通过QSPI外接flash实现片上程序执行时如何擦、写flash其他位置

wzd5230 · 发表于 2019-1-30 09:34:22

目前使用的平台是STM32H750，内部flash比较小，只有128KByte，使用QSPI连接外部flash，在内部flash中烧写Boot，初始化QSPI，工作在内存映射模式，跳转到外部flash的程序中。这里有几个疑问！

下图是外部flash的划分，其中分为4个部分，运行的代码是保存在“Code area”中，在这个程序执行的过程中，我需要对“Param area”区域中的部分参数进行读、擦、写；以及在固件更新的过程中，从以太网接收升级的固件，放到“FW buffer”区域中缓存，这期间就涉及到flash的擦、写。

从我目前的了解来看，一旦“Code area”中的指令开始运行，这是QSPI已经工作在内存映射模式，这个模式下仅可以进行flash读操作（由CPU自动执行）。在上述举例的2种情况均涉及到擦、写，这2中操作需要在间接模式（即indrect mode）下进行，那就需要退出内存映射模式，而一旦退出，“Code area”中的指令将无法继续执行。

我在CubeMX下找到STM32H7系列的SDK，里面的例程也没有看到这种操作。不知道有哪位做过类似的操作，具体应该如何操作？

lyxer · 发表于 2019-1-30 09:50:14

程序是从QSPI运行就不能执行读写QSPI flash的操作

wzd5230 · 发表于 2019-1-30 09:53:58

lyxer 发表于 2019-1-30 09:50
程序是从QSPI运行就不能执行读写QSPI flash的操作

读是可以的，因为已经内存映射了，直接指针读取就可以。现在就是要进行擦、写操作。

greencamel · 发表于 2019-1-30 09:57:32

应该是没办法的，参考linux的启动过程，升级程序能不能单独放置到内部Flash或内部RAM上？

lyxer · 发表于 2019-1-30 10:04:15

wzd5230 发表于 2019-1-30 09:53
读是可以的，因为已经内存映射了，直接指针读取就可以。现在就是要进行擦、写操作。 ...

对这种情况下我就不考虑把他当存储器了

lyxer · 发表于 2019-1-30 10:06:20

可以了解下RT1064 有内部QSPI flash用来保存程序也有外部QSPI flash 当存储设备

zchong · 发表于 2019-1-30 10:16:27

把这部分代码放到RAM中执行，应该是没问题的

redroof · 发表于 2019-1-30 10:22:16

把擦写函数搬到片内RAM里面运行即可。编译的时候把这个函数单独放到一个段里，指定运行地址是片内RAM的地址即可。但是好像你得手动搬移

wzd5230 · 发表于 2019-1-30 12:38:05

zchong 发表于 2019-1-30 10:16
把这部分代码放到RAM中执行，应该是没问题的

应该是可以的，以往我们使用的一款赛普拉斯的Cortex-R4的MCU，内部Flash程序执行期间是不能对Flash进行擦、写操作的，也是将Flash操作的程序放到SRAM中，跳转到那边执行。
这个有一点区别，因为跳转到SRAM执行后，会将QSPI的配置（内存映射模式）改为间接模式，目前来看在SRAM程序运行期间一方面要修改/恢复QSPI配置，另外在执行的过程中，要关闭cache，关闭中断，确保SRAM中的程序通过QSPI访问Flash期间，Flash中报文的指令不会执行。

mmyer · 发表于 2019-6-28 20:29:42

楼主解决了吗，我现在遇到一样的问题，不同的是我用的事OctoSPI？

huatuizh · 发表于 2019-11-6 14:03:09

同样的问题

AlexYzhov · 发表于 2019-11-7 00:02:08

程序放进ram, 同时保证擦写过程中程序处于临界区.

通过QSPI外接flash实现片上程序执行时如何擦、写flash其他位置

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