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MOS管开关噪声如何抑制?

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出0入0汤圆

发表于 2020-4-10 17:25:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

电路就是这样,在运行过程中,用示波器测量A点的电压如下


不清楚❓处的负电压是怎么产生的,如何消除呢?

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出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-10 17:26:42 | 显示全部楼层
有没有大神指导下mos管

出330入1862汤圆

发表于 2020-4-10 17:44:08 | 显示全部楼层
楼主最好说一下那个DC 0.5V是怎么提供的?系统里运放的供电是怎样的?这个电路的布局?
还有楼主你说的MOS但图上是个三极管

简单的方法可能是:
1.尽可能缩短线路;
2.在三极管的基极或MOS的栅极添加电容降低开关速度;

出0入0汤圆

发表于 2020-4-10 17:46:00 | 显示全部楼层
这个波形是很明显的RC微分电路形成的波形,从你的电路上看给一个脉冲控制一个MOS管,说不出什么,MOS管控制频率多少,什么型号,运放周边是不是也有元件

出0入442汤圆

发表于 2020-4-10 19:08:16 | 显示全部楼层
陶新成 发表于 2020-4-10 17:46
这个波形是很明显的RC微分电路形成的波形,从你的电路上看给一个脉冲控制一个MOS管,说不出什么,MOS管控制 ...

不太像。LZ这图画的明显有问题,A点不可能有0.5V电压——后面分压之后只有0.125V。所以我估计要么LZ抄板抄错了,要么测量方法有问题(没有正确接地,或者示波器地线经过一个大负载被干扰了),因为通常情况下这么个电路不可能出现图上那种情况。

出40入0汤圆

发表于 2020-4-11 08:29:11 | 显示全部楼层
上全图。。

出0入0汤圆

发表于 2020-4-11 10:05:44 | 显示全部楼层
mos管在哪?

出0入0汤圆

发表于 2020-4-11 10:49:12 | 显示全部楼层
上全图,另外示波器也请上截图,顺便把输入波形和A点波形重合在一起截图

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-13 16:28:06 | 显示全部楼层
qiqirachel 发表于 2020-4-11 10:49
上全图,另外示波器也请上截图,顺便把输入波形和A点波形重合在一起截图


这个是电路图



现在问题就是在C点上升沿和下降沿的时候,A点的不正常脉冲经过后级运放会产生更大的脉冲。。。

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出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-13 16:30:44 | 显示全部楼层
cne53102 发表于 2020-4-10 17:44
楼主最好说一下那个DC 0.5V是怎么提供的?系统里运放的供电是怎样的?这个电路的布局?
还有楼主你说的MOS ...

已上图,帮忙再看看吧

出330入1862汤圆

发表于 2020-4-13 18:03:57 | 显示全部楼层
本帖最后由 cne53102 于 2020-4-13 18:47 编辑
竹丘电子 发表于 2020-4-13 16:30
已上图,帮忙再看看吧


我认为该问题是MOS的Cgd电容(Crss)导致的,MOS不仅栅极是个电容Cgs,它还有Cgd和Cds,如图:


可以尝试在Cgd的这个位置,即G和D之间人为添加一个电容来模拟一个超大的Cgd,应该可以看到这个噪声更严重了。

Cgd是MOS自身结构带来的无法避免,在栅极G和S之间添加一个电容可以减小,但不能完全解决这个问题

在此基础上,对MOS栅极那个电阻,添加一个额外的电阻和二极管,实现上下沿分别调整,可能有机会将波形修整成较为理想的样子,比如像这样:


但如果信号本身可以明显超过MOS栅极电压的话,我猜可能是更有优势的,只是楼主的应用可能不方便做这个选择
使用三极管代替MOS可能有机会获得更好的表现,但是电压可能不准确。

如果楼主的B点可以提供较大电流,那么显著减小R60, R61, R62可能是有效的,但这样R60和C48可能就不太方便了,D点的0.5V也许需要用其他方法获得,比如用一个运放来输出0.5V

论坛里的元老们可能能提供更好的解决方法

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出200入657汤圆

发表于 2020-4-13 21:19:20 | 显示全部楼层
用JFET吧。JFET大家都不熟悉,可是它是个相当理想的压控电阻,寄生参数也比较好对付,模拟开关都是用它做的。

出200入657汤圆

发表于 2020-4-13 21:30:25 | 显示全部楼层
mosfet的寄生电容导致的miller effect,会要求充电时间延长,开关变慢。所以最好驱动电流大一点,R64降低2个数量级差不多,不是npn的何必加这么大的限流电阻

出0入0汤圆

发表于 2020-4-13 23:24:34 来自手机 | 显示全部楼层
Q3的G极对地加个电阻看看。MOSFET是电压驱动的,2N7002

出0入0汤圆

发表于 2020-4-13 23:26:54 来自手机 | 显示全部楼层
Q3的G极对地加个电阻看看。MOSFET是电压驱动的,2N7002结电容很小,很小的驱动电流就足够了。

出0入0汤圆

发表于 2020-4-14 08:07:15 来自手机 | 显示全部楼层
换成NPN三极管。

出0入0汤圆

发表于 2020-4-14 09:19:54 | 显示全部楼层
换模拟开关或者继电器啊

出0入0汤圆

发表于 2020-4-14 09:28:32 | 显示全部楼层
加个反向的泄放二极管

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-16 20:14:50 来自手机 | 显示全部楼层
superpaul 发表于 2020-4-14 09:19
换模拟开关或者继电器啊

我也考虑过模拟开关,不过还没试

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-16 20:17:06 来自手机 | 显示全部楼层
ziruo2002ab 发表于 2020-4-13 21:19
用JFET吧。JFET大家都不熟悉,可是它是个相当理想的压控电阻,寄生参数也比较好对付,模拟开关都是用它做的 ...

我找个JFET试试,想着直接用单路的模拟开关来着,当然能用JFET更好

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2020-4-20 10:01:39 | 显示全部楼层
用JFET后改善效果明显,我选用的JFET是 MMBFJ309LT1G

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2020-7-30 14:10:59 | 显示全部楼层
最后解决了,把mos管的驱动电阻减小到10欧姆,这样mos管开关速度很快,就不会出现那个尖峰电压了
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