如何用好可控硅？

Grant · 发表于 2006-7-4 21:18:26

前言：

很多人都应该使用过可控硅吧，但有多少人知道在可控硅的应用电路设计中，需要注意什么问题？哪些参数又是需要考虑的？会用一个可控硅很容易，书上抄个电路图下来，就可以，但想用好可控硅可不是那么简单的事情。因之前我说过对于马达驱动写些资料的，这个就全当是我的第一步吧，我知道很多简单的马达控制中会用到可控硅来实现调速。

我计划以ST的一款可控硅数据手册为例，介绍可控硅应用电路设计中哪些参数是需要注意，同时也介绍一款ST的新器件AC Switch。我对它的理解是可使用MCU的IO直接驱动，带有过压保护的可控硅。最后呢，再以ST的一份ST6单片机控制马达的应用笔记为结尾，介绍如何使用MCU来控制Triac。我买的美的的豆浆机用的就是ST的ST6 MCU和ST的可控硅。首先申明我使用可控硅的时间不是很长，如果下述内容有错误，欢迎大家丢鸡蛋，呵呵，记住要是转载需要注明来源哦，要不我可会投诉的。本文档的资料来源于06年初ST在法国的一次培训讲义，加入了一些自己的理解。

在写本文之前，我想要做到人有我无，人无我有的“境界”，决定用Google搜索一下，看看有没有类似的文章，呵呵，发现可以找到的都是一些可控硅的原理，这些我就不打算提了，仅解释工作原理。目前没有在网上找到一份有对可控硅电路设计，哪些参数该如何使用的文章。看来这篇帖子的回头率又可以蛮高的了，我要先偷着乐了。

刚才看了一下本本里的可控硅资料，一瞄就看到了BTA06,呵呵，就拿它了。AC Switch吗，就用ACS108-6S吧，本文将会实际的对照原始的Datasheet来解释一些参数，Philips的不要问我，自己找吧。

下面的内容是本文会涉及到的一些资料的下载地址：

1、ST晶闸管(Thyristors)产品的首页：

http://www.stmicroelectronics.com.cn/stonline/products/families/thyristors_acswitch/thyristors.asp

2、BTA06-600BRG

http://www.st.com/stonline/products/literature/ds/2936/bta06.pdf

3、ACS108-6S

http://www.st.com/stonline/products/literature/ds/11962.pdf

发现本文的标题太难写了。

正文：

废话讲完了，开始正文吧！

一、概述

在日常的控制应用中我们都通常会遇到需要开关交流电的应用，一般控制交流电的时候，我们会使用很多种方法，如：

1、使用继电器来控制，如电饭煲，洗衣机的水阀：

2、使用大功率的三极管或IGBT来控制：

3、使用整流桥加三极管：

4、使用两个SCR来控制：

5、使用一个Triac来控制：

晶闸管(Thyristor)又叫可控硅，按照其工作特性又可分单向可控硅(SCR)、双向可控硅(TRIAC)。其中双向可控硅又分四象限双向可控硅和三象限双向可控硅。同时可控硅又有绝缘与非绝缘两大类，如ST的可控硅用BT名称后的“A”、与“B”来区分绝缘与非绝缘。

单向可控硅SCR：全称Semiconductor Controlled Rectifier(半导体整流控制器)

双向可控硅TRIAC：全称Triode ACSemiconductor Switch(三端双向可控硅开关)，也有厂商使用Bi-directional Controlled Rectifier(BCR)来表示双向可控硅。

请注意上述两图中的红紫箭头方向！

可控硅的结构原理我就不提了。

二、可控硅的控制模式

现在我们来看一看通常的可控硅控制模式

1、On/Off 控制：

对于这样的一个电路，当通过控制信号来开关Triac时，我们可以看到如下的电流波形

通常对于一个典型的阻性的负载使用该控制方法时，可以看到控制信号、电流、相电压的关联。

2、相角控制：

也叫导通角控制，其目的是通过触发可控硅的导通时间来实现对电流的控制，在简单的马达与调光系统中多可以看到这种控制方法

在典型的阻性负载中，通过控制触发导通角a在0～180之间变化，从而实现控制电流的大小

三、

我们知道，可控硅的一个导通周期可以有四步：

-----此内容被Grant于2006-07-04,22:15:29编辑过

xiaobendan · 发表于 2006-7-5 08:28:25

超级棒的帖子，使劲顶！楼主接着来啊！

hexenzhou · 发表于 2006-7-5 08:45:01

顶啊，偶也做过简单的可控硅控制！

caoqing · 发表于 2006-7-5 08:52:47

好贴！！！

yuhuashan · 发表于 2006-7-5 08:57:12

好帖欢迎楼主继续完成后续

zy99 · 发表于 2006-7-5 09:54:40

图文并茂，写的很好，

丢个鸡蛋，以表支持，

呵呵～！！！！

qjghj · 发表于 2006-7-5 10:12:32

好帖! 欢迎楼主继续完成后续.

