两个MOSFET串联能提高整体的耐压吗？

armos · 发表于 2022-12-27 16:29:08

现在手里的MOS管耐压不够，如果用两个串联，能提高耐压吗？

鲜衣怒马 · 发表于 2022-12-27 16:43:00

考虑一种极端情况，由于开关速度的差异，导致某一瞬间一个管子已经导通了（电压降忽略），那么电压将全部加在另外一个管子上。。

armos · 发表于 2022-12-27 16:58:22

鲜衣怒马发表于 2022-12-27 16:43
考虑一种极端情况，由于开关速度的差异，导致某一瞬间一个管子已经导通了（电压降忽略），那么电压将全部加 ...
(引用自2楼)

并联一个保护二极管是否可以呢？

鲜衣怒马 · 发表于 2022-12-27 17:08:50

armos 发表于 2022-12-27 16:58
并联一个保护二极管是否可以呢？
(引用自3楼)

串联肯定可以实现，现在超高压直流输电线都是用2kV左右的可控硅一层层堆上去的，但是均压问题我没有考虑过，所以只提出一个疑问

ibmx311 · 发表于 2022-12-27 17:13:16

以前在高压的直流稳压电源上还见过调整管串联，是npn的。但这10年就再没看到过了。

armos · 发表于 2022-12-27 17:15:25

鲜衣怒马发表于 2022-12-27 17:08
串联肯定可以实现，现在超高压直流输电线都是用2kV左右的可控硅一层层堆上去的，但是均压问题我没有考虑 ...
(引用自4楼)

哦哦谢谢我试一下只是用于做实验，短时间不坏就行

PowerATE · 发表于 2022-12-27 17:41:56

用电阻串联把电压分成好几份就行，MOSFET可以看成是一个可调电阻的。

jianfengxixi · 发表于 2022-12-27 18:31:16

要并联均压电阻

WUWEWU · 发表于 2022-12-27 18:33:26

并联压敏电阻

EMC菜鸟 · 发表于 2022-12-27 19:17:53

PowerATE 发表于 2022-12-27 17:41
用电阻串联把电压分成好几份就行，MOSFET可以看成是一个可调电阻的。
(引用自7楼)

这就有问题了吧，除非能保证绝对同步，否则两电阻一大一小时，，，

gzhuli · 发表于 2022-12-28 01:26:59

https://www.ti.com/lit/pdf/tidu412

dz20062008 · 发表于 2022-12-28 02:07:00

11楼大师完美解答了这个问题，非常巧妙。就是稳压管的偏置电阻估计功率不小，设最高dc电压900v稳压管稳压电流5ma，电阻功率4.5w，得上大号水泥电阻，但是这么大阻值的大功率水泥电阻比较少见

AWEN2000 · 发表于 2022-12-28 02:44:00

dz20062008 发表于 2022-12-28 02:07
11楼大师完美解答了这个问题，非常巧妙。就是稳压管的偏置电阻估计功率不小，设最高dc电压900v稳压管稳压电 ...
(引用自12楼)

用什么稳压管啊，有人巧妙的用了高压TVS管，电阻可以很大，反正只要TVS击穿就行了

WUWEWU · 发表于 2022-12-29 20:55:49

古大师的电路如果工作在高频状态，开通关断速度不够，要发烫损坏的，只能做普通低屏频的用途

gzhuli · 发表于 2022-12-29 22:20:57

WUWEWU 发表于 2022-12-29 20:55
古大师的电路如果工作在高频状态，开通关断速度不够，要发烫损坏的，只能做普通低屏频的用途 ...
(引用自14楼)

