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求助N-MOS管发热严重问题

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出0入0汤圆

发表于 2017-9-19 21:32:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 Nemo_tony 于 2017-9-19 22:21 编辑

在N-MOS控制电机时,发现MOS管发热特别严重,容易烧坏,不知道什么原因,请各位大侠帮忙解答一下,万分感谢!

其中:PUMP_CRL是PWM控制信号,CON2是接电机,正常工作是的电流在1A以内,不知道什么原因MOS管一直发热。

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如果想吃一顿饺子,就得从冰箱里取出肉,剁馅儿,倒面粉、揉面、醒面,擀成皮儿,下锅……
一整个繁琐流程,就是为了出锅时那一嘴滚烫流油的热饺子。

如果这个过程,禁不住饿,零食下肚了,饺子出锅时也就不香了……《非诚勿扰3》

出0入0汤圆

发表于 2017-9-19 21:39:28 | 显示全部楼层
我不认为这是个PMOS,如果你是作NMOS用的话,需要自举电路

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-9-19 21:46:34 | 显示全部楼层
liurangzhou 发表于 2017-9-19 21:39
我不认为这是个PMOS,如果你是作NMOS用的话,需要自举电路


没有太明白,什么是自举电路?有没有合适电路帮忙推荐一下,万分感谢!

出0入0汤圆

发表于 2017-9-19 22:06:42 | 显示全部楼层
电路图上是N管,S极输出,MOS管工作在放大状态

出0入0汤圆

发表于 2017-9-19 22:10:31 | 显示全部楼层
AO3400也是N管类型

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-9-19 22:40:03 | 显示全部楼层
zhanan 发表于 2017-9-19 22:10
AO3400也是N管类型

不好意思,是我弄错了,按照N_MOS管,这样的控制电路该怎么优化呢?拜托了

出0入0汤圆

发表于 2017-9-19 22:41:18 | 显示全部楼层
即使Q1 是AO3401,也需要加驱动,否则MOS管开关速度太慢,发热烧毁是一定的。

出0入618汤圆

发表于 2017-9-19 22:42:41 | 显示全部楼层
换AO3401。

出0入0汤圆

发表于 2017-9-19 22:56:18 | 显示全部楼层
非要用N管,把负载接到D极上去吧。

出20入22汤圆

发表于 2017-9-19 23:06:49 | 显示全部楼层
学艺不精啊,基础还没弄明白

出0入442汤圆

发表于 2017-9-19 23:07:47 来自手机 | 显示全部楼层
duanll 发表于 2017-9-19 22:41
即使Q1 是AO3401,也需要加驱动,否则MOS管开关速度太慢,发热烧毁是一定的。 ...

还好了,三极管直接下拉,3401的导通时间是0.5us,关断时间是10us,这个时间段内基本没什么发热。

出0入0汤圆

发表于 2017-9-20 00:36:21 | 显示全部楼层
本帖最后由 huntaway 于 2017-9-20 00:37 编辑

Q1换PMOS,另外感觉R10换成3K,R11换成1K应该会更合适点。此外,不知道后面串个L3起什么作用?

出0入0汤圆

发表于 2017-9-20 11:46:15 | 显示全部楼层
Q1与L3交换,Q2可以省略。

出0入8汤圆

发表于 2017-9-20 11:56:51 | 显示全部楼层
高端控制用N MOS,应该需要自举升压吧

出90入372汤圆

发表于 2017-9-20 12:05:53 | 显示全部楼层
楼主把C3去掉试试,C3的容量要根据PWM的频率进行选择,PWM工作时C3隔直通交,频率匹配不合适就相当于把负载短路了,C3相当于多了一个负载,导致功耗增大Q1的电流增加,所以发热。

出0入0汤圆

发表于 2017-9-20 12:17:37 | 显示全部楼层


你的NMOS在高端。VG必然是要比VS高MOS才能导通。好了。VG=12V。那VS估计在10V左右。剩下的2V就要被DS沟通吃掉才能维持这个状态。所以MOS会烫。MOS工作在放大区了。这样一估算2V*1A=2W。2W的功率消耗在一个SOT23的MOS上面。嗯。烫。

把MOS移下来。再驱动没有问题了。

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出0入0汤圆

发表于 2017-9-21 05:20:11 | 显示全部楼层
本帖最后由 huntaway 于 2017-9-21 06:09 编辑
chensi007 发表于 2017-9-20 12:17
你的NMOS在高端。VG必然是要比VS高MOS才能导通。好了。VG=12V。那VS估计在10V左右。剩下的2V就要被DS沟通 ...


请教一下,D1和ZD1这一路的作用是用来限制线圈关断时D级对G级的电压冲击吗?线圈本身并了续流二极管也得加这一路吗?谢谢

出0入0汤圆

发表于 2017-9-21 09:25:45 | 显示全部楼层
换P管就可以了
如果想用N管,就要加自举电路,就是G门的电压要比S至少高Vth电压

出0入0汤圆

发表于 2017-9-21 09:58:13 | 显示全部楼层
chensi007 发表于 2017-9-20 12:17
你的NMOS在高端。VG必然是要比VS高MOS才能导通。好了。VG=12V。那VS估计在10V左右。剩下的2V就要被DS沟通 ...

ZMM24是否取值大了

出0入0汤圆

发表于 2017-9-21 10:34:32 | 显示全部楼层
楼主,N MOS与P MOS傻傻分不清。

出0入71汤圆

发表于 2017-9-21 11:35:50 | 显示全部楼层
这个N管工作在放大状态,必然热了

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2017-9-21 13:16:08 | 显示全部楼层
chensi007 发表于 2017-9-20 12:17
你的NMOS在高端。VG必然是要比VS高MOS才能导通。好了。VG=12V。那VS估计在10V左右。剩下的2V就要被DS沟通 ...

谢谢你,问题解决了,谢谢各位,修改好的电路图如下:

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出0入8汤圆

发表于 2017-9-21 15:15:39 | 显示全部楼层
chensi007 发表于 2017-9-20 12:17
你的NMOS在高端。VG必然是要比VS高MOS才能导通。好了。VG=12V。那VS估计在10V左右。剩下的2V就要被DS沟通 ...

分析的到位

出0入8汤圆

发表于 2017-9-21 17:12:06 | 显示全部楼层
C3没必要,浪费能量

出0入0汤圆

发表于 2017-9-21 17:21:08 | 显示全部楼层
Nemo_tony 发表于 2017-9-21 13:16
谢谢你,问题解决了,谢谢各位,修改好的电路图如下:

修改后的电路估计温升也不小,看你PWM频率是多少咯
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