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关于MOS管发热问题

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出0入0汤圆

发表于 2018-4-20 11:42:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
现在调试一个BLDC电调板,发现mos管,在占空比85%时发热比较严重,100%时反而没那么热?mos管不是电流越大,发热越厉害吗?
怎么占空比越大,发热反而没那么厉害?
用的是 N+N 管,驱动芯片是SDH2106 半桥驱动芯片

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出0入0汤圆

发表于 2018-4-20 11:50:46 | 显示全部楼层
100%的只有内阻损耗发热,85%的除了内阻上面的还要加上MOS管的开关损耗,如果驱动不够强的话,开关损耗比较大

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2018-4-20 11:58:17 | 显示全部楼层
ourdev850725 发表于 2018-4-20 11:50
100%的只有内阻损耗发热,85%的除了内阻上面的还要加上MOS管的开关损耗,如果驱动不够强的话,开关损耗比较大 ...

谢谢!

出0入0汤圆

发表于 2018-4-20 12:40:40 | 显示全部楼层
你的电调怎么样了,现在方案是什么?还用电容滤波吗?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2018-4-20 13:46:12 | 显示全部楼层
No.5 发表于 2018-4-20 12:40
你的电调怎么样了,现在方案是什么?还用电容滤波吗?

电容滤波

出0入4汤圆

发表于 2018-4-20 17:20:59 | 显示全部楼层
边沿不够陡峭,可变电阻区发热厉害!

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2018-4-20 17:29:05 | 显示全部楼层
lzg1987 发表于 2018-4-20 17:20
边沿不够陡峭,可变电阻区发热厉害!

造成这个的原因是什么的?

出0入0汤圆

发表于 2018-4-20 17:31:49 | 显示全部楼层
发热大,一般是驱动不够,导通时内阻偏大导致

出0入0汤圆

发表于 2018-4-20 21:05:42 | 显示全部楼层

什么样的电机?航模电机?

出0入0汤圆

发表于 2018-4-20 21:22:53 | 显示全部楼层
可以将MOSFET的驱动部分电路贴出来看一下,会不会是驱动电阻不合理导致的

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2018-4-21 08:37:24 | 显示全部楼层
596142041 发表于 2018-4-20 21:22
可以将MOSFET的驱动部分电路贴出来看一下,会不会是驱动电阻不合理导致的

用的是SDH2106

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出350入8汤圆

发表于 2018-4-21 08:47:56 | 显示全部楼层
当超过某个频率后,上沿,下沿的消耗远远高于内阻消耗。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2018-4-21 09:02:02 | 显示全部楼层
bmagui 发表于 2018-4-21 08:47
当超过某个频率后,上沿,下沿的消耗远远高于内阻消耗。

工作16Khz,这个会引起MOS管发热吗?上下沿是不是陡一点好?

出350入8汤圆

发表于 2018-4-21 15:14:06 | 显示全部楼层
retome 发表于 2018-4-21 09:02
工作16Khz,这个会引起MOS管发热吗?上下沿是不是陡一点好?

这个频率比较高了,边沿引起的发热是比较大的,边沿越陡发热肯定会好一点,但也会引起EMI增加,这里要根据实际情况调整。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2018-4-21 15:36:27 | 显示全部楼层
bmagui 发表于 2018-4-21 15:14
这个频率比较高了,边沿引起的发热是比较大的,边沿越陡发热肯定会好一点,但也会引起EMI增加,这里要根 ...

谢谢大神回答!还有我感觉频率越高越好!转速会快很多,用8k的频率是不是太小了?

出0入0汤圆

发表于 2018-4-27 17:11:57 | 显示全部楼层
发热也跟mos内阻有关系的

出0入0汤圆

发表于 2018-4-27 22:45:57 | 显示全部楼层
>当超过某个频率后,上沿,下沿的消耗远远高于内阻消耗。
Is this frequency labeled in the datasheet?

出0入0汤圆

发表于 2019-6-1 11:52:49 | 显示全部楼层
你的发热问题解决了没?   这个应该也和你的调制方式有关系
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