alisha · 发表于 2006-7-5 13:13:03

楼主花好大气力才完成的帖子，漂亮没的说，收下！

AVR-MEGA128 · 发表于 2006-7-5 13:35:10

不错太好了

yerdak · 发表于 2006-7-5 14:11:59

写得不错

在我的收藏夹里有一个可控硅的网站，LZ可以参考一下。

http://sst2008.wx-e.com/

hh858 · 发表于 2006-7-5 14:15:38

好，收藏之！我们真的是太惭愧了，只能当个拿来主义的人了，楼主的人品真的不一般。

apostle · 发表于 2006-7-5 14:53:48

好贴！支持！望楼主再接再厉，继续补完，哈哈！

fangmcu · 发表于 2006-7-5 18:40:58

好贴！！期待楼主继续下去，我很想知四象限和三象限双向可控硅应用注意事项！！好象T1和T2脚，正反调过也可用，但有什么不同？？

alisha · 发表于 2006-7-6 08:36:53

继续啊，每天一章不要沉了。

zheng_pf · 发表于 2006-7-6 10:54:00

真好啊，又学了些知识，楼主棒极了。

Grant · 发表于 2006-7-6 18:40:07

外地出差，客户技术支持中。都是变频惹的祸，可控硅的笔记争取这个周末全部写完。看了一下，现在才写了10%不到，有压力啊。呵呵，在外两天了，压了一堆的邮件都还没来得会，周末该可以家休息了。
-----此内容被Grant于2006-07-06,18:48:20编辑过

xiaobendan · 发表于 2006-7-6 18:45:05

再顶，楼主加油啊！

xiaobendan · 发表于 2006-7-7 08:54:18

突然想请教楼主一个问题：资料上说BTA06-600BW的触发电流是50毫安，我用2-3象限触发，触发电流仅有35毫安，也能导通（全波）我想问一下这样长期用会有什么问题吗？会不会损坏可控硅呢？

Grant · 发表于 2006-7-8 00:22:11

你可以看看BTA06－600BW的数据手册，它的触发电流是50mA,这个是Max值。实际上I、II、III象限的触发电流都是不一样的，但datasheet给出来的都是满足能够完全触发的最小值。请注意这个最大值不是说你的触发电流只要不小于50mA都是可以的，当然这个值也与你的应用环境有关系，请看下面的曲线图：

xiaobendan · 发表于 2006-7-8 07:37:00

楼主没有正面回答我的问题，触发电流仅有35毫安，也能导通（全波）我想问一下这样长期用会有什么问题吗？会不会损坏可控硅呢？请注意我控制的是一个1000W的变压器，有足够的散热条件。

还有一个问题，TW中的触发电流为5毫安，那么假设我使用了50毫安的触发电流，会烧掉他的控制极吗？

我对可控硅了解很少，希望楼主多多指点，也是对大家的帮助！

我这里只有买到BTA16-600BW一种，目前使用的就是35毫安触发。能用，但是我担心他会坏。我可能不能再提供更大的电流，因为我使用的方法是用一个M8的脚直接接一个100欧姆的限流电阻到控制极触发，然后是移相触发。

alisha · 发表于 2006-7-9 14:47:19

LZ继续啊，盲人朋友们等着哪。

Grant · 发表于 2006-7-10 22:27:27

回楼上的楼上的：

1、触发电流小了，只是导通效果差些，不会有什么问题。只是这样你设定需要导通的时间可能达不到。这和三极管不一样，基极电流可以决定三极管是工作在什么状态。而可控硅触发电流只会影响导通的时间。还有就是如果要做到最好的导通效果，按照ST的PPT建议，你可以选择Ig的Max再乘以1.5倍，就是我给出的图的介绍。我今天问过ST的如果小的值有些大会有什么影响，他们说没有什么问题，假如你的触发电流达不到数据手册上规定的IgMax时，只要你确认你的触发电流可以使得可控硅可以达到导通就可以。

