MOS管不同温度下为什么过流能力不一样？因为散热？

00superman00 · 发表于 2018-4-23 15:10:15

因为不同Tc下，发热，结温瞬时会超？

yjamdfhqjs · 发表于 2018-4-23 15:13:31

MOS管有一种自动均流的功能，就是很多个MOS管并联，其中一个MOS管电流过大，会造成管子的温度升高，温度升高后RDS会增大，从而减小通过的电流，达到自动均流的目的。

electricdream · 发表于 2018-4-23 15:22:19

半导体有热损坏的不可逆性，温度越高MOS管自身内阻会变大，若要保证流过相同的电流势必PN结处发热会增加，最后导致器件热损坏，所以需要在高温下减小流过其的电流

wx2k · 发表于 2018-4-23 15:33:03

负温度系数的MOS管已经很少了，现在的都是正温度系数

00superman00 · 发表于 2018-4-23 17:17:34

electricdream 发表于 2018-4-23 15:22
半导体有热损坏的不可逆性，温度越高MOS管自身内阻会变大，若要保证流过相同的电流势必PN结处发热会增加， ...

谢谢

00superman00 · 发表于 2018-4-23 17:18:00

yjamdfhqjs 发表于 2018-4-23 15:13
MOS管有一种自动均流的功能，就是很多个MOS管并联，其中一个MOS管电流过大，会造成管子的温度升高，温度升 ...

结合4L就清楚了

weihei · 发表于 2018-4-25 09:27:12

散热，不同封装的散热效果不同

locky_z · 发表于 2018-4-25 22:07:14

所有器件标注的最大电流, 归根结底就是温度原因,
只要你能够做到散热"非常非常好,例如1ns内散掉1KW热量",那么1nm的直径铜丝都可以通过1000A电流.

AI_xiaoli · 发表于 2018-4-28 17:07:44

半导体器件都有一个可承受的最大结温，一般150度左右。环境温度越高，内外温差越小，热量更不容易散发出来，能承受的电流变小

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