关于MOS管Vds和Rds的一点疑问

Maurice

比如N沟道MOSFET 型号DMT40M9LPS, 下面是规格书截图,
从上半图可见 Vgs=10V  Id=70A 时，Vds约为0.4V;
从下半图又可以看出 Vgs=10 Id=70A 时，Rds约为0.00106欧姆，根据Vds=Id*Rds=70A*0.00106Ω=0.00742V;
通过上下图看出的Vds值相差非常大，请问我是哪里出错了？

Maurice

armok 发表于 2019-5-16 10:50
违反版规11，即将封锁ID。

SORRY, 我还有机会改下吗

wajlh

24小时内，修改主题

tonyhobby

这个问题我解释不了。

Maurice

wajlh 发表于 2019-5-16 10:52
24小时内，修改主题

真不好意思，收到，不小心写错标题了，谢谢提醒

Maurice

tonyhobby 发表于 2019-5-16 10:55
这个问题我解释不了。

吃完午饭还能细看你给的回复，真是三生有幸，还以为再也进不来了

alias

>>通过上下图看出的Vds值相差非常大，请问我是哪里出错了？

你可能没错，规格书截图的下半部，Rds Vgs=4.5V 及 Rds Vgs=10 标反了，没理由10V Vgs 的 Rds 大於 4.5V Vgs 的。

face9

这种国产的IC、MOS 的资料我见得多了，很多的曲线图完全就是 剪切别人的，自己根本就 没办法测试。以前去参观过国内 我半导体公司，还是上市公司 他们骄傲的介绍，他们的仪器是IR infineon 当二手设备，而且有的参数都没法测试

khuohuo

face9 发表于 2019-5-16 19:32
这种国产的IC、MOS 的资料我见得多了，很多的曲线图完全就是 剪切别人的，自己根本就 没办法测试。以前去参 ...

记得Diodes是美国的。

Maurice

alias 发表于 2019-5-16 15:26
>>通过上下图看出的Vds值相差非常大，请问我是哪里出错了？

你可能没错，规格书截图的下半部，Rds Vgs=4.5 ...

言之有理啊，我比较笨拙居然没有发现，谢谢给出答案

Maurice

khuohuo 发表于 2019-5-16 20:02
记得Diodes是美国的。

是的，是进口件

Strangers

alias 发表于 2019-5-16 15:26
>>通过上下图看出的Vds值相差非常大，请问我是哪里出错了？

你可能没错，规格书截图的下半部，Rds Vgs=4.5 ...

迷惑了，按照LZ上面的计算，这样差距不是更大了？    难道Rds少了一个数量级

xiaoxiaobaiyu52

我怀疑上图的单位是mv,如果是V，功率都28W了

alias

Strangers 发表于 2019-5-19 10:37
迷惑了，按照LZ上面的计算，这样差距不是更大了？    难道Rds少了一个数量级 ...

我只能答你，规格书截图的上半部曲线也是错的。在Vgs=10V时，70A电流下的Vds = 0.00065*70 = 0.0455V，并不是曲线所标示的0.45V。

dragonlands

TOP3模拟半导体公司技术经理给你作答：模拟半导体器件规格书上的参数都是有一定的前提条件的，不说条件定参数都是耍流氓。
下回记得这种问题悬赏几个莫元，这样答案会更多更及时。

Maurice

dragonlands 发表于 2019-5-19 20:09
TOP3模拟半导体公司技术经理给你作答：模拟半导体器件规格书上的参数都是有一定的前提条件的，不说条件定参 ...

好，收到，下次一定加上莫元