2、如果你将T1和T2颠倒，其实就是将1和4象限，2和3象限调换就可以，在你驱动的时候，比如你要1、2、4象限触发，就改成1、3、4就可以，自己将这个顺序颠倒一下就可以。

3、TW中的触发电流为5毫安，那么假设我使用了50毫安的触发电流

这个就不知道了，你的假设差了10倍，呵呵，一般大个2～4倍都没有什么问题。

之前对于你提到的问题2，我没有干过，从Datasheet上看，理论上没有问题，我自己也拿不准，因此我等到今天上班问了一下原厂的。谁叫我用的时间也不长呢，好再有问题可以找到问的人。。

本想昨天将这里的工作做完，唉，这两天好像状态不好，就没心情写这东西。。。。。
-----此内容被Grant于2006-07-10,22:30:13编辑过

xiaobendan · 发表于 2006-7-11 09:01:05

感谢楼主的回答！首先，我不同意T1和T2对调的问题，比如我用2、3象限触发，此时T1和CPU的VCC是连在一起的，若对调了T1和T2则有什么现象？

然后，我再问一个问题，就是带W字符的是不是真的在控制感性负载的时候不用吸收回路了呢？那么压敏电阻的保护呢？还有控制电动机，比如风扇，用97A6的，怎么都没有吸收回路呢？

我的实际情况是同样的东西交给2个不同的客户，一个全坏了，一个一个也没坏，我也搞不懂是怎么回事儿。我没有理论基础，就是照葫芦画瓢而已。

再次感谢楼主的热情帮助。

其他关注此帖的老师们，是否也将你们的应用心得交流一下呢？

989898 · 发表于 2006-8-3 09:46:20

支持下,未完成吗? 还有一些问题请教

+5V

---

|-----------------------------------------| AC1

|                      |

-------                   |

   |                   | T2

   |                -----

IC |-----|100欧|-----G\/ /\          ~38V

   |                -----

   |                   | T1

   |             A点 |

-------                   |-----<风机>-----| AC2

这是参考ZLG的那个图,这样接有没什么危险啊. 5V 是变压器输出12V 整流滤波过7805来的.

IC输出 0 时,可控硅导通. 输出1时,截止.

看了一下波形图, 按照你说的可能是工作在 2,3象限吧.

但波形图有个疑问.

A点相对于 AC2点波形:

/---\

/    \          /|

|    \       / |

---|    \       /  |------

         \    /

         \ /

            \--/

IC输出:

---|                |------

|                |

|                |

|-------------------|

为什么关断时是直下的? 不是等交流过零后才关断? 还是不输出高电平,空载时才会交流过零后关断?

davidd · 发表于 2006-8-3 11:38:52

大家有没有注意到可控硅电路中的电压参考箭头的方向与我们国内的习惯不同，他们用的是电压升，箭头指向电位高的方向

xiaobendan · 发表于 2006-8-4 08:38:14

23楼的：你的T1和T2好象反了吧

楼主可能还没有忙完呢！

989898 · 发表于 2006-8-4 11:07:33

应该是直接关断的了.不知道这样有什么坏处. 空载时交流过零后关断?

也搜到一个资料:

闸流管和双向可控硅应用的十条黄金法则

点击此处下载armok01125225.rar

lilei0902 · 发表于 2007-4-10 13:45:06

怎么这个这么好的贴没有了结果???楼主还有90%没有写完呀!

xiaobendan · 发表于 2007-4-10 16:15:20

等待中

joson · 发表于 2007-4-10 18:28:13

好贴！收藏

zlf667788 · 发表于 2007-4-10 18:58:31

读书的时候学过一门课程＜＜晶闸管变流技术＞＞，课本很详尽，老师讲得也很好，不过当时太过于痴迷金庸的小说，没学到多少..................................

sea_19821 · 发表于 2007-4-10 19:39:20

不顶不厚道

fugeone · 发表于 2007-4-10 19:53:56

顶上去，刚好我现在要用到可控硅。。。过零触发控制变压器抽头的。。。多多指教啊

lilei0902 · 发表于 2007-4-10 23:28:52

这么好的贴怎么可以不再让它写完呢??可惜.

xiaobendan · 发表于 2007-4-11 08:02:20

控制变压器还是需要仔细研究的，因为我实验的好象不太理想哦，比较容易出问题

Grant · 发表于 2007-5-5 13:45:49

完成没有做完的作业！请不要顶帖，以便内容连贯！谢谢合作！由于一些参数的叫法，有些参数国内有很多种说法，有些国内的叫法自己也不是搞得很明白，这里我尽可能的使用英文并给出英文的完整解释，以免产生岐意。

