求助： 半桥电路MOS管GD之间击穿有可能是啥原因？

wy2000

采用EG2104（兼容ir2104 ） 驱动 MOS管 NCE0106 （100V  mos）半桥电路。工作电压50V。 烧的时候蚀空载。
现在发现出现MOS管DG之间击穿 然后造成EG2104坏掉。更奇怪的是先坏下臂的MOS管。然后再全坏掉。补充一下 一般出问题下臂的二极管先冒烟，然后就知道全完蛋了。


需要说明的是 信号是 30ms 100K 50%占空比方波 然后30ms 高电平 然后再方波。 为了保证能够持续时间长一点 自举电容用了20uF

现在怀疑mos管质量问题虽然厂家称Vgs可以 20V （但典型值都是10V下测的） 我怕12V时间长了就扛不住。
各位熟悉这电路的看看有没有问题。谢谢啦！

wye11083

你1要给mos足够多的mlcc，避免振荡，2自举电容请严格按手册，不可大也不能小，3n管不能用于100％占空比！

wy2000

wye11083 发表于 2019-5-6 18:26
你1要给mos足够多的mlcc，避免振荡，2自举电容请严格按手册，不可大也不能小，3n管不能用于100％占空比！ ...

1. 足够多的MLCC加在哪里。
2. 自举电容大了有时啥坏处吗？
3. 没有让N管一直处于100%  占空比，最坏算是驱动30Hz的信号吧。

现在疑问的就是MOS管几乎都是GD之间导通了。DS没有坏！   DG导通的后果就是eg2104也会随即坏掉

z123

1、PCB可以看下不？
2、换一款靠谱耐操的MOS管替换调试看看

wye11083

z123 发表于 2019-5-7 09:42
1、PCB可以看下不？
2、换一款靠谱耐操的MOS管替换调试看看

换MOS管没用。LZ这应该是自激造成电路不稳，同时30Hz太低，下管长时间导通造成输出类似短路状态，过度发热。PWM不是这么用的。这么低的频率，下管必须得有电流过零检测，否则会持续发热。

wy2000

z123 发表于 2019-5-7 09:42
1、PCB可以看下不？
2、换一款靠谱耐操的MOS管替换调试看看

现在奇怪就奇怪在mos坏掉是GD之间穿了。
还有就是EFVCC的电源在20V的时候几乎没坏的，基本都是在RFVCC在50V的时候就瞬间全部崩溃掉。看来有必要都换成进口器件试试了。

wy2000

wye11083 发表于 2019-5-7 09:54
换MOS管没用。LZ这应该是自激造成电路不稳，同时30Hz太低，下管长时间导通造成输出类似短路状态，过度发 ...

我现在是空载呀。  下管一直导通哪来的电流呀。
   现在实际上是上管会30ms持续导通，下管不会长时间导通的。
最可疑的是 基本都是GD之间坏了，而一般MOS管过流都会DS之间击穿。 并且RFVCC电压低（20V）的时候基本不会坏，RFVCC在50V的环境下时不时就会烧掉一批

EMC菜鸟

wye11083 发表于 2019-5-6 18:26
你1要给mos足够多的mlcc，避免振荡，2自举电容请严格按手册，不可大也不能小，3n管不能用于100％占空比！ ...

自举电容怎么选，没看到 IR2104 上有说明呀 ？

RAMILE

买个差分探头试试

以前看见GS上并联电容就觉得蛋疼，后来才发现是我没看懂

z123

wy2000 发表于 2019-5-7 10:00
现在奇怪就奇怪在mos坏掉是GD之间穿了。
还有就是EFVCC的电源在20V的时候几乎没坏的，基本都是在RFVCC ...

看你PCB上的走线，两个自举电容，没有连起来？还是什么原因？

z123

RAMILE 发表于 2019-5-7 10:46
买个差分探头试试

以前看见GS上并联电容就觉得蛋疼，后来才发现是我没看懂 ...

老大能否科普下？

su33691

1.需要主动升压电路，才能支持上桥100%导通。
2.100k的PWM频率太高。20K~40K吧。

yuguoliang

死区不够，驱动能力不够大，MOSFET结电容过大，关断慢，造成上下管短时同时导通 ，发热损坏

yuguoliang

由于自举电容过大，下管导通瞬间有可能过流，建议在自举电容充电二极管前串一个5欧的电阻

chenqi

RFVDD电压先用12V实验，这种封装的国产mos管质量很差，换个厂家的试试
对照pcb封装和实物mos管各个引脚看看顺序是否有错误。

wy2000

z123 发表于 2019-5-7 10:56
看你PCB上的走线，两个自举电容，没有连起来？还是什么原因？

连起来的，只是cam350显示的问题。我的设计稿在另一台电脑上面，省的转了。用的是gerber文件。

wy2000

chenqi 发表于 2019-5-7 14:29
RFVDD电压先用12V实验，这种封装的国产mos管质量很差，换个厂家的试试
对照pcb封装和实物mos管各个引脚看看 ...

开始试验的时候 RFVCC 用的是20V  工作基本正常。就是在EFVCC电压换成50V以后发现工作不稳定。我准备买一点好的MOS来试试。主要坏的莫名其妙，GD击穿是很奇怪的事。
一般都是DS击穿，第一次碰上GD击穿的。  GD击穿以后2104立马就挂掉了。现象是那个4148烧起来（应该是大电流通过的缘故），断电测量那一组器件全挂掉了。

wy2000

su33691 发表于 2019-5-7 11:49
1.需要主动升压电路，才能支持上桥100%导通。
2.100k的PWM频率太高。20K~40K吧。 ...

准备改电路了 ，让上桥不会100%导通。
PWM  100K 占空比 50%  是MOS管不行了吗？ 推荐一下能到100k的 MOS呢。 谢谢啦

su33691

wy2000 发表于 2019-5-7 16:42
准备改电路了 ，让上桥不会100%导通。
PWM  100K 占空比 50%  是MOS管不行了吗？ 推荐一下能到100k的 MOS ...

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，
在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

xs2010

自举电容太大了，2.2u 到4.7u就可以