dspic33f芯片没有内部EEPROM，仅有的一个数据需要存储且掉电...

fangjikun

dspic33f芯片没有内部EEPROM，仅有的一个数据需要存储且掉电能保存，
用表读表写功能实现吗？刚看了一下没怎么看懂，明天就要交货了。
18的芯片还可以用flashwrite.c和flashread.c两个文件操作，33f的芯片不知道怎么弄了。

sme

写进flash不就行了吗？

fangjikun

sme 发表于 2017-7-5 17:49
写进flash不就行了吗？

纠结的就是不会  “写进flash”的方法

cheungman

1. #ifndef __FLASH_H__
   
2. #define __FLASH_H__
   
3. 
   
4. #define FLASH_ERASE_PAGE         0x4042
   
5. #define FLASH_WRITE_BLOCK          0x4001
   
6. #define FLASH_WRITE_WORD        0x4003
   
7. 
   
8. typedef struct
   
9. {
   
10.         unsigned char lowData;
    
11.         unsigned char midData;
    
12.         unsigned char highData;
    
13.         unsigned char nothing;
    
14. }FLASHFRAME;
    
15. 
    
16. extern void FlashErasePage(unsigned long flashAddr);
    
17. extern void FlashWrite3Byte(unsigned long flashAddr, FLASHFRAME *flashFrame);
    
18. extern void FlashWriteBlock(unsigned long flashAddr, unsigned char *Dest);
    
19. extern void FlashRead3Byte(unsigned long flashAddr, FLASHFRAME *flashFrame);
    
20. extern void FlashReadBlock(unsigned long flashAddr,unsigned char *Dest);
    
21. 
    
22. #endif

复制代码

1. /**************************************************************************************************
   
2.         PIC24H闪存程序存储器阵列以64条指令（每条指令
   
3. 包含3个字节, 即192 字节）为1行（或“块”）。
   
4.         运行时自编程(Run-Time Self-Programming, RTSP)
   
5. 允许用户一次擦除由 8 行数据(512条指令, 1536 字节)
   
6. 组成的程序存储器页，一次将 64 条指令(192 字节)的1
   
7. 行或单条指令写入程序存储器.
   
8. **************************************************************************************************/
   
9. 
   
10. #if defined(__dsPIC33F__)
    
11.         #include <p33Fxxxx.h>
    
12. #elif defined(__PIC24H__)
    
13.         #include <p24Hxxxx.h>
    
14. #elif defined(__PIC24F__)
    
15.         #include <p24Fxxxx.h>
    
16. #endif
    
17. 
    
18. #include "flash.h"
    
19. 
    
20. /********************************************************************************************
    
21. * 函数名称：void FlashProgCycle(void)
    
22. * 函数功能：启动编程时序
    
23. * 入口参数：无
    
24. * 出口参数：无
    
25. * 说    明：
    
26. *********************************************************************************************/
    
27. void FlashProgCycle(void)
    
28. {
    
29.            NVMKEY = 0x55;
    
30.            NVMKEY = 0xaa;
    
31.            _WR = 1;
    
32.            Nop();
    
33.            Nop();
    
34. }
    
35. 
    
36. /********************************************************************************************
    
37. * 函数名称：void FlashErasePage(unsigned long flashAddr)
    
38. * 函数功能：在指定的FLASH地址上擦除8行块,512条指令,1536字节
    
39. * 入口参数：flashAddr:指定要擦除Flash 8行块的起始地址(0x400的倍数)
    
40. * 出口参数：无
    
41. * 说    明：对FLASH进行块擦除操作时, 擦除的起始地址应该是0x400的倍数;
    
42. *********************************************************************************************/
    
43. void FlashErasePage(unsigned long flashAddr)
    
44. {        
    
45.            NVMCON = FLASH_ERASE_PAGE;
    
46.           
    
47.         TBLPAG = ((flashAddr & 0x7F0000)>>16);
    
48.         flashAddr = (flashAddr & 0x00FFFF);
    
49.     asm("tblwtl w0,[w0]");
    
50. 
    
51.         FlashProgCycle();
    
52. }
    
53. 
    
54. /********************************************************************************************
    
55. * 函数名称：void FlashWrite3Byte(unsigned long flashAddr, FLASHFRAME *flashFrame)
    
56. * 函数功能：在指定的FLASH地址上写入1条指令,3个字节
    
57. * 入口参数：flashAddr:指定写入的起始地址;
    
58.                         *flashFrame:待写入的数据(3个字节, 包含lowData,midData,highData);
    
59. * 出口参数：无
    
60. * 说    明：
    
61. *********************************************************************************************/
    
62. void FlashWrite3Byte(unsigned long flashAddr, FLASHFRAME *flashFrame)
    
63. {
    
64.            NVMCON = FLASH_WRITE_WORD;
    
65.                   
    
66.           TBLPAG = ((flashAddr & 0x7F0000)>>16);
    
67.           flashAddr = (flashAddr & 0x00FFFF);
    
68. 
    