按照顶楼的最后一张图，我们来了解一下对于一个应用如何来选择一个合适的可控硅。

当我们打开一份可控硅的数据手册，我们可以看到很多数据和图表，那么哪些参数是我们最应该去关心的呢？

上图是ST BTA06数据手册提供的主要特性参数表（资料下载地址请到顶楼寻找）。通过这张表我们可以知道如下参数：

IT(RMS) 平均电流。指的是BAT06完全导通的情况下，流经A1A2的电流平均值可以达到6A。请注意在数据手册之后的表3提到，该值实在正弦波触发，温度在105度或110度下测得。

VDRM/VRRM 关断状态正向可重复峰值电压/关断状态反向可重复峰值电压。这个参数指的值可以认为是可控硅的正反向耐压（不知道这样解释对不对）。请注意这个值与VDSM/VRSM的差异。

TGT(Q1) 触发电流，注意后面的Q1指的是工作在第一象限，这个与可控硅的工作原理是有关系的，后面会再说明；

通过这些资料我们可以大致了解这个可控硅的工作参数，要使用一个可控硅了解这些参数就足以了，但要想用好一个可控硅，这些参数还远远不够。下面我们就一个完整触发的周期来解释如何用好一个可控硅。

我们知道，一个可控硅在触发前到触发后到触发关断的一个完整触发过程一共需要经历四个状态，分别是：关断、关断到触发、触发、触发到关断。

1、首先在触发前，也就是关断状态，我们需要考虑系列参数：

1)、VDRM/VRRM、VDSM/VRSM

2)、dV/dt

3)、Vgd

通俗的讲在这个状态下我们需要考虑可控硅的耐压不要被击穿、可控硅不要被误触发。

1)、VDRM/VRRM

英文全称：Repetitive peak off-state voltage (50-60Hz).

英文解释：This is the maximum peak voltage allowed across the device. This parameter is specified up to the maximum junction temperature and leakage currents IDRM / IRRM are specified under this value.

中文名称：关断状态正向可重复峰值电压/关断状态反向可重复峰值电压。

VDSM/VRSM

英文全称：Non-repetitive peak off-state voltage.

英文解释：This is the maximum peak voltage allowed under pulse conditions across the device. It is specified for pulse duration lower or equal to 10ms.This parameter guarantees the ruggedness of the Triac in case of fast line transients exceeding the specified VDRM / VRRM value.

上图介绍了可控硅在控制过程中会出现的不同电压参数的关系，一共出现了三个电压值（在同一个电压方向上）：VDRM、VDSM、Dreakdown Voltage。通常VDSM会比VDRM大100V左右，但是前提条件是这多出100V的电压加在A1A2两端的时间不能超过10mS，超过的结果当然是over！并且是不可逆的过程！阴影部分是绝对禁止越过的！

有人会问，假设超过了这个电压的极限会出现什么样的后果呢？下图展现的就是可控硅物理晶元在此情况下会出现的结果示意图：

那么面对不同类型的负载要如何考虑？通常我们可以把驱动简化为下面的示意图：

选择适合的参数的目的是要做到下面的保护：

前面的压敏电阻起到电压保护的。通常的VDRM有如下特性：

选择的时候我们参照下表：

那如何来计算VDR的参数？（此处在NXP的闸流管和双向可控硅应用的十条黄金原则也有提及）

通常我们选择电压等级275V RMS的压敏电阻用于230V电源，

VVDR＝Vmain x 1.1 = 230Vrms x 1.1 = 360V(min) (关断状态，最小)

按照上图，我们找到转折电压（mains Voltage）在360V的曲线（红线）。考虑IEC61000－4－5的标准，2KV的浪涌传入，Vin＝Vmains ＋2kV ＝ 2360V。

选择好耐压我们还要选择压敏电阻的电流极限。由于存在不同的负载特性，如阻性、感性等，负载的电流曲线并非是线性的，下面的两张图，大家能看出来选择S14K275适合呢还是S05K275适合？提醒一下S后面的数字05和14代表的是压敏电阻的直径。

2)、dV/dt

英文全称：Critical rate of rise of off-state voltage.

