自举电路的探讨，希望大佬指点！

nyx585858d

如图为自举电路，给IGBT   上桥驱动；其自举电容如红圈中所示；

而测试波形中1通道为上桥驱动波形，3通道为下桥驱动波形，4通道为电流输出波形；

目前发现驱动电压在13V到16.5V之间波动；将自举电容改大后，上桥驱动波形就相对稳定；

问题：
1、自举电路中的自举电容该如何确定？

2、若出现如图中的驱动波形，除了对IGBT温度产生影响外，还会影响整机什么参数？

3、除了自举电容之外，自举电阻和自举二极管该如何选择。

peteryzm

MLCC电容？这个地方的电容我见好多是用CBB的，你这个mlcc估计受到电压影响容量变小了

nyx585858d

peteryzm 发表于 2020-10-20 14:03
MLCC电容？这个地方的电容我见好多是用CBB的，你这个mlcc估计受到电压影响容量变小了 ...

额，您所说的是哪一个？

xuyapple

1，自举电容一般根据芯片的供电去耦要求，一般是0.XuF搭配XuF；
2，下桥的驱动电压不是主要驱动供电电源决定的吗？如果驱动电压不稳定，那应该是驱动供电电源供电能力不够或者受共模干扰吧；
3，自举电阻用来限制自举电容充电时的电压变化率，取决于驱动芯片，电压变化率太大可能驱动输出会有毛刺。自举二极管就根据母线电压来选取耐压值，速度要和开关频率匹配。

nyx585858d

xuyapple 发表于 2020-10-20 14:51
1，自举电容一般根据芯片的供电去耦要求，一般是0.XuF搭配XuF；
2，下桥的驱动电压不是主要驱动供电电源决 ...

目前主要是自举电容的确定，目前出现驱动电压有波动现象是自举电容的值太小造成，加大就没有这种想象了，除去成本方面的考虑，如果自举电容太大会出现什么后果？

k2866

nyx585858d 发表于 2020-10-20 14:24
额，您所说的是哪一个？

他说的当然是自举电容了。  475/100V/1206C。   这个电容曾经弄我个半死，当时做的事无刷高压驱动。高转速和低转速的时候驱动的频率差的比较多，电容小了不行打了也不行。烧了百十块后，老实的改成独立供电了！

nyx585858d

k2866 发表于 2020-10-20 15:15
他说的当然是自举电容了。  475/100V/1206C。   这个电容曾经弄我个半死，当时做的事无刷高压驱动。高转 ...

目前我已经产品化了；其中有一款还算稳定，因为是冷地；那时候我定的应该是47 uF；现在是热地，其中IGBT失效有点多啊；我不确定是否是这个问题引起，所有目前打算更改自举电容！你所说的高转速和低转速是说电机吗？频率为何不对？

wye11083

nyx585858d 发表于 2020-10-20 15:25
目前我已经产品化了；其中有一款还算稳定，因为是冷地；那时候我定的应该是47 uF；现在是热地，其中IGBT ...

这个电容给mos放电，频率低了电容放电速度是固定的啊。所以电容放空了，mos/igbt工作在线性段，不烧才怪了。

nyx585858d

wye11083 发表于 2020-10-20 15:47
这个电容给mos放电，频率低了电容放电速度是固定的啊。所以电容放空了，mos/igbt工作在线性段，不烧才怪 ...

你速度至少有K级吗。只要初次充电足够多，为何这么快的开关速度，电容能放空？不能吧

wye11083

nyx585858d 发表于 2020-10-20 17:46
你速度至少有K级吗。只要初次充电足够多，为何这么快的开关速度，电容能放空？不能吧 ...

dcdc通常不低于150k，我通常用的是300k以上的。

那个小电容放电还是很快的，毕竟容量小负载重（mos要给cgs和cgd充电，要供给驱动芯片level shifter电流）