单片机对EMP240连接的储存器读写错误太多，为什么？

liudingding

用SRAM25616和EPM240做了个液晶控制器，快完工了，现在碰上了几乎最后的钉子，就是CPU（MEGA64）对SRAM读写有许多错误，不知如何解决。摄像头自动写入储存器的数据看上去似乎正确。
用CPU对SRAM写入每行从小到大周期变化的数据，液晶显示出从暗到亮的图形，图形中有许多暗的斑点，再次对SRAM写入数据，斑点有所减少，甚至全无，单片机对储存器读写的部分CPLD程序如下，说明PCK为系统时钟，这里作为摄像头写入时钟，OU为摄像头写入过程保持高电平，FWR为CPU的WR的反相信号，可视为写有效信号，RWR、ROE为CPLD读写储存器信号，这里当单片机写信号有效或摄像头自动写信号有效时，储存器的写信号有效，并且这两个信号有效时储存器的读控制信号为高电平，输出高阻状态。
assign RWR = WR&&(PCK||!OU);
assign ROE = OU||FWR;
wire [15:0]DX;
assign DA = ((FWR||ALE) ? 8'bzzzzzzzz : DR[7:0]);
assign DX[7:0] = ((FWR) ? DA : S[9:2]);
assign DX[15:8]= ((FWR) ? DA : S[9:2]);
assign DR = ((FWR||OU)  ? DX : 16'bzzzzzzzzzzzzzzzz );
程序中DA为CPLD链接CPU的数据线的三态端口，当单片机的写有效或ALE有效时，三态门高阻，否则输出DR信号，DR信号为链接储存器I/O口的16跟数据线，当单片机写有效或摄像头写有效时该信号有输出，输出为DX，否则输出高阻，DX当单片机写有效时信号为链接单片机数据线信号的信号，否则为摄像头数据。

上面说了这么多，不知您明白没明白。现在是单片机对储存器的部分数据写入不对，我想写入不对无非储存器的地址不对，数据不对，读写信号有问题，现在不知那部分出了问题，液晶显示基本没问题，地址应该是对的，储存器是10nS的单片机时钟才7.4728M，改变写时钟宽度，问题没变化，我曾想CPLD驱动不够，查了查手册储存器输入高电平大于2伏，输入低电平小于0.8伏即可，驱动应该没问题，

这问题出在哪里呢？

htjgdw

CPLD的逻辑没仿真过吧？
不要说“应该没问题“。。。这种话，先保证逻辑仿真正确再上板子，这是正确的CPLD/FPGA开发流程。