共源共栅电路的优点就是米勒效应小，高频特性好。

PowerAnts · 发表于 2022-12-31 19:06:08

本帖最后由 PowerAnts 于 2022-12-31 19:07 编辑

11楼的拓扑狠有趣！！！
首先，R3*CISS2恬当，在半个PWM周期内VGS2变化不大
1，下管关闭期间，上管射随“微导通”，下管VDS1=VIN-VG2-VTH2
2，下关导通过程，VD1下降，VGS2上升, ID2上升，VD2下降，密勒效应确保VGS2平稳，此过程中下管损耗小，上管损耗大；
3，Q1进入可变电阻区后，Q2还处于饱和区，整个导通期间仍然为下管损耗小，上管损耗大；
4，关闭过程，因Q2处于饱和区，VG1下跌过程，ID1<Q2恒流值能力，Q2进入可变电阻区，损耗可不计，密勒效应确保VGS2变化不大，最后被TVS钳住，半闭过渡损耗主要由Q1承担

如此看来，TVS其实可用电阻代替，阻值与上偏置电阻相当即可

PowerAnts · 发表于 2022-12-31 19:12:45

MOSFET无二次击穿可以这么玩，BJT则不可以。高压直流输电的换流站用几百上千个IGBT串联，那才好玩。好在用光纤为每个IGBT提供驱动信号，同步没问题。IGBT的问题是COSS与BJT同级，太小，吸收很麻烦

PowerAnts · 发表于 2022-12-31 19:24:24

dz20062008 发表于 2022-12-28 02:07
11楼大师完美解答了这个问题，非常巧妙。就是稳压管的偏置电阻估计功率不小，设最高dc电压900v稳压管稳压电 ...
(引用自12楼)

5mA太大了，肯定炸管

Pjm2008 · 发表于 2023-1-2 22:18:23

PI公司的高压反激电源也是这么干的。

dz20062008 · 发表于 2023-1-6 20:38:17

PowerAnts 发表于 2022-12-31 19:24
5mA太大了，肯定炸管
(引用自18楼)

上管栅极始终偏置电压不变，为啥不直接用电阻分压而选用半导体稳压。
这类mos g极偏置电压不变用法在电平转换电路中见的比较多，比如iic信号3.3转1.8v

akey3000 · 发表于 2023-1-6 20:42:22

gzhuli 发表于 2022-12-28 01:26
https://www.ti.com/lit/pdf/tidu412
(引用自11楼)

类似电路怎么学呢？请教有没有快速入门途径呢？谢谢

lyping1987 · 发表于 2023-1-6 21:15:09

armos 发表于 2022-12-27 16:58
并联一个保护二极管是否可以呢？
(引用自3楼)

这种操作太危险了，换一个来不及吗？

gzhuli · 发表于 2023-1-6 23:48:42

akey3000 发表于 2023-1-6 20:42
类似电路怎么学呢？请教有没有快速入门途径呢？谢谢
(引用自21楼)

模电没有捷径，找本模电书从头学起呗。

BTW，这电路不是啥新鲜事物，电子管年代就有了（特性类似五极管但噪音更低），后来还发明了双栅场效应管，多数用于低噪声高频前端放大，用在开关电源只是老瓶装新酒而已。

armos · 发表于 2023-1-9 08:53:06

lyping1987 发表于 2023-1-6 21:15
这种操作太危险了，换一个来不及吗？
(引用自22楼)

我想产生一个20KV的一个方波，现在的MOS管只有4000多V的耐压，想看看多个串联行不行。
我也用过电子管，但是电子管也没有找到单管耐压20KV以上的，也是几千V。

dz20062008 · 发表于 2023-1-10 00:58:10

armos 发表于 2023-1-9 08:53
我想产生一个20KV的一个方波，现在的MOS管只有4000多V的耐压，想看看多个串联行不行。
我也用过电子管， ...
(引用自24楼)

用油浸高压脉冲变压器升压

armos · 发表于 2023-1-10 09:58:09

dz20062008 发表于 2023-1-10 00:58
用油浸高压脉冲变压器升压
(引用自25楼)

有现成的商品可以买的吗

dz20062008 · 发表于 2023-1-10 19:03:00

armos 发表于 2023-1-10 09:58
有现成的商品可以买的吗
(引用自26楼)

你可以试试19寸以上crt显示器用的高压包，20kv升上去很容易，我以前用ne555加mos推过高压包，很容易50kv。至于高压脉冲频率能否做好你可以试试。

两个MOSFET串联能提高整体的耐压吗？

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