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隔离方案是磁隔好还是容隔好?

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出0入4汤圆

发表于 2019-4-17 10:36:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
除了传统的光隔之外,现在新的磁隔(如ADI)和容隔(如Silicon)都挺好,价格也都下来了  差不多。
那么问题来了,如果只考虑磁隔阂容隔的话,会选择哪种?为什么?(EMI/速率/...)

阿莫论坛20周年了!感谢大家的支持与爱护!!

如果想吃一顿饺子,就得从冰箱里取出肉,剁馅儿,倒面粉、揉面、醒面,擀成皮儿,下锅……
一整个繁琐流程,就是为了出锅时那一嘴滚烫流油的热饺子。

如果这个过程,禁不住饿,零食下肚了,饺子出锅时也就不香了……《非诚勿扰3》

出0入4汤圆

发表于 2019-4-17 11:01:42 | 显示全部楼层
都挺好的,从价钱和渠道来考虑把

ADI的和 Ti的我都用过  也都没啥问题。  价钱还是挺贵的

出0入8汤圆

发表于 2019-4-17 12:22:56 | 显示全部楼层
用过一次磁隔离的。没干过光隔离的。同一条485总线上磁的偶尔有坏的。后来就退回到光了。当时没时间就没细追查原因。

出0入0汤圆

发表于 2019-4-17 12:30:18 | 显示全部楼层
磁隔的要注意EMI,容隔的要注意耐压。现在的趋势应该是容隔,越来越多的厂家都在做容隔了

出0入0汤圆

发表于 2019-4-17 12:45:45 | 显示全部楼层
磁隔离的速度好像更快些

出0入0汤圆

发表于 2019-4-17 14:09:53 | 显示全部楼层
有段时间用过磁的容易坏,功耗也大,后来用了容隔的!

出0入14汤圆

发表于 2019-4-19 13:00:51 | 显示全部楼层
mark,尽量优先选择容偶

出0入0汤圆

发表于 2019-4-19 20:36:08 | 显示全部楼层
电磁干扰大的环境用容隔好点吗?ISO3082教师ADM2483?

出20入128汤圆

发表于 2019-4-19 20:52:04 | 显示全部楼层
抗干扰性,相对来说,我比较看好容隔。。。。

出0入0汤圆

发表于 2019-4-19 21:41:43 | 显示全部楼层
“容隔”是个怎样的隔离方式?有谁能帮忙解释一下吗?谢谢!

出10入0汤圆

发表于 2019-4-19 21:43:43 | 显示全部楼层
磁隔是买到水货了吧。我也坏过一些。

出0入0汤圆

发表于 2019-4-20 13:52:46 来自手机 | 显示全部楼层
adi和infineon是磁隔离的代表,尤其adi搞了多年了isscc论文也有多篇入选

出0入0汤圆

发表于 2019-4-20 13:53:39 来自手机 | 显示全部楼层
silicon lab和ti是电容隔离,前者起步早

出0入0汤圆

发表于 2019-4-20 13:54:38 来自手机 | 显示全部楼层
avago一直是光隔离

出0入0汤圆

发表于 2019-4-20 13:57:05 来自手机 | 显示全部楼层
fairchild/on比较特殊,三个都有。电力电子领域的高频开关,尤其sic、gan的驱动,光隔离不是首选

出0入14汤圆

发表于 2019-4-20 23:35:08 | 显示全部楼层
yfwuh 发表于 2019-4-20 13:57
fairchild/on比较特殊,三个都有。电力电子领域的高频开关,尤其sic、gan的驱动,光隔离不是首选 ...

为何SiC和GaN的驱动,光隔离不是首选呢?
光耦通信类产品最高50M,也够了啊,更高频的光耦没有,主要因为传统光耦使用场合没那么高速的,假如需要,把光纤的发射接收集成到一起,上G都是轻轻松松

出0入0汤圆

发表于 2019-4-22 09:46:02 | 显示全部楼层
现在只要磁隔离的能做到电源一体隔离吧

出0入0汤圆

发表于 2019-4-23 18:55:35 | 显示全部楼层
本帖最后由 yfwuh 于 2019-4-23 19:33 编辑
kickdown 发表于 2019-4-20 23:35
为何SiC和GaN的驱动,光隔离不是首选呢?
光耦通信类产品最高50M,也够了啊,更高频的光耦没有,主要因为 ...


半桥SiC、GaN驱动还有个dv/dt的干扰路径问题,尤其GaN,光耦很可能直接失效

出0入14汤圆

发表于 2019-4-23 22:18:03 | 显示全部楼层
yfwuh 发表于 2019-4-23 18:55
半桥SiC、GaN驱动还有个dv/dt的干扰路径问题,尤其GaN,光耦很可能直接失效 ...

您指的是什么,CE之间的分布电容还是耦合器隔离两端的分布电容偏大呢?是容值偏大导致漏电流大,还是dv/dt大导致漏电流大呢?
另外,光耦的失效模式,指的是哪种?过压或者过流击穿吗?
您能提供一下容耦驱动的型号吗?因为目前只见到过信号隔离用的容耦,电力电子驱动用的还真没见过

出0入0汤圆

发表于 2019-4-23 23:01:31 | 显示全部楼层
chinaboy25 发表于 2019-4-22 09:46
现在只要磁隔离的能做到电源一体隔离吧

电源一体的辐射很大,过RE不容易的。

出0入0汤圆

发表于 2019-4-23 23:54:05 来自手机 | 显示全部楼层
kickdown 发表于 2019-4-23 22:18
您指的是什么,CE之间的分布电容还是耦合器隔离两端的分布电容偏大呢?是容值偏大导致漏电流大,还是dv/d ...

半桥上管驱动,驱动信号经过隔离驱动芯片初次极间电容到半桥臂中间点是一个容性通路,半桥臂中间点dv/dt很高的话,一是驱动芯片承受不住,二是驱动信号会被干扰。这里用的都是隔离驱动芯片,adi,infineon,ti,silicon lab这几家都有,隔离信号的话这几家也有数字隔离器

出0入14汤圆

发表于 2019-4-24 09:16:25 | 显示全部楼层
yfwuh 发表于 2019-4-23 23:54
半桥上管驱动,驱动信号经过隔离驱动芯片初次极间电容到半桥臂中间点是一个容性通路,半桥臂中间点dv/dt ...

TI只看到了几个SiC驱动的芯片,没看到GaN的。而且pdf似乎写的很简单,没看出来特殊之处。不过工作电压确实比较高,不过这么高的光耦也有,只是同时带故障检测和反馈的倒是真没有。
莫非就是靠这个隔离耐压保证的驱动快速功率元件可以正常工作?

出0入0汤圆

发表于 2019-4-24 09:44:38 | 显示全部楼层
tangfree 发表于 2019-4-23 23:01
电源一体的辐射很大,过RE不容易的。

RE是什么?

出0入0汤圆

发表于 2019-4-24 21:10:08 | 显示全部楼层

辐射发射啊。
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