英文解释：This is the maximum value of the slope of the rising voltage that can be applied across a SCR or a Triac in the off-state without risking it turning on spuriously.

dV/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数！此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。也许有人会问为什么？由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。我们知道dV/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流。需要注意的是dV/dt导致的结果是误触发，但不会对器件本身造成损伤！对设备本身就需要看可控硅控制的是什么了。

细心的人可能会发现在BTA06的数据手册上不是有两个dV/dt吗？为何它们不一样？

前一个指的是静态下，它的值受温度影响。后一个受Rgk（SCR，单向可控硅，R与K的寄生电阻）影响，由于R与K同时也存在寄生电容Cgk，等效如下图：

双向可控硅也是同样，G与A1之间是绝对禁止加入电容！因为不利对电压噪声的抑致。

3)、Vgd

英文全称：Non-triggering gate voltage.

英文解释：This is the maximum voltage which can be applied to the gate without causing undesired turn-on.This parameter is specified, for the worst case scenario, at the maximum junction temperature.

为了导通需要的门极电压。

只要满足VGA1 > Vgd即可！

总结：在这一阶段我们最关心两个问题：1、不要过压；二、误触发。压敏电阻可以保护过压，误触发有没有什么好的办法？有的，就是RC滤波电路。

一不小心，按了提交，晕死了，还没有写完啊，只剩下30min了，算了，先交这个部分吧。有不对的地发，欢迎大家提出，共同进步吗？

这里有个地方需要提醒：在支持客户的时候遇到客户的RC电路的元件选择遇到的问题。这里R和C只要普通的炭膜电阻和普通的电容！我的一个客户在选择电容的时候竟使用了Y电容？我晕死了，他告诉我电路在做雷击测试的时候经常会出现误动作，我问他的电阻电容用的是多大，他告诉我电阻只用了几个欧姆，我说你的C很大吗？要不然你的充放电时间会很短的，他说调试的结果是C固定，R越小越好，我搞糊涂了，要这样，那RC不加不是更好？后来才知道，原来他的电容用的是Y电容问他为何会考虑用Y电容，说是抄别人的电路上面也是这样用的。虽然都是电容，但特性其实存在很大差异的，要不大家用的地方都不一样呢？

-----此内容被Grant于2007-05-05,13:53:23编辑过

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Grant · 发表于 2007-5-5 17:41:42

2、关断到导通

从关断状态到导通我们需要考虑下列参数：

1)、Igm

2)、Igt/Vgt

3)、dI/dt

1)、Igm

英文全称：Peak gate current.

英文解释：This is the maximum peak current allowed between gate and cathode, defined for 20μs pulse duration.

对于SCR单向结构，我们知道Ig总是为正，即只有流进的电流。

这是等效电路：

对于双向可控硅，就有可能存在正负两种电流。

下图展示了Ig、Vt、It的关系，假定认为箭头方向全部为正方向

将Vt与It映射到二维坐标上，我们可以知道他们的关系：

请注意上图中紫色箭头的方向，可以理解为一个完成的正弦波形。

下图展示了Ig与It的关系，同样我们将这种关系映射到二维坐标内：

我们可以得到在一个正弦波内可控硅可以被触发四次（理论上，并不是所有的双向可控硅都可以四个象限被触发，后面会介绍），按照Ig的方向，我们发现Q1、Q4象限电流为正，Q2、Q3象限电流为负；

如果选择Q1、Q4象限驱动。我们注意一些可控硅的数据手册，Q4象限的Ig要更大并且与Q2不相同，同时Q4的dI/dt也要更小。

如果选择Q1、Q4象限驱动。电流方向是流出可控硅的门极。参数中电气特性都基本一致。

如果选择Q1、Q3象限驱动呢？

2)、Igt、Vgt

英文全称：Triggering gate current.

英文解释：This is the minimum current that must be applied between gate and cathode (or gate and electrode A1 for Triac) to turn-on the device. This parameter defines the sensitivity of the component for existing quadrants.

中文名称：触发电流

前面我们已经知道了Igm的意义，那Igt又是什么？Igt指的是导通需要的门极触发电流。知道这个参数的意义有助于我们任何正确选择一个合适的触发电流。

回到BTA06的数据手册，我们可以看到下表：

表中列出了三象限驱动方式下，25度下的Igt和Vgt，不同的后缀的Igt是不相同的。那要如何来选择这个参数？

首先解释一下这份表中说指的Igt不是最大允许的触发电流，而是要保证“可靠”触发至少需要提供的电流。Vgt指的是在满足“可靠”触发的电流下，门极的最大电压，该值关系到Rg的选择，Rg在介绍Vgd时的示意图中有出现。

还是回到BTA06的数据手册，我们可以看到表7：

通常触发电流Igt选择25度时max值的1.5倍就可以了。

Vgt

英文全称：Triggering gate voltage.

