, 请大家看看, 可不可行?
Q8是NMOS管。 BATDECT_EN是MCU的io管脚。
这样, 当关机时,三极管Q7关断,NMOS管Q8关断, vbat无法直接连接batdect_en或者ADC_VIN, 所以不会有漏电流产生。
          当开机后, BATDECT_EN为高,Q7的集电极也就是Q8的栅极为低, 导致NMOS管导通, VBAT连接到ADC_VIN,可以有效测量电池电量。

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出100入113汤圆

发表于 2017-5-3 11:27:04 | 显示全部楼层
zeroXone 发表于 2017-5-3 11:15
测量后关闭ADC部分不行吗,耦合电阻搞大

这个是正解,串个大电阻到ADC的IO上,休眠模式ADC设置为高阻。使用开关,开关也会耗电的。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-5-3 11:28:27 | 显示全部楼层
saccapanna 发表于 2017-5-3 11:27
这个是正解,串个大电阻到ADC的IO上,休眠模式ADC设置为高阻。使用开关,开关也会耗电的。 ...

不是休眠漏电, 而是关机漏电流在几十uA, 不希望出现。

出100入113汤圆

发表于 2017-5-3 11:30:35 | 显示全部楼层
zhdiamond 发表于 2017-5-3 11:25
用三极管&pmos搭了一个, 请大家看看, 可不可行?
Q8是NMOS管。 BATDECT_EN是MCU的io管脚。
这样, 当关 ...

这个电路应该也可行,三极管基极串电阻!但都是成本啊。

出100入113汤圆

发表于 2017-5-3 11:32:22 | 显示全部楼层
zhdiamond 发表于 2017-5-3 11:28
不是休眠漏电, 而是关机漏电流在几十uA, 不希望出现。

漏是从ADC的IO漏掉的,所以从ADC的IO上想想办法,看能否解决问题。说说你用的具体芯片型号?

出100入113汤圆

发表于 2017-5-3 11:37:51 | 显示全部楼层
zhdiamond 发表于 2017-5-3 11:25
用三极管&pmos搭了一个, 请大家看看, 可不可行?
Q8是NMOS管。 BATDECT_EN是MCU的io管脚。
这样, 当关 ...

没仔细看文字,你的图用的是PMOS!PMOS是可以,NMOS不能这样用,更耗电。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-5-3 12:03:02 | 显示全部楼层
saccapanna 发表于 2017-5-3 11:37
没仔细看文字,你的图用的是PMOS!PMOS是可以,NMOS不能这样用,更耗电。

对。 说错了。 PMOS

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-5-3 12:03:47 | 显示全部楼层
saccapanna 发表于 2017-5-3 11:32
漏是从ADC的IO漏掉的,所以从ADC的IO上想想办法,看能否解决问题。说说你用的具体芯片型号? ...

NXP的LPC系列

出0入0汤圆

发表于 2017-5-3 14:47:23 | 显示全部楼层
Application Circuit for Battery Voltage Detection

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出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-5-3 16:47:30 | 显示全部楼层
shangdawei 发表于 2017-5-3 14:47
Application Circuit for Battery Voltage Detection

谢谢!说明我刚才做的那个设计应该是没问题的。

出0入50汤圆

发表于 2017-5-3 16:53:03 | 显示全部楼层
MOS管担心寄生二极管倒流,用2个背靠背就可以杜绝这个问题啦,几十微安的电流小意思了,MOS管的导通电阻都不会影响检测结果多少精度的。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-5-3 17:00:15 | 显示全部楼层
ilikemcu 发表于 2017-5-3 16:53
MOS管担心寄生二极管倒流,用2个背靠背就可以杜绝这个问题啦,几十微安的电流小意思了,MOS管的导通电阻都 ...

不好意思, 不是很明白, 能详细说一下吗?

出0入0汤圆

发表于 2017-5-3 17:08:20 | 显示全部楼层
楼主可以看一下SGM3157这个模拟开关

出0入0汤圆

发表于 2017-5-3 19:15:16 | 显示全部楼层
shangdawei 发表于 2017-5-3 14:47
Application Circuit for Battery Voltage Detection

这个图,mos的G极是不是少了上拉电阻。。。

出0入0汤圆

发表于 2017-5-3 20:04:14 | 显示全部楼层
TC4S66F 模拟开关

出0入0汤圆

发表于 2017-5-3 20:10:38 | 显示全部楼层
立创商城一搜模拟开关,你想要的应该都有!

出0入0汤圆

发表于 2017-5-3 20:31:21 | 显示全部楼层
mPiDDR 发表于 2017-5-3 19:15
这个图,mos的G极是不是少了上拉电阻。。。

应该是少了上拉电阻。

出0入0汤圆

发表于 2017-5-3 20:57:22 | 显示全部楼层
zhdiamond 发表于 2017-5-3 17:00
不好意思, 不是很明白, 能详细说一下吗?





http://www.electronic-products-d ... as-general-switches

Mosfet True Switch / Bi-Directional Switch With P-Channel MOSFETs

Using this back to back arrangement of P Channel mosfets, when on current will flow in either direction.
When off both sides are isolated.  
You can use any typical P channel mosfet.



https://electronics.stackexchang ... urce-vs-comon-drain

Back-to-back MOSFETs: common source vs comon drain?






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出20入128汤圆

发表于 2017-7-14 15:18:24 | 显示全部楼层
ilikemcu 发表于 2017-5-3 16:53
MOS管担心寄生二极管倒流,用2个背靠背就可以杜绝这个问题啦,几十微安的电流小意思了,MOS管的导通电阻都 ...


请问大神,所谓的MOS管背靠背,是图中的哪种呢?

是上面的,还是下面的,还是说两种都可以,都属于背靠背的形式;

谢谢!

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