请大家推荐一个耐压100V的MOS管

wx-ta · 发表于 2019-12-13 10:29:16

一个低功耗电池电压测量的电路，mos管开启的时候用分压电阻得到符合adc输入范围的电压，之前忽略了Vgs电压，使用了si2301，耐压不够导致mos击穿，所以请大家推荐一个高Vgs的sot23的mos管，好买到的，多谢！
另外也请大家看看这电路有没有什么问题。

wx-ta · 发表于 2019-12-13 10:32:04

忘记说了，测量的VIN电压范围是24-85v，adc是stm32自带的adc

gentlerain · 发表于 2019-12-13 10:57:05

Q2与R1之间串电阻解决

wanggoals · 发表于 2019-12-13 10:57:39

你电路里面的8050的耐压本身就不够了吧？

clesun · 发表于 2019-12-13 11:02:36

本帖最后由 clesun 于 2019-12-13 11:07 编辑

你这电路不行啊，VGS你得控制到一定范围内，常用得是20V，不管做的再好还是会烧。给你找个负载开关电路

tomzbj · 发表于 2019-12-13 11:03:18

哪个mosfet的vgs也到不了80多V。。。

Q2 C极再加个限流电阻， R1并个ZMM16就解决了。

wanggoals · 发表于 2019-12-13 11:04:37

刚刚找了，乐山有些，这个刚好是100V的Nmos ，LBSS123LT1G

huaxiling · 发表于 2019-12-13 12:21:23

SI2392, SI2324

wx-ta · 发表于 2019-12-13 14:22:48

clesun 发表于 2019-12-13 11:02
你这电路不行啊，VGS你得控制到一定范围内，常用得是20V，不管做的再好还是会烧。给你找个负载开关电路 ...

多谢，有用

wx-ta · 发表于 2019-12-13 14:23:30

tomzbj 发表于 2019-12-13 11:03
哪个mosfet的vgs也到不了80多V。。。

Q2 C极再加个限流电阻， R1并个ZMM16就解决了。 ...

学习了，刚做高压才知道这个特性的

wx-ta · 发表于 2019-12-13 14:34:13

tomzbj 发表于 2019-12-13 11:03
哪个mosfet的vgs也到不了80多V。。。

Q2 C极再加个限流电阻， R1并个ZMM16就解决了。 ...

再问下MOS管如果还是选用si2301的P-MOS，它的Vds是最高-20V，而我的VIN是85V，即便是通过加分压电阻满足了Vgs，但是mos管的D级通过100k的电阻连着地，那么Vds就是85V？，也会击穿对吧？
所以我只能选择Vds>85V的P-MOS，这样理解对不对？
常见的好买的此类SOT23的MOS有推荐吗？

tomzbj · 发表于 2019-12-13 15:32:11

wx-ta 发表于 2019-12-13 14:34
再问下MOS管如果还是选用si2301的P-MOS，它的Vds是最高-20V，而我的VIN是85V，即便是通过加分压电阻满足 ...

到某商城自己按参数搜索吧

locky_z · 发表于 2019-12-13 15:33:06

PMOS >100V的很少这么小功率封装的，
我以前做过一个800V的high side电流测量电路，市面上最高耐压PMOS只有400V，于是设计了这样的电路，示意图你看一下有没有启发

luybpotter · 发表于 2019-12-13 15:53:08

我也是做的低功耗电池电压检测，但是我的电池是4.2V的，你可以参考一下：多用一个IO，分压电阻不直接接地，而是接到MCU的IO上，休眠时，该IO直接拉成高阻状态，以满足低功耗的需求。
ADC也是内置的，休眠时关闭ADC，只开电平中断。

sweet_136 · 发表于 2019-12-13 16:30:57

locky_z 发表于 2019-12-13 15:33
PMOS >100V的很少这么小功率封装的，
我以前做过一个800V的high side电流测量电路，市面上最高耐压PMOS只 ...

高手呀..用共阳的接法来

virginlulu · 发表于 2019-12-16 00:01:49

locky_z 发表于 2019-12-13 15:33
PMOS >100V的很少这么小功率封装的，
我以前做过一个800V的high side电流测量电路，市面上最高耐压PMOS只 ...

看不明白，能否解释一下？

Maurice · 发表于 2019-12-16 09:18:46

这样测的准嘛？Vds有压差的

peter_zhang · 发表于 2019-12-16 13:28:03

Maurice 发表于 2019-12-16 09:18
这样测的准嘛？Vds有压差的

导通电阻几个欧姆能造成多大的采样的误差？

peter_zhang · 发表于 2019-12-16 13:34:07

本帖最后由 peter_zhang 于 2019-12-16 13:35 编辑

wx-ta 发表于 2019-12-13 10:32
忘记说了，测量的VIN电压范围是24-85v，adc是stm32自带的adc

给你一个我一直用的一个电路参考下吧，这个是BMS板上的，当时设计是能采集最高72V的锂电池包的，
PMOS的GS级一定要加稳压管钳位。左边MCU使能 READ_VOL信号，PMOS即导通，MCU休眠或者断电，PACK采集回路自动断开，维持低功耗。

redroof · 发表于 2019-12-16 13:45:21

Maurice 发表于 2019-12-16 09:18
这样测的准嘛？Vds有压差的

vds没有固定的压差，只有个小电阻，也就是你mos的导通电阻，最大也就几欧吧。它带来的分压可以忽略。

fsclub · 发表于 2019-12-16 14:01:05

那个mos漏电什么的不影响你的ad吗？何不用个小继电器

Maurice · 发表于 2019-12-16 16:10:41

peter_zhang 发表于 2019-12-16 13:28
导通电阻几个欧姆能造成多大的采样的误差？

忘了说VDS压降相关除RDS电阻外还有极间电容，不知道影响到底多少

peter_zhang · 发表于 2019-12-16 19:31:56

Maurice 发表于 2019-12-16 16:10
忘了说VDS压降相关除RDS电阻外还有极间电容，不知道影响到底多少

第一次听说，好好找个手册看看吧，MOS管完全导通的条件吧， PMOS 管 -10V的VGS已经完全导通，只需要考虑导通电阻了，这种采电池母线电压肯定是低速应用，ADC不需要多快的采集速度，
这种SOT-23的也就几个欧姆，相比于分压的100K 电阻完全可以忽略不计。这种电路低压BMS上大量在用的，就是为了减少系统休眠时外部电路的功耗。

wx-ta · 发表于 2019-12-16 22:41:18

peter_zhang 发表于 2019-12-16 13:34
给你一个我一直用的一个电路参考下吧，这个是BMS板上的，当时设计是能采集最高72V的锂电池包的，
PMOS的G ...

很受用，马上加钳位二极管，另外问下，BMS板自己是不是有低功耗模式，当检测到电池过放的时候，用户若长时间不充电，BMS板除了禁止放电外，是不是自己也进入低功耗模式试图降低对电芯的伤害，另外你们用的bms dcdc芯片是什么，效率能做到多少，我板子上有2g模组，用的是mp9486a，可以提供2A峰值电流，1A@3.7v输出，60v输入，效率粗测效率85%

Maurice · 发表于 2019-12-17 09:56:51

peter_zhang 发表于 2019-12-16 19:31
第一次听说，好好找个手册看看吧，MOS管完全导通的条件吧， PMOS 管 -10V的VGS已经完全导通，只需要考虑 ...

原来如此

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