英文解释：This is the minimum voltage that must be applied between gate and cathode (or gate and electrode A1 for Triac) to trigger the device.

中文名称：触发门极电压

Vgt的选择有个公式，参考就可以，没什么特别的。

3)、dI/dt

英文全称：Critical repetitive rate of rise of on-state current.

英文解释：During the turn-on operation, the maximum rate of rise of current must not exceed this maximum value. If the absolute rating is exceeded, the component may be destroyed.

这是一个非常重要的参数！它导致的后果不会立刻显现，它会先导致G与A1或A2出现“Punch”，至于A1还是A2是由电流决定，然后Vdrm/Vrrm失效或是A1A2短路。有没有办法抑制？有，就是前面也提到的RC网络。

-----此内容被Grant于2007-05-05,17:45:58编辑过

lvyi913 · 发表于 2007-5-5 18:12:11

那请问楼主，用Y电容为什么会有问题呢？按道理将Y电容只是耐压高一些吧？

xiaobendan · 发表于 2007-5-6 09:19:44

楼主终于又来了，真是太好了！

羞羞的问：Y电容是什么电容？我只知道X2的电容，就是那种黄色的外壳的，250VAC的电容，我现在就在用这种电容。

我的RC的参数是100欧姆和103的瓷片（兰色的那种）还有功率比较大的地方用100欧姆和104（或473）的X2。不知道这样是否有不妥？其实也是抄别人的啦：）

另外，楼主说的普通的电容是什么电容？那种类型的？瓷片？涤纶？金属化？不会是玻璃的吧。还有其他参数比如电容的耐压，电阻的功率等等。

对于不同电感量和功率的感性负载，是否也要选择不同的RC参数呢？

our_avr · 发表于 2007-5-6 11:29:56

最近也看到日本一个电路上面也用的是Y电容，不懂啊！学习中

JAMESKING · 发表于 2007-5-9 04:32:56

【38楼】 xiaobendan

Y电容是安规电容的一种，实际上叫做“跨接电源线与地之间的Y类抑制电磁干扰用Y类电容”，必须通过电气安全测试。适用于在电容器失效时会导致电击危险的场合，如跨接电源线与地之间，这就要求Y类电容能够承受更高的脉冲测试电压的冲击试验。

一般Y电容用于对地旁路电磁干扰，但也可以用于RC吸收场合，因为相对于普通卷绕电容来说，Y电容高频特性较好，等效电感量相当小，所以由于等效电感附带产生的dv/dt也会比较小。

RC吸收回路中，R的选择是比较关键的，无感是第一条件。

thought224 · 发表于 2007-5-9 07:34:11

JAMES真是什么都懂一些啊!!!

tcygood · 发表于 2007-5-9 08:05:50

好东西！值得好好看看。

shaozh · 发表于 2007-5-9 08:36:18

见识了，真棒！

lvyi913 · 发表于 2007-5-9 10:17:47

那请个位分析一下，到底为什么Y电容不行呢？我觉得Y电容只有比别的电容好，难道还有什么缺点吗？？楼主说在这里不行，why？？

xiaobendan · 发表于 2007-5-9 19:57:30

无感电阻什么样子的？上个图给看看吧！

microcon · 发表于 2007-5-9 20:54:00

好文，学习了。

另外，请教各位，采用不同厂家的光藕时，为什么有的厂家的光藕会导致可控硅上电导通了，有什么方法解决吗？查了很久了，不知道什么原因，对比了两厂家的光藕参数，也就漏电流不一样，其他都一样啊。

linwayavr · 发表于 2007-5-14 23:37:17

实在是好贴啊，佩服楼主！

liao-ljj · 发表于 2007-5-15 20:50:48

厉害啊！请教搂主一个问题，我们在使用可控硅控制灯光的亮暗时老是出现可控硅击穿的问题，那是什么原因啊？我们加了过零检测啊！

Grant · 发表于 2007-5-15 21:28:06

本不想回帖的，因为那样会导致这个帖子篇幅拉的太长，影响阅读。ouravr的帖子过了一个小时就无法修改，算是这里的一个小小的遗憾啊。我在21IC上这个限制倒是没有，很方便，特别是这种经验总结的帖子，经常会遇到有要补充的，要知道，大家在看帖回帖，我也在回帖中学习啊。到目前为止，篇幅仅完成了60%，因为目前涉及到功率和散热的计算部分，比较难写，暂时停了下来，我会尽快补上。