69.         asm("tblwtl.b %1,[%0]"::"r"(flashAddr),"d"(flashFrame->lowData));
    
70.     asm("tblwth.b %1,[%0]"::"r"(flashAddr),"d"(flashFrame->highData));
    
71.     flashAddr++;
    
72.     asm("tblwtl.b %1,[%0]"::"r"(flashAddr),"d"(flashFrame->midData));
    
73. 
    
74.         FlashProgCycle();
    
75. }
    
76. 
    
77. /********************************************************************************************
    
78. * 函数名称：void FlashWriteBlock(unsigned long flashAddr, unsigned char *Dest)
    
79. * 函数功能：在指定的FLASH地址上写入1行块,64条指令,192字节
    
80. * 入口参数：flashAddr:指定写入的起始地址(0x80的倍数);
    
81.                         *Dest:待写入的数据(192字节);
    
82. * 出口参数：无
    
83. * 说    明：写入的起始地址应该是0x80的倍数;
    
84. *********************************************************************************************/
    
85. void FlashWriteBlock(unsigned long flashAddr, unsigned char *Dest)
    
86. {
    
87.     unsigned int i;
    
88. 
    
89.            NVMCON = FLASH_WRITE_BLOCK;
    
90.           
    
91.           TBLPAG = ((flashAddr & 0x7F0000)>>16);
    
92.         flashAddr = (flashAddr & 0x00FFFF);
    
93.           
    
94.            for(i=0; i<64; i++)
    
95.         {       
    
96.                 asm("tblwtl.b %0,[%1]"::"r"(*Dest),"d"(flashAddr));
    
97.             Dest++;
    
98.             asm("tblwtl.b %0,[%1]"::"r"(*Dest),"d"(flashAddr+1));
    
99.             Dest++;
    
100.             asm("tblwth.b %0,[%1]"::"r"(*Dest),"d"(flashAddr));
     
101.             Dest++;
     
102.             Dest++;
     
103.                    flashAddr += 2;
     
104.            }
     
105. 
     
106.         FlashProgCycle();
     
107. }
     
108. 
     
109. /********************************************************************************************
     
110. * 函数名称：void FlashRead3Byte(unsigned long flashAddr, FLASHFRAME *flashFrame)
     
111. * 函数功能：从指定地址读取1条指令
     
112. * 入口参数：flashAddr:读指定地址上的1条指令
     
113. * 出口参数：*flashFrame:保存读取到数据
     
114. * 说    明：
     
115. *********************************************************************************************/
     
116. void FlashRead3Byte(unsigned long flashAddr, FLASHFRAME *flashFrame)
     
117. {       
     
118.         flashAddr = (flashAddr & 0x00FFFF);
     
119.         TBLPAG = ((flashAddr & 0x7F0000)>>16);
     
120.        
     
121.         asm("tblrdl.b [%1],%0":"=r"(flashFrame->lowData):"r"(flashAddr));
     
122.     asm("tblrdl.b [%1],%0":"=r"(flashFrame->midData):"r"(flashAddr+1));
     
123.            asm("tblrdh.b [%1],%0":"=r"(flashFrame->highData):"r"(flashAddr));
     
124. }
     
125. 
     
126. /********************************************************************************************
     
127. * 函数名称：void FlashReadBlock(unsigned long flashAddr, unsigned char *Dest)
     
128. * 函数功能：从指定地址读取1行块,64条指令,192字节
     
129. * 入口参数：flashAddr:指定要读取数据的起始地址
     
130. * 出口参数：*Dest:保存读取到数据
     
131. * 说    明：
     
132. *********************************************************************************************/
     
133. void FlashReadBlock(unsigned long flashAddr, unsigned char *Dest)
     
134. {
     
135.         unsigned int i;
     
136.        
     
137.         TBLPAG = ((flashAddr & 0x7F0000)>>16);
     
138.         flashAddr = (flashAddr & 0x00FFFF);
     
139.        
     
140.            for(i=0; i<64; i++)
     
141.         {
     
142.             asm("tblrdl.b [%1],%0":"=r"(*Dest):"r"(flashAddr));
     
143.         Dest++;
     
144.                asm("tblrdl.b [%1],%0":"=r"(*Dest):"r"(flashAddr+1));
     
145.         Dest++;
     
146.               asm("tblrdh.b [%1],%0":"=r"(*Dest):"r"(flashAddr));
     
147.                Dest++;  
     
148.                *Dest = 0x00;
     
149.                Dest++;            
     
150.                flashAddr += 2;
     
151.         }
     
152. }

复制代码

tongdayusu

哎呀，我不看好您做的这个产品。。。。太仓促了。

fangjikun

tongdayusu 发表于 2017-7-6 18:44
哎呀，我不看好您做的这个产品。。。。太仓促了。

之所以想这个办法是因为外部存储芯片仓库用完了，而且后面也不准备用它了。
现在能够在程序区数据，不过没这么干，还是花高价从市场买了存储芯片，求的就是稳定。

mandzy

可以写在程序空间没有用到的FLASH里边