1、电容一般使用磁片，103、104就可以，不过由于磁片在耐压方面不是很好，对于马达、等感性负载尽量使用独石电容。为什么不能使用Y电容，JAMESKING说的差不多了，建议可以了解一些安规，了解一下Y电容的左右。其实换句话来说，Y电容很贵的有没什么好处，用可控硅来干活的没有几个是高利润的，这么用有钱赚吗？

2、“光藕会导致可控硅上电导通”

应该是选择的器件参数问题。从off到On，出现误触发是有dV/dt导致的，原因就在这。你没有具体的型号，没法给你分析。你可以重点检查dv/dt的波形。如何逆制前面章节有提及，你可参考。

3、导致击穿的可能是有较多的，这个与过零检测没有任何关系，一般会导致这个错误出现的原因是下列的几个参数：Vdrm、di/dt、 di/dt(c)、Itrm、 I2t。条件好的你可以请你的供应商交给原厂做（FAR）失效分析，他们会给出击穿原因的，知道原因修改电路要方便写。要是没有渠道，可以试试更改压敏电阻、RC吸收网络的R，这里是假定你的电路和我帖子里提到的标准电路是一致的！
-----此内容被Grant于2007-05-15,21:36:58编辑过

xiaobendan · 发表于 2007-5-16 08:15:53

楼主说103、104都可以，我这里遇到一个问题。就是我用BTA04去控制一个10A的接触器线圈，再用接触器拖动一个3相370W的电机。吸收回路用104的X2和100欧姆电阻然后当接触器工作一段时间后就发生不能释放接触器的问题。可控硅是用仙童的MOC3023触发的。检查发现可控硅断开后接触器线圈上仍然有电，有时候甚至高于电源的电压，分析可能是电容与线圈产生谐振了。然后我把电容换成103（兰色瓷片2KV）的，谐振问题没有了，但是经过1W次通断实验，发现有几乎2.5%的几率仍然无法释放接触器，但是测试结果就和没有吸收回路时产生的意外导通是相同的就是将可控硅（用插座的）拔掉会立即释放。可控硅电路中接法是标准的，只是没有使用压敏电阻。后来我采用了473的电容，和471的压敏电阻。电阻还是100的。偶尔有质量比较好的接触器会发生问题，然后就在接触器上并一个电阻，就这样了。我感觉控制小功率感性负载时吸收回路的参数是个很重要问题，很多情况下要兼顾大功率的，比如可以用BTA16控制一个单相电动机，但是客户说单相的没劲，要用3相的，然后就用一个接触器扩展，此时BTA16的负载直接从1KW变10W以下。前几天看到一个出口的东西，是BTA12控制480W的风机，没有使用任何吸收或者压敏什么的，可能是想糊弄洋鬼子吧。

lvyi913 · 发表于 2007-5-16 19:50:16

“为什么不能使用Y电容，JAMESKING说的差不多了，建议可以了解一些安规，了解一下Y电容的左右。其实换句话来说，Y电容很贵的有没什么好处，用可控硅来干活的没有几个是高利润的，这么用有钱赚吗？”

我觉得楼主在回避这个问题，既然这么简单为什么不一语道破呢，我们说的是特性方面为什么Y电容不行，价格谁都知道Y的贵。但是单单从特性方面为什么Y就不可以，而普通的可以呢？始终搞不明白！所以望楼主赐教。

TonyCai · 发表于 2007-5-16 20:28:19

实在是好人，不顶你不罢休！

wuha · 发表于 2007-6-27 10:53:11

谢谢！领教了！

chengjia535 · 发表于 2007-6-27 16:00:23

不顶不行

wxfhw · 发表于 2007-6-27 17:56:07

记号

jianlming · 发表于 2007-6-27 19:04:54

頂。。。

wj414 · 发表于 2007-6-28 21:02:21

非常好的学习资料啊!!!

呵呵

非常感谢哦!!!

fhqmc · 发表于 2007-6-29 08:51:50

Y电容和X电容被称为安规电容，都有一个重要特性就是在失效时绝不会发生短路，只会开路。

maosheng · 发表于 2007-7-4 10:03:08

楼主真是很了不起，我花了一年也没有弄得这么透彻，我一直用单片机控制可控硅．做节电器的，遇到的问题还真不少，希望能得到楼主的帮助．如果楼主能说个联系方式那就好了，我可以把资料和问题发给您帮忙看看．

重点还是解决可控硅的误触发问题．我刚开始用的是双向可控硅，后来改成ＭＴＣ模块的，但成本加大了很多．再就是解决误触发问题时，怎样准确选择ＲＣ的值，我总有点模糊

Delia · 发表于 2007-7-20 09:51:55

支持一下楼主，这年头好人不多啊。楼主真是很了不起

sunshine_ljb · 发表于 2007-7-25 09:52:28

师者

sunke9 · 发表于 2008-3-19 15:07:29

好东西,作个记号慢慢看!

xiaowei0588 · 发表于 2008-3-20 08:27:18

不错！

sharkbing · 发表于 2008-3-20 09:31:34

呵呵,当年如果给俺们上<<电力电子>>这门课时有这么好的课件就更OK了

zxq6 · 发表于 2008-3-20 09:33:44

谢谢。

yzlyear · 发表于 2008-3-20 12:40:15

好贴,MARK

stevenlu · 发表于 2008-3-20 13:13:42

没用过，学习一下

my2jia · 发表于 2008-3-30 21:22:25

mark

sciencehero · 发表于 2008-3-30 21:37:26

做笔记!

adcr · 发表于 2008-3-30 22:51:24

这么好的贴子不没收对不起ＬＺ
真的感谢Grant先生

zhuzi1441 · 发表于 2008-3-30 23:00:03

谢谢，记号

ghosthd · 发表于 2008-3-31 08:57:38

很详细啊，不过我觉得楼主可以考虑IGBT啊，中小功率也不是很贵。

Grant · 发表于 2008-3-31 11:17:26

帖子的本意旨在与介绍可控硅，不牵涉在何种场合下应用MOSFET好，还是Triac适合，或是IGBT合用。

我过去的工作在模拟器件方面有两个大类，Triac和IGBT，IGBT也包括IPM Model。IGBT觉得没有什么太多需要解释的，就没怎么说。

bjj9217 · 发表于 2008-3-31 12:18:20

好！

bluesky5566 · 发表于 2008-3-31 13:45:59

还可参考电力电子的相关书籍

xyang18 · 发表于 2008-3-31 14:33:54

3、使用整流桥加三极管：
http://www.ourdev.cn/bbs/bbs_upload197134/files_6/armok01122330.jpg

这个电路有意思

gdqhik · 发表于 2008-4-1 09:21:27

收藏了。
网站要是支持个人收藏就好了

stephon1 · 发表于 2008-4-21 18:52:27

同意收藏

chuanhuibh · 发表于 2008-4-21 19:09:29

够详细

bjj9217 · 发表于 2008-4-21 22:15:28

好东西！

yue3004 · 发表于 2008-4-21 22:21:58

还没完吧

Grant · 发表于 2008-4-21 22:41:58

更多的内容在这里：
http://blog.csdn.net/Grant_jx/archive/2008/04/05/2253334.aspx

最近二姨的贴图有些问题，图片无法显示，看到的都是小框框

kalo · 发表于 2008-4-21 23:26:04

哇！这个不能不顶！谢谢！

lionliu · 发表于 2008-4-24 11:37:32

记号

ChenHP · 发表于 2008-4-24 11:47:30

记号

weiwgml · 发表于 2008-4-24 13:34:31

记号

microyao · 发表于 2008-4-24 18:27:04

好！楼主人杰也。

TonyCai · 发表于 2008-4-24 19:48:59

踩个脚印，谢谢。

qxs5264 · 发表于 2008-4-25 08:43:31

这么好的帖子不能让它沉下去了！顶起来！

footballboy9 · 发表于 2008-4-26 23:45:44

虽然暂时不用可控硅,收藏了,学习楼主.

liqu · 发表于 2008-4-27 08:26:14

够强。

eagle_avr · 发表于 2008-7-18 10:53:31

受益！

51mcu51 · 发表于 2008-7-18 11:18:38

不错！

bjj9217 · 发表于 2008-7-18 20:03:12

好贴！

laoliu2008 · 发表于 2008-7-19 00:07:16

使用相角控制方法会严重干扰电网的

yanrz · 发表于 2008-7-19 21:43:03

楼主人才也！！！！

wsl16805 · 发表于 2008-7-21 21:07:54

金典,脚印.谢谢

heweijian · 发表于 2008-7-28 11:15:46

好帖!顶!

rusell2007 · 发表于 2008-7-28 11:32:12

学习一下先！

如何用好可控硅？

阿莫论坛20周年了！感谢大家的支持